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公开(公告)号：CN101855946B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880110139.4
申请日：2008-10-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32266 , H05H1/46
Abstract: 本发明的目的在于使得特别是能够在圆周方向上调节在等离子体处理装置的处理室内生成的等离子体密度。一种等离子体处理装置(1)，其中从同轴波导管(30)供应的微波经由滞波板(25)被导入处理容器(2)内，在处理容器(2)内处理气体被等离子化，从而基板(W)被处理，在该等离子体处理装置(1)中，电介质部件(45)被配置在同轴波导管(30)与滞波板(25)的连结处，电介质部件(45)被配置在同轴波导管(30)的外部导体(32)的内部中以内部导体(31)为中心的圆周方向上的一部分上，并且电介质部件(45)被配置在以内部导体(31)为中心的圆周方向上的任意位置。
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公开(公告)号：CN102132387A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132951.1
申请日：2009-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/304
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J37/32862 , Y10T137/7837
Abstract: 等离子体处理装置(11)具有：从排气孔(13)向下方侧延伸的第一排气路(15)；与第一排气路(15)的排气方向的下游侧端部连接，在与第一排气路(15)垂直的方向上延伸，在相对于排气方向正交的断面上是宽度方向比上下方向长的横长断面形状的第二排气路(16)；与第二排气路(16)的排气方向的下游侧端部连接，在与第二排气路(16)垂直的方向上延伸的第三排气路(17)；与第三排气路(17)的排气方向的下游侧端部连接，对处理容器(12)内减压的泵(18)；设置在第二排气路(16)内，具有能够封闭第二排气路(16)，且对排气方向的上游侧与下游侧之间的压力进行调整的压力调整用阀板(20)的压力调整阀(21)；设置在第三排气路(17)内，具有进行第三排气路(17)的开闭的关闭阀板(22)的关闭阀(23)。
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公开(公告)号：CN101467493A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021797.1
申请日：2007-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/28 , H01L51/56
Abstract: 公开了一种发光元件的制造装置，其特征在于：具有进行衬底处理的多个处理室，该衬底处理用于在被处理衬底上形成具有包含有机层的多个层的发光元件；多个处理室分别构成为：以被处理衬底的形成发光元件的元件形成面朝向与重力方向相反的方向的方式，进行被处理衬底的衬底处理。
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公开(公告)号：CN101606227B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880004230.8
申请日：2008-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/683 , C23C16/458 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/68742 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/50 , H01J37/3244 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/6875
Abstract: 所公开的载置台构造，是在对基板进行规定处理的可抽真空的处理容器内支撑基板的载置台构造，该载置台构造具有：载置台主体，其载置基板；升降销机构，其构成为将基板降到载置台主体，并从载置台抬起基板；阶梯部，其形成在载置台主体上，使得载置在载置台主体上的基板的背面周缘部暴露于供给到处理容器中的处理气体中。
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公开(公告)号：CN102027580A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980117522.7
申请日：2009-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L21/8247 , H01L23/522 , H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/76224 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/28273 , H01L21/31612
Abstract: 将硅化合物气体、氧化气体、以及稀有气体供应至等离子体处理设备(1)的腔(2)内。将微波供应至腔(2)内，并利用由微波产生的等离子体在目标衬底上形成氧化硅膜。稀有气体的分压比率是硅化合物气体、氧化气体和稀有气体的总气体压力的10％或更小，并且硅化合物气体和氧化气体的有效流率(氧化气体/硅化合物气体)不小与3但不大于11。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101855946A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880110139.4
申请日：2008-10-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32266 , H05H1/46
Abstract: 本发明的目的在于使得特别是能够在圆周方向上调节在等离子体处理装置的处理室内生成的等离子体密度。一种等离子体处理装置(1)，其中从同轴波导管(30)供应的微波经由滞波板(25)被导入处理容器(2)内，在处理容器(2)内处理气体被等离子化，从而基板(W)被处理，在该等离子体处理装置(1)中，电介质部件(45)被配置在同轴波导管(30)与滞波板(25)的连结处，电介质部件(45)被配置在同轴波导管(30)的外部导体(32)的内部中以内部导体(31)为中心的圆周方向上的一部分上，并且电介质部件(45)被配置在以内部导体(31)为中心的圆周方向上的任意位置。
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公开(公告)号：CN101548364A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000772.8
申请日：2008-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/461 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H05H1/46 , Y10T428/24273
Abstract: 公开了一种顶板，设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部。
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公开(公告)号：CN103094046A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210575101.2
申请日：2008-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H05H1/46 , C23C16/511
CPC classification number: H01L21/461 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H05H1/46 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置以及等离子体处理装置用的顶板。该顶板设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部，顶板在顶板的面对处理容器内的一面朝向顶板内部形成有多个凹部，凹部具有以等角度间隔沿着一个圆排列的内侧微波传播控制凹部和沿着一个圆排列的外侧微波传播控制凹部，内侧微波传播控制凹部的数量对应于与狭缝的数量相同的数量。根据上述等离子体处理装置以及等离子体处理装置用的顶板，可使处理空间的水平面方向上的等离子体密度均一化。
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公开(公告)号：CN103069551A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180041451.4
申请日：2011-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: G01N21/55 , H01J37/32192 , H01J37/32972 , H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L29/6659 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 不影响平板缝隙天线的电磁波辐射特性的均匀性就能够使用波长区域较宽的非相干监视光来高精度地对处理容器内的被处理基板的表面进行光学监视。该微波等离子体蚀刻装置中的光学监视装置（100）具有：监视头（102），其在比载置在基座（12）上的半导体晶圆（W）的边缘靠径向内侧且比同轴管（66）靠径向外侧的位置配置在冷却套筒板（72）之上；监视用的光波导路（104），其以从该监视头（102）起向铅垂下方纵穿盖板（72）、电介质板（56）、缝隙板（54）以及电介质窗（52）的方式设置；以及监视主体（108），其经由光纤（106）与监视头（102）光学耦合。
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公开(公告)号：CN101606227A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200880004230.8
申请日：2008-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/683 , C23C16/458 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/68742 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/50 , H01J37/3244 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/6875
Abstract: 所公开的载置台构造，是在对基板进行规定处理的可抽真空的处理容器内支撑基板的载置台构造，该载置台构造具有：载置台主体，其载置基板；升降销机构，其构成为将基板降到载置台主体，并从载置台抬起基板；阶梯部，其形成在载置台主体上，使得载置在载置台主体上的基板的背面周缘部暴露于供给到处理容器中的处理气体中。
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