基板处理装置及其使用的基板载置台和暴露于等离子体的部件

    公开(公告)号:CN101322237A

    公开(公告)日:2008-12-10

    申请号:CN200780000499.4

    申请日:2007-01-31

    CPC classification number: H01L21/68742 C23C16/4586 H01L21/67103

    Abstract: 本发明提供一种基板载置台,包括:在内部埋设有加热器并且其表面成为被处理基板的加热面的基板载置台主体;以及在基板载置台主体中能够上下自由移动地插通的升降销,其中,基板载置台主体在其加热面形成有与升降销相对应并且底面比加热面低的凹部,升降销具有升降销主体以及在升降销主体的顶端部与凹部对应形成的能够部分地收容在凹部中且直径比升降销主体的直径大的头部,头部具有支撑被处理基板的头部上端以及与头部上端相对的头部下表面,升降销能够在头部下表面与凹部的底面接合的第一状态以及头部下表面从凹部的底面上升的第二状态之间自由移动。

    平板天线部件以及具备其的等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN101849444B

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN200980100907.2

    申请日:2009-03-13

    CPC classification number: H05H1/46 H01J37/32192 H01J37/3222

    Abstract: 本发明涉及一种平板天线部件,向等离子体处理装置的处理容器内导入由电磁波发生源发生的电磁波,其特征在于,具有由导电材料构成的平板状基材、和形成在上述平板状基材上的放射电磁波的多个贯通口,上述贯通口包含:沿中心与上述平板天线部件的中心重叠的圆的圆周排列的多个第一贯通口;在上述第一贯通口的外侧与上述圆呈同心圆状排列的多个第二贯通口,从上述平板天线部件的中心到上述第一贯通口的中心的距离L1与上述平板天线部件的半径r之比L1/r在0.35~0.5的范围内,从上述平板天线部件的中心到上述第二贯通口的中心的距离L2与上述平板天线部件的半径r之比L2/r在0.7~0.85的范围内。

    平板天线部件以及具备其的等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN101849444A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN200980100907.2

    申请日:2009-03-13

    CPC classification number: H05H1/46 H01J37/32192 H01J37/3222

    Abstract: 本发明涉及一种平板天线部件,向等离子体处理装置的处理容器内导入由电磁波发生源发生的电磁波,其特征在于,具有由导电材料构成的平板状基材、和形成在上述平板状基材上的放射电磁波的多个贯通口,上述贯通口包含:沿中心与上述平板天线部件的中心重叠的圆的圆周排列的多个第一贯通口;在上述第一贯通口的外侧与上述圆呈同心圆状排列的多个第二贯通口,从上述平板天线部件的中心到上述第一贯通口的中心的距离L1与上述平板天线部件的半径r之比L1/r在0.35~0.5的范围内,从上述平板天线部件的中心到上述第二贯通口的中心的距离L2与上述平板天线部件的半径r之比L2/r在0.7~0.85的范围内。

    基板处理装置及其使用的基板载置台和暴露于等离子体的部件

    公开(公告)号:CN101322237B

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200780000499.4

    申请日:2007-01-31

    CPC classification number: H01L21/68742 C23C16/4586 H01L21/67103

    Abstract: 本发明提供一种基板载置台,包括:在内部埋设有加热器并且其表面成为被处理基板的加热面的基板载置台主体;以及在基板载置台主体中能够上下自由移动地插通的升降销,其中,基板载置台主体在其加热面形成有与升降销相对应并且底面比加热面低的的凹部,升降销具有升降销主体以及在升降销主体的顶端部与凹部对应形成的能够部分地收容在凹部中且直径比升降销主体的直径大的头部,头部具有支撑被处理基板的头部上端以及与头部上端相对的头部下表面,升降销能够在头部下表面与凹部的底面接合的第一状态以及头部下表面从凹部的底面上升的第二状态之间自由移动。

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