公开(公告)号：CN119585843A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380054380.4

申请日：2023-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西塚哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供了一种调节显影图案形状的技术。本公开中的基板处理方法包括：(a)提供具有底膜和所述底膜上的抗蚀剂膜的基板的工序，所述抗蚀剂膜具有第一区域和第二区域；(b)除去所述第二区域的至少一部分，使所述第一区域的侧面的至少一部分露出的工序；(c)在所述第一区域的至少上面形成沉积膜的工序；和(d)除去所述沉积膜的至少一部分和所述第二区域的至少一个的工序。

公开(公告)号：CN101506951A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031715.1

申请日：2007-08-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西塚哲也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/76802

Abstract: 本发明提供蚀刻方法、蚀刻装置、计算机程序以及记录介质。该蚀刻方法是对形成在被处理体表面上的、介电常数小于SiO2膜的介电常数的蚀刻对象膜实施蚀刻处理的蚀刻方法。该蚀刻方法包括将被处理体(S)载置在可真空排气的处理容器(12)内的载置台(16)上的工序、向上述处理容器(12)内供给规定的蚀刻气体并将该蚀刻气体等离子化的工序、和在存在有等离子化了的蚀刻气体的环境中将规定频率的高频电力作为偏压电力施加给上述载置台(16)的工序。施加上述高频电力作为偏压电力的工序包括施加第1频率的高频电力作为上述偏压电力的第1工序和施加与上述第1频率不同的第2频率的高频电力作为上述偏压电力的第2工序。

公开(公告)号：CN101032002A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580032890.3

申请日：2005-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈立 ,  神原弘光 ,  田才忠 ,  西塚哲也 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: 一种用于处理衬底的等离子体处理系统包括包含第一室部分和第二室部分的处理室，第一室部分被配置为接收用于提供等离子体空间的第一气体，第二室部分被配置为接收用于提供处理空间的第二气体，第二气体具有处理化学剂以处理衬底。衬底夹持器耦合到处理室的第二室部分，并且被配置为支撑紧邻处理空间的衬底，等离子体源耦合到处理室的第一室部分，并且被配置为在等离子体空间中形成等离子体。栅格位于等离子体空间和处理空间之间，并且被配置为允许等离子体空间和处理空间之间的等离子体扩散以基于处理气体形成处理化学剂。

公开(公告)号：CN119816785A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380063356.7

申请日：2023-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西塚哲也 ,  本田昌伸

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供了在显影图案中抑制残渣的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上提供具有底膜和形成在底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜具有被曝光的第一区域和未曝光的第二区域；和(b)向腔室供给处理气体，对基板进行显影，从含金属抗蚀剂膜选择性除去第二区域的工序。(b)的工序包括：(b1)将基板或基板支撑部的温度控制在第一温度而进行显影的工序；和(b2)将基板或基板支撑部的温度控制在与第一温度不同的第二温度而进行显影的工序。

公开(公告)号：CN102403183B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201110287142.7

申请日：2011-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  佐佐木胜 ,  桥本润 ,  吉村正太 ,  小津俊久 ,  西塚哲也

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。

公开(公告)号：CN101548364B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200880000772.8

申请日：2008-08-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  西塚哲也 ,  石桥清隆 ,  野沢俊久

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/461 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46 ,  Y10T428/24273

Abstract: 公开了一种顶板，设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部。

公开(公告)号：CN101506951B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200780031715.1

申请日：2007-08-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西塚哲也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/76802

Abstract: 本发明提供蚀刻方法、蚀刻装置、计算机程序以及记录介质。该蚀刻方法是对形成在被处理体表面上的、介电常数小于SiO2膜的介电常数的蚀刻对象膜实施蚀刻处理的蚀刻方法。该蚀刻方法包括将被处理体(S)载置在可真空排气的处理容器(12)内的载置台(16)上的工序、向上述处理容器(12)内供给规定的蚀刻气体并将该蚀刻气体等离子化的工序、和在存在有等离子化了的蚀刻气体的环境中将规定频率的高频电力作为偏压电力施加给上述载置台(16)的工序。施加上述高频电力作为偏压电力的工序包括施加第1频率的高频电力作为上述偏压电力的第1工序和施加与上述第1频率不同的第2频率的高频电力作为上述偏压电力的第2工序。

公开(公告)号：CN100565816C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200780000157.2

申请日：2007-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西塚哲也

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334

Abstract: 本发明涉及等离子体蚀刻方法，该方法使用处理气体的等离子体实施蚀刻。该蚀刻处理对包括基板(101)、在该基板上形成的基底膜(102、103)、以及在该基底膜上形成的蚀刻对象膜(104)的被处理体(W)实行处理。使用由含氯气体以及含氧气体构成的主蚀刻气体和含氮气体作为处理气体。该蚀刻方法的特征在于，在从等离子体的发光光谱求出的N2+的强度与N2的强度的比N2+/N2为0.6以上的条件下，进行蚀刻。

公开(公告)号：CN117950370A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311390641.8

申请日：2023-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂木弘典 ,  西塚哲也 ,  本田昌伸 ,  小川裕亮

IPC: G05B19/418

Abstract: 本发明提供能够高精度地预测对被处理体执行了工艺处理后的被处理体的状态的信息处理装置和信息处理方法。信息处理装置包括：构成为生成模拟数据的生成部，其中，模拟数据包含被处理体的处理前数据与在预先决定的处理条件下对被处理体执行了工艺处理后的处理后数据的多个组合，该组合包含按多个掩模形状的每一者以多种图案密度执行了工艺处理时的处理前数据和处理后数据；以及导出部，其构成为基于通过将模拟数据所包含的处理前数据输入到形状模拟器而预测的预测数据与跟该处理前数据组合的处理后数据的接近度，来导出形状模拟器的模拟参数。

公开(公告)号：CN101861641B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880116223.7

申请日：2008-10-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  西塚哲也 ,  野沢俊久 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32954 ,  H05H1/46

Abstract: 等离子体处理装置11包括：天线部13，其将微波作为等离子体源，并且生成等离子体以在腔室内形成等离子体的电子温度相对高的第一区域25a和等离子体的电子温度比第一区域25a低的第二区域25b；第一配置单元，其使半导体衬底W位于第一区域25a内；第二配置单元，其使半导体衬底W位于第二区域25b内；以及停止等离子体生成单元，其在使半导体衬底W位于第二区域25b的状态下，使得由等离子体生成单元进行的等离子体的生成停止。