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公开(公告)号：CN100424811C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN03822259.0
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/4404 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , Y10S156/916
Abstract: 本发明提供改进的用于等离子加工系统的上电极，其中有关带有连接至上电极的沉积罩的电极板的设计和制作有利地提供对上电极腐蚀充分小的加工气体的气体注入，同时提供对室内部的保护。
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公开(公告)号：CN100380564C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN03822206.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32633 , H01J37/32623 , H01J37/32834
Abstract: 本申请涉及用于等离子体处理系统中的改进的折流板的方法和设备。本发明提出了一种用于等离子体处理器系统的改进的折流板，其中，折流板的设计和制造能够有利地在处理空间中提供均匀的处理等离子体，并且对折流板的腐蚀程度最小。
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公开(公告)号：CN103069551A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180041451.4
申请日：2011-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: G01N21/55 , H01J37/32192 , H01J37/32972 , H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L29/6659 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 不影响平板缝隙天线的电磁波辐射特性的均匀性就能够使用波长区域较宽的非相干监视光来高精度地对处理容器内的被处理基板的表面进行光学监视。该微波等离子体蚀刻装置中的光学监视装置（100）具有：监视头（102），其在比载置在基座（12）上的半导体晶圆（W）的边缘靠径向内侧且比同轴管（66）靠径向外侧的位置配置在冷却套筒板（72）之上；监视用的光波导路（104），其以从该监视头（102）起向铅垂下方纵穿盖板（72）、电介质板（56）、缝隙板（54）以及电介质窗（52）的方式设置；以及监视主体（108），其经由光纤（106）与监视头（102）光学耦合。
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公开(公告)号：CN101609780A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910147366.0
申请日：2009-06-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西本伸也
Abstract: 本发明提供一种在升温后也将微波的传输路径保持为合适的状态的微波等离子处理装置以及微波的给电方法。微波等离子处理装置(10)利用由径向线缝隙天线的缝隙板(205b)放出的微波的电场能量激发气体来对基板(W)进行等离子处理，其中，微波等离子处理装置(10)包括：在内部进行等离子处理的处理容器(100)；输出微波的微波源(335)；对自微波源输出的微波进行传输的矩形波导管(305)；对在矩形波导管中传输的微波的模式进行转换的同轴转换机(310)；对在同轴转换机中模式已被转换的微波进行传输的同轴波导管；以与缝隙板(205b)不接触的状态安装在同轴波导管的内部导体(315)上的锥形连接件(320)；以及将锥形连接件与缝隙板电连接的弹性体(330)。
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公开(公告)号：CN1682340A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822080.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01J37/32972
Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的改进的光学窗口淀积屏蔽，光学窗口淀积屏蔽通过一个淀积屏蔽，用于等离子体工艺系统中的工艺空间的光学入口，其中光学窗口淀积屏蔽的设计和制作对工艺空间中的工艺等离子体方便地提供了一个光学清洁入口，而基本上保持最小地腐蚀光学窗口淀积屏蔽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101609792A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910203257.6
申请日：2009-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西本伸也
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/20 , H01L21/31 , C23F4/00 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/32229 , H01J37/32192 , H01J37/3222
Abstract: 本发明提供一种抑制微波传输路径的变动的微波等离子处理装置以及微波的供给方法。微波等离子处理装置(10)利用自径向线缝隙天线(205)放出的微波的电场能量激发气体，等离子处理基板(G)。微波等离子处理装置(10)包括在内部进行等离子处理的处理容器(100)、输出微波的微波源(335)、对自微波源输出的微波进行传输的矩形波导管(305)、转换在矩形波导管中传输的微波的模式的同轴转换机(310)、可相对于同轴转换机滑动地与其连结的同轴波导管的内部导体(315)、与同轴转换机接合的、将上述同轴转换机与上述内部导体电连接的第1触点构件(330)、和吸收由热膨胀引起的径向线缝隙天线及其上部构件的位移的第1弹簧构件(375)。
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公开(公告)号：CN101499411A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910001993.3
申请日：2009-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68728 , H01L21/68735
Abstract: 本发明可提供一种容易将载置台的上表面加工为平滑的形状，还可防止基板周缘部温度发生下降的等离子体处理装置。一种等离子体处理装置，其通过使供给到处理容器内的处理气体等离子化，在处理容器内对基板进行处理，其中，在处理容器内，设有其上表面载置有基板的载置台，在载置台的上表面的多个部位，突出设置有用于定位基板周缘的定位销，并将定位销插入到形成于载置台上表面上的凹部中。可在定位销被卸下的状态下将载置台的上表面加工为平滑的形状。另外，在载置于载置台上表面上的基板的周缘附近只存在定位销，因此，可以防止基板周缘部温度发生下降。
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公开(公告)号：CN1682342A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822259.0
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/4404 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , Y10S156/916
Abstract: 本发明提供改进的用于等离子加工系统的上电极，其中有关带有连接至上电极的沉积罩的电极板的设计和制作有利地提供对上电极腐蚀充分小的加工气体的气体注入，同时提供对室内部的保护。
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公开(公告)号：CN1682341A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822206.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32633 , H01J37/32623 , H01J37/32834
Abstract: 本申请涉及用于等离子体处理系统中的改进的折流板的方法和设备。本发明提出了一种用于等离子体处理器系统的改进的折流板，其中，折流板的设计和制造能够有利地在处理空间中提供均匀的处理等离子体，并且对折流板的腐蚀程度最小。
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公开(公告)号：CN102077320A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980125367.3
申请日：2009-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西本伸也
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理方法和介电体窗的温度调节机构，能够对使用于等离子体处理的微波透过的介电体窗的温度进行更加精密地控制，实现更加良好的等离子体处理特性。等离子体处理装置(1)具有处理容器(2)、介电体窗(簇射极板)(3)、天线(4)、波导管(5)、冷却块(6)、基板保持台(7)、在处理容器(2)的上部装配的保持环(上板)(15)。通过保持环(15)将介电体窗(3)的周缘部卡定。在天线(4)之上设置内部具有能够流过热介质的冷却流路(6a)的冷却块(6)。在波导管(5)的周围设有温度传感器(16)，对天线(4)等的温度进行检测。在保持环(15)的内部具有灯加热器(151)。介电体窗(3)通过由控制机构控制的冷却块(6)的冷却机构和保持环(15)的加热机构而被控制为规定的温度分布。
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