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公开(公告)号：CN110581050B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201910475932.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供能够提高有选择的处理的控制性能的技术。在一个实施方式中，提供一种在处理容器内进行的被处理体的处理方法，其包括：通过等离子体气相沉积在配置在处理容器内的被处理体的表面有选择地形成第一膜的第一步骤；和在不存在第一膜的区域通过原子层沉积形成第二膜的第二步骤。第二步骤通过反复执行流程形成第二膜，该流程包括：向处理容器内供给前体气体在被处理体的表面形成前体层的第三步骤；在第三步骤之后对处理容器内进行吹扫的第四步骤；在第四步骤之后，在处理容器内通过使前体暴露在改性等离子体中而将前体层变换成第二膜的第五步骤；和在第五步骤之后对处理容器内的空间进行吹扫的第六步骤。该处理方法可由等离子体处理装置执行。
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公开(公告)号：CN113745103A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110533635.8
申请日：2021-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种使利用等离子体的成膜处理的性能稳定的技术。等离子体处理方法包括工序a)、工序b)和工序c)。在工序a)中，将具有凹部的基片提供到处理容器内。在工序b)中，在处理容器内生成等离子体，在凹部上形成膜。在工序c)中，监控在工序b)中生成的等离子体的状态。基于监控到的等离子体的状态，决定工序b)是否要再次执行和再次执行时的处理条件。
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公开(公告)号：CN110581050A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910475932.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供能够提高有选择的处理的控制性能的技术。在一个实施方式中，提供一种在处理容器内进行的被处理体的处理方法，其包括：通过等离子体气相沉积在配置在处理容器内的被处理体的表面有选择地形成第一膜的第一步骤；和在不存在第一膜的区域通过原子层沉积形成第二膜的第二步骤。第二步骤通过反复执行流程形成第二膜，该流程包括：向处理容器内供给前体气体在被处理体的表面形成前体层的第三步骤；在第三步骤之后对处理容器内进行吹扫的第四步骤；在第四步骤之后，在处理容器内通过使前体暴露在改性等离子体中而将前体层变换成第二膜的第五步骤；和在第五步骤之后对处理容器内的空间进行吹扫的第六步骤。该处理方法可由等离子体处理装置执行。
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公开(公告)号：CN119560411A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411711851.7
申请日：2020-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和基片处理装置。等离子体处理装置包括：处理腔室；所述处理腔室内的载置台；气体供给部，其用于向所述处理腔室供给处理气体；第1高频电源，其用于产生等离子体生成用的第1高频电功率；第2高频电源，其用于产生高频偏置电功率；和控制部，所述控制部能够进行控制以使得所述等离子体处理装置执行包括下述步骤的处理：(a)在所述载置台上准备形成有锥形的开口的被处理体的步骤；(b)在所述开口的侧壁形成膜厚沿着所述开口的深度方向变薄的膜的步骤；和(c)使所述开口的下部的开口尺寸扩大的步骤。本发明能够抑制半导体图案的形状异常。
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公开(公告)号：CN111627806A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010106983.2
申请日：2020-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置实现的基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是对被处理体局部地进行蚀刻，形成凹部的步骤。步骤b)是在凹部的侧壁形成沿凹部的深度方向而厚度不同的膜的步骤。步骤b)包括步骤b-1)和步骤b-2)。步骤b-1)是供给第1反应物，使第1反应物吸附到凹部的侧壁的步骤。步骤b-2)是供给第2反应物，使第1反应物与第2反应物反应而形成膜的步骤。本发明能够抑制半导体图案的形状异常。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111627809B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010101737.8
申请日：2020-02-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是将被处理体提供到腔室内的载置台上的步骤，其中，该被处理体包括基片、形成于基片上的蚀刻对象膜和形成于蚀刻对象膜上的具有开口的掩模。步骤b)是沿掩模的膜厚方向在开口的侧壁形成具有不同厚度的膜的步骤。本发明能够修正掩模的形状。
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公开(公告)号：CN117059515A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310471710.1
申请日：2023-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种蚀刻处理装置、系统、方法、分析装置以及分析程序。蚀刻处理装置具有：保存部，其保存在根据执行蚀刻处理的特定的步骤时的效果的差异将执行所述特定的步骤时获取到的各处理条件分类为多个组并针对每个组进行了学习处理的情况下通过各学习处理生成的各组的学习完毕模型；更新部，在使用与特定的组对应的处理条件中包括的设定数据对测试用晶圆执行了所述特定的步骤的情况下的效果不等同于与所述特定的组对应的效果的情况下，所述更新部更新所述特定的组的学习完毕模型；以及搜索部，其使用更新后的所述学习完毕模型来搜索在对测试用晶圆执行了所述特定的步骤的情况下能够得到与所述特定的组对应的效果的设定数据。
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公开(公告)号：CN112838004A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011284490.4
申请日：2020-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本申请涉及蚀刻方法以及蚀刻装置，改善通过蚀刻形成的图案的形状或形状在基板面内的均匀性。蚀刻方法包括：工序a)、工序b)、工序c)、工序d)以及工序e)。工序a)是将具有被蚀刻膜的基板提供至载置台上的工序。工序b)是对被蚀刻膜进行局部蚀刻而形成凹部的工序。工序c)是将载置台的温度设定为第一温度，在凹部的侧壁形成具有第一膜厚分布的第一膜的工序。工序d)是进一步对形成有第一膜的被蚀刻膜进行局部蚀刻的工序。工序e)是将载置台的温度设定为与第一温度不同的第二温度，在凹部的侧壁形成具有与第一膜厚分布不同的第二膜厚分布的第二膜的工序。
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公开(公告)号：CN113270315A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110067048.4
申请日：2021-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。
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公开(公告)号：CN113192831A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110067030.4
申请日：2021-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统，能够相对于掩模的蚀刻提高基片内的区域的蚀刻的选择性，提高在该区域形成的开口的垂直性。例示的实施方式蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有至少部分地由氧化硅形成的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。膜以能够将规定开口的侧壁面的形状修正为垂直的形状的方式形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。
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