公开(公告)号：CN111508831B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202010045816.1

申请日：2020-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西出大亮 ,  久松亨 ,  石川慎也

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种膜的蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法包括在基片上形成含硅层的步骤。基片具有膜和掩模。含硅层由使用含有硅的前体气体的等离子体处理形成。含硅层包括硅、碳和氮。蚀刻方法还包括进行膜的等离子体蚀刻的步骤。从在基片上形成含硅层的步骤的开始时刻到进行膜的等离子体蚀刻的步骤的结束时刻的期间中，基片配置在减压了的环境下。由此，能够在掩模上形成与硅氧化层不同的层来对膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN116897413A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202280015254.3

申请日：2022-02-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野健太 ,  石川慎也 ,  西塚哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065

Abstract: 对包含含锡膜的基板进行适当地蚀刻。在一个示例性实施方式中，提供一种基板处理方法。基板处理方法具备：准备基板的准备工序，所述基板具备含碳膜、设置在含碳膜上的中间膜和设置在中间膜上且具有开口图案的含锡膜；第一蚀刻工序，将含锡膜作为掩模蚀刻中间膜而将开口图案转印在中间膜上；以及第二蚀刻工序，使用由包含氢、卤素或者碳和氧的处理气体生成的等离子体除去含锡膜并且将中间膜作为掩模蚀刻含碳膜。

公开(公告)号：CN111326414A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911249113.4

申请日：2019-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明的课题在于：提供一种能够高精度地控制图案的形状的技术。本发明解决课题的方法在于：基板处理方法包括：提供在表层形成有图案的基板的提供工序；设定基板的温度使得图案的变化达到规定的变化量的设定工序；在基板的表层形成与温度相对应厚度的反应层的形成工序；和向基板供给能量而除去反应层的除去工序。

公开(公告)号：CN113169066B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201980076470.7

申请日：2019-07-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。

公开(公告)号：CN110777361B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201910665735.9

申请日：2019-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  熊仓翔 ,  本田昌伸 ,  木原嘉英

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。

公开(公告)号：CN110010464B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201811565044.3

申请日：2018-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田端雅弘 ,  久松亨 ,  熊仓翔 ,  浅子竜一 ,  石川慎也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: [课题]提供处理基板的方法。[解决方案]一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。

公开(公告)号：CN112599407A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010993709.1

申请日：2020-09-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川慎也 ,  久松亨

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供用于以原子层水平形成有机膜的基片处理方法和等离子体处理装置。在例示的实施方式中，提供基片处理方法。基片处理方法包括：a)将基片提供到腔室内的步骤；和b)在基片的表面形成有机膜的步骤。b)包括两个步骤b1)和b2)。b1)对腔室内供给包含有机化合物的第一气体，在基片形成前体层。b2)对腔室内供给包含改性气体的第二气体，对前体层和第二气体的至少一者供给能量将前体层改性，在基片形成有机膜。

公开(公告)号：CN111508831A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010045816.1

申请日：2020-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西出大亮 ,  久松亨 ,  石川慎也

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种膜的蚀刻方法。一个实施方式的蚀刻方法包括在基片上形成含硅层的步骤。基片具有膜和掩模。含硅层由使用含有硅的前体气体的等离子体处理形成。含硅层包括硅、碳和氮。蚀刻方法还包括进行膜的等离子体蚀刻的步骤。从在基片上形成含硅层的步骤的开始时刻到进行膜的等离子体蚀刻的步骤的结束时刻的期间中，基片配置在减压了的环境下。由此，能够在掩模上形成与硅氧化层不同的层来对膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN111261514B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201910857745.2

申请日：2019-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  户村幕树 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。

公开(公告)号：CN111326414B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN201911249113.4

申请日：2019-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明的课题在于：提供一种能够高精度地控制图案的形状的技术。本发明解决课题的方法在于：基板处理方法包括：提供在表层形成有图案的基板的提供工序；设定基板的温度使得图案的变化达到规定的变化量的设定工序；在基板的表层形成与温度相对应厚度的反应层的形成工序；和向基板供给能量而除去反应层的除去工序。