公开(公告)号：CN105051871B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201480017103.7

申请日：2014-03-26

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 出村健介

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32715 ,  G03F1/60 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32486 ,  H01J37/32825 ,  H01L21/68757

摘要： 本发明是一种放置台及等离子体处理装置，在放置通过还原性自由基来进行处理的被处理基板的放置台中，所述放置台包括：在俯视时被所述被处理基板所覆盖的放置面；及邻接于所述放置面的非放置面，所述非放置面的至少一部分的表面被不与还原性自由基发生还原反应的材料所覆盖。

公开(公告)号：CN102899621B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201110443386.X

申请日：2011-12-20

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔镕燮 ,  许明洙

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01J37/32229 ,  C23C14/352 ,  C23C14/357 ,  H01J37/32275 ,  H01J37/3405

摘要： 溅射装置包括：具有磁性的多个靶，位于所述多个靶中相邻的靶之间并且具有磁性的反射体，位于所述靶上并形成引导微波的导引空间且具有磁性的波导器，以及位于所述波导器上从而与所述靶、所述反射体以及所述波导器一起形成电子回旋共振区域并具有磁性的限幅器。

公开(公告)号：CN102760632B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210125069.8

申请日：2012-04-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 茂山和基 ,  石桥清隆 ,  森田治 ,  谷川雄洋 ,  松本直树 ,  三原直辉 ,  吉川弥

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

摘要： 本发明提供一种等离子处理装置，其具备：处理容器；工作台；电介质部件；导入微波的单元；喷射器；和电场屏蔽部。处理容器在其内部划分形成处理空间。工作台设置在处理容器内。电介质部件面对工作台设置。导入微波的单元经由电介质部件将微波导入处理空间内。喷射器为电介质制，具有一个以上的贯通孔。喷射器例如由松散电介质材料构成。该喷射器配置在电介质部件的内部。喷射器与形成在电介质部件上的贯通孔一起划分形成用于向处理空间供给处理气体的路径。电场屏蔽部覆盖喷射器的周围。

公开(公告)号：CN102959125B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201180030847.9

申请日：2011-05-09

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 中尾祯子 ,  笹川英四郎 ,  竹内良昭 ,  宫园直之 ,  大坪荣一郎

IPC分类号： C23C16/509 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01J37/32 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32229 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1816 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 提供一种抑制脊形电极及基板的热变形，对于大型的基板也能进行稳定的等离子体处理的真空处理装置。具有：放电室（2），由脊形波导管构成，该脊形波导管具有生成等离子体的排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）；一对转换器，将高频电力转换成方形波导管的基本传送模式即TE模式而向放电室（2）传送，并使排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）之间产生等离子体；均热调温器（40），设置在基板侧脊形电极（21b）的外表面侧，并使温度均匀地进行加热；热吸收调温单元（50），设置在排气侧脊形电极（21a）的外表面侧，并控制实施等离子体处理的基板（S）的板厚方向的热流束，将基板（S）设置在排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）之间而实施等离子体处理。

公开(公告)号：CN101946366B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN200880127027.X

申请日：2008-01-30

申请人： 应用材料公司

发明人： 迈克尔·W·斯托厄尔

IPC分类号： H01Q13/00 ,  H01P11/00

CPC分类号： H01Q13/203 ,  H01J37/32229 ,  H05H1/46

摘要： 描述了一种微波波导和一种关于微波波导的系统和方法。一个实施方式包括一集成微波波导，所述集成微波波导包括波导区块，在所述波导区块中的第一波导部分，在所述波导区块中的第二波导部分，与所述波导区块中的所述第一波导部分集成的第一阻抗转换部分，以及与所述波导区块中的所述第二波导部分集成的第二阻抗转换部分，其中所述第一阻抗部分包括具有第一端和第二端的第一导管，其中所述第一导管从第一端到第二端逐渐变细（tapered），其中所述第二阻抗部分包括具有第三端和第四端的第二导管，其中所述第二导管从第三端到第四端逐渐变细，并且其中所述第一阻抗转换部分的第二端与所述第二阻抗转换部分的第四端相连接。

公开(公告)号：CN102549194A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080044034.0

