公开(公告)号：CN119563227A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380054367.9

申请日：2023-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中根由太 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供了一种能够改善在基板上形成的含金属抗蚀剂膜的表面粗糙度的技术。基板处理方法包括：提供包含底膜和在底膜上形成图案的含金属抗蚀剂膜的基板的工序(ST1)；在含金属抗蚀剂膜的表面形成含金属膜的工序(ST2)；和将含金属膜的至少一部分和含金属膜的残渣一起除去的工序(ST3)。

公开(公告)号：CN110777361B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201910665735.9

申请日：2019-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  熊仓翔 ,  本田昌伸 ,  木原嘉英

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。

公开(公告)号：CN110010464B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201811565044.3

申请日：2018-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田端雅弘 ,  久松亨 ,  熊仓翔 ,  浅子竜一 ,  石川慎也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: [课题]提供处理基板的方法。[解决方案]一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。

公开(公告)号：CN114156156A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111453386.8

申请日：2017-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田端雅弘 ,  熊仓翔

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种蚀刻装置，其包括：具有气体导入口和排气口的腔室；设置在所述腔室内的基片支承部，该基片支承部包括电极，可对该电极供给高频偏置电力；等离子体产生部；和进行下述的a控制～c控制的控制部，a控制，将包括由氮化硅形成的第一区域和由氧化硅形成的第二区域的基片放置在所述基片支承部上，b控制，供给所述高频偏置电力，从含氢的第一气体产生第一等离子体以对所述第一区域进行改性，c控制，停止所述高频偏置电力的供给，从含氟的第二气体产生第二等离子体以除去改性了的所述第一区域。

公开(公告)号：CN108878285A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810448503.3

申请日：2018-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  田端雅弘

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供一种对具有包含碳化硅的第一区域和与第一区域相接的包含氮化硅的第二区域的被处理体进行蚀刻的蚀刻方法，该蚀刻方法通过反复实施以下流程，将第一区域按每个原子层来除去，从而蚀刻该第一区域，其中，在上述流程中，生成含氮的第一气体的等离子体，在第一区域的露出面的原子层形成包含该等离子体所含的离子的混合层，生成含氟的第二气体的等离子体，通过该等离子体所含的自由基除去混合层。由此，在对包含碳化硅的被处理体的蚀刻中能够适当地提高选择比。

公开(公告)号：CN119816920A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380066539.4

申请日：2023-09-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西冢哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法是基片处理方法，包括：工序（a），提供具有基底膜的基片；工序（b），在基底膜上形成第一膜，其中，第一膜由包含EUV吸收截面积比基底膜高的元素的材料构成；和工序（c），在第一膜上形成第二膜，其中，第二膜是含金属抗蚀剂膜。

公开(公告)号：CN111261514B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201910857745.2

申请日：2019-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  户村幕树 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。

公开(公告)号：CN111627809B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202010101737.8

申请日：2020-02-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  笹川大成

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是将被处理体提供到腔室内的载置台上的步骤，其中，该被处理体包括基片、形成于基片上的蚀刻对象膜和形成于蚀刻对象膜上的具有开口的掩模。步骤b)是沿掩模的膜厚方向在开口的侧壁形成具有不同厚度的膜的步骤。本发明能够修正掩模的形状。

公开(公告)号：CN116837349A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310861258.X

申请日：2019-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  熊仓翔 ,  本田昌伸 ,  木原嘉英

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/503

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。

公开(公告)号：CN114649182A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111529791.3

申请日：2021-12-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  中根由太

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开涉及一种基板处理方法，抑制微粒的产生并且对腔室内迅速地进行预涂。基板处理方法包括：工序(a)，在配置于腔室内的腔室内部件形成预涂膜；以及工序(b)，在工序(a)之后，对1个以上的基板进行处理。工序(a)包括：工序(a1)，不使用等离子体地在所述腔室内部件形成第一膜，或使用在能够抑制所述腔室内部件的溅射的条件下生成的第一等离子体来在所述腔室内部件形成第一膜；以及工序(a2)，使用第二等离子体在所述第一膜的表面形成第二膜。