申请日：2010-10-04

申请人： 株式会社岛津制作所

发明人： 铃木正康

IPC分类号： C23C16/511

CPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

摘要： 一种表面波等离子体CVD设备，其包括：波导(3)，该波导(3)连接于微波源(2)，多个槽缝天线(S)形成于波导的磁场平面上；电介质板(4)，该电介质板(4)用于将从多个槽缝天线(S)射出的微波引导至等离子体处理室(1)，从而产生表面波等离子体；绝缘遮蔽构件(1b)，该绝缘遮蔽构件(1b)配置成包围产生表面波等离子体的成膜处理区域(R)；以及气体喷射部(52)，该气体喷射部(52)将处理材料气体喷射至成膜处理区域(R)。

公开(公告)号：CN101647101B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880010562.7

申请日：2008-03-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 岩崎征英

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32192 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： 公开了一种等离子加工设备，其包括容纳要进行预定的等离子加工的基体且可以被排放至减小的压力的加工腔体；微波发生器，其产生用于形成等离子体的微波；导波管，其将微波从微波发生器传输到加工腔体；导波管/同轴管转换器，其连接到导波管的一端；同轴管，其形成微波从导波管-同轴管转换器传输到加工腔体所要通过的线路。同轴管的内部导体具有中空部分；和第一加工气体供应部分，其通过同轴管的内部导体的中空部分将加工气体提供给加工腔体。

公开(公告)号：CN101090598B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710109175.6

申请日：2007-06-14

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 堀口贵弘

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

摘要： 本发明涉及微波等离子体处理装置，利用波长可变物质，使波导管长度最优。微波等离子体处理装置(100)包括波导管(30)、有多个槽缝(31)的槽缝天线(32)、多个电介体(33)和处理室(U)。微波依次在波导管(30)、槽缝(31)、电介体(33)传播，供给到处理室(U)，使气体等离子体化，处理基板(G)。在波导管(30)内端面(C)附近填充氧化铝(50)及特氟隆(35)。由于管内波长(λg)在氧化铝(50)中比特氟隆(35)中短，当微波在波导管(30)中传播时，与只填充特氟隆(35)相比，从波导管(30)端面(C)至最短槽缝中央间的物理特性上的长度保持为λg/4，并能缩短其间的机械长度。结果，没有波导管端部的死空间(D)，能够等间隔配置电介体(33)。

公开(公告)号：CN102057760A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121282.8

申请日：2009-06-03

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC分类号： H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

摘要： 本发明提供一种具有特性阻抗在输入侧与输出侧不同的同轴管构造的等离子体处理装置。利用电磁波激发气体来对基板进行等离子体处理的微波等离子体处理装置(10)，具备：处理容器(100)；输出微波的微波源(900)；第1同轴管(610)，被用于传输从微波源(900)输出的微波；以及介电体板(305)，其以面向处理容器(100)的内侧的状态与第1同轴管(610)邻接，用于将沿第1同轴管(610)传输来的微波释放到处理容器(100)的内部。具有第1同轴管(610)的内部导体(610a)与外部导体(610b)的粗细之比沿长度方向上不一致的构造。

公开(公告)号：CN101609792A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910203257.6

申请日：2009-06-02

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 西本伸也

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/20 ,  H01L21/31 ,  C23F4/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01J37/32229 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

摘要： 本发明提供一种抑制微波传输路径的变动的微波等离子处理装置以及微波的供给方法。微波等离子处理装置(10)利用自径向线缝隙天线(205)放出的微波的电场能量激发气体，等离子处理基板(G)。微波等离子处理装置(10)包括在内部进行等离子处理的处理容器(100)、输出微波的微波源(335)、对自微波源输出的微波进行传输的矩形波导管(305)、转换在矩形波导管中传输的微波的模式的同轴转换机(310)、可相对于同轴转换机滑动地与其连结的同轴波导管的内部导体(315)、与同轴转换机接合的、将上述同轴转换机与上述内部导体电连接的第1触点构件(330)、和吸收由热膨胀引起的径向线缝隙天线及其上部构件的位移的第1弹簧构件(375)。