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公开(公告)号：CN114078683A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110916789.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。在低温环境下使氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜的基底膜露出的蚀刻中，可以维持层叠膜的蚀刻速率，且确保对基底膜的选择比。提供一种蚀刻方法，其为对具有基底膜、前述基底膜上的交替地层叠有第1膜和第2膜的层叠膜、和前述层叠膜上的掩模的基板利用等离子体通过前述掩模而在前述层叠膜中形成凹部的蚀刻方法，所述蚀刻方法具备如下工序：准备前述基板的工序；和，将基板温度维持为15℃以下，利用含有氢、氟和碳的气体的等离子体进行蚀刻，直至前述层叠膜的前述凹部到达前述基底膜的工序。
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公开(公告)号：CN110517953A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910425734.7
申请日：2019-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置，防止在蚀刻形状中产生偶奇差。所述基板处理方法包括以下工序：向在被蚀刻对象膜之上的光致抗蚀剂的图案的侧壁形成的含硅膜之间的凹部埋入有机膜；以及以选择比大致为1：1的条件对所述有机膜和所述含硅膜进行蚀刻或溅射。
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公开(公告)号：CN108511339A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810165922.6
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使有机膜各向异性地堆积于被处理体上所形成的凹部的图案的上部的处理方法和等离子体处理装置。所述处理方法具有：第一工序，向腔室的内部供给包含含碳气体和非活性气体的第一气体；第二工序，施加等离子体生成用的高频电力，由供给来的所述第一气体生成等离子体，使包含有机物的化合物堆积于被处理体上所形成的规定膜的图案上，其中，所述第一气体中的、所述含碳气体相对于所述非活性气体的比率为1％以下。
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公开(公告)号：CN101030538A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710085802.7
申请日：2007-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , C23F4/00 , H05H1/00
Abstract: 本发明的目的在于，在以抗蚀剂作为掩模进行硅蚀刻时，确保蚀刻速率的面内均匀性，同时控制蚀刻形状。在喷头(20)的下面(20b)上设置有多个气体喷出孔(22)，在这些气体喷出孔(22)的周围，朝向相对配置的支撑工作台(2)突出设置有环状凸部(40)。另外，将气体喷出孔(22)集中设置在喷头(20)的下面(20b)的中央附近，使得全部气体喷出孔(22)都在面积比晶片(W)的面积小的区域(S)内。
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公开(公告)号：CN1476057A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03146681.8
申请日：2003-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/321
Abstract: 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108511389B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201810167763.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 提供一种半导体制造方法和等离子体处理装置，目的在于在半导体制造中防止被处理体上的导电层的腐蚀。该半导体制造方法包括：第一工序，将被处理体的导电层之上的绝缘膜蚀刻成掩模的图案，使所述导电层在所形成的所述绝缘膜的凹部露出；以及第二工序，在所述导电层露出的绝缘膜的凹部形成有机膜，其中，所述第二工序包括以下工序：将腔室的内部保持规定的压力，将台冷却至‑20℃以下的极低温，并将被处理体设置在该台上；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体；以及从所供给的所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体将从所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于所述绝缘膜的凹部来形成所述有机膜。
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公开(公告)号：CN113380599A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110189883.5
申请日：2021-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法。[课题]抑制腔室内的部件的消耗、且实现工艺的稳定化。[解决方案]一种等离子体处理方法，其为对基板进行等离子体处理的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括如下工序：在腔室内将含有碳和氢的第1气体等离子体化，从而用具有导电性的膜涂覆腔室内的部件的表面的工序；向腔室内搬入基板的工序；和，在腔室内的部件的表面用具有导电性的膜涂覆了的状态下，在腔室内将第2气体等离子体化，从而对基板进行处理的工序。
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公开(公告)号：CN112585728A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054485.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 提供一种处理方法，包括：埋入工序，在形成有凹部的基底膜埋入有机膜；以及蚀刻工序，在所述埋入工序之后，进行蚀刻直到所述基底膜的顶部的至少一部分暴露为止。
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公开(公告)号：CN102856149A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210216909.1
申请日：2012-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32944 , H01L21/67288
Abstract: 本发明提供能够提高异常放电的判定精度、且降低数据处理的负荷的异常检测装置和异常检测方法。一种异常检测装置，具备：监视部，其监视载置于处理室（C）内的晶片（W）即等离子体处理后的晶片从脱离开始直到打开输送闸阀的动作，将所述动作规定为晶片脱离时的动作；取得部，在被规定的所述晶片脱离时的动作中，取得从定向耦合器输出的行波或反射波中的至少任一种高频信号，所述定向耦合器设置于对所述处理室内施加高频电力的高频电源和匹配器之间或设置于作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极和所述匹配器之间；分析部，其分析取得的所述高频信号的波形图案；和异常判定部，其基于所述高频信号的波形图案的分析结果判定有无异常放电。
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公开(公告)号：CN102473593A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029631.6
申请日：2010-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: A61K8/25 , A61K8/022 , A61K8/21 , A61K8/24 , A61K8/27 , A61Q11/00 , C03C3/062 , C03C3/097 , C03C3/112 , C03C4/0007 , C03C4/0021 , C03C4/0035 , C03C12/00 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01L21/67288
Abstract: 本发明提供一种高精度地对装置中产生的异常进行检测的异常检测系统。对等离子体处理装置(2)所产生的异常进行检测的异常检测系统(100)具备：多个超声波传感器(41)，其检测由异常的产生所引起的AE；分配器(65)，其将超声波传感器(41)的各输出信号分别分配为第一信号和第二信号；触发器(52)，其例如以10kHz对第一信号进行采样，在检测出规定的特征时产生触发信号；触发产生时刻计数器(54)，其接收触发信号并决定触发产生时刻；数据记录器(55)，其例如以1MHz对第二信号进行采样来制作采样数据；以及PC(50)，其通过对采样数据中的与以由触发产生时刻计数器(54)决定的触发产生时刻为基准的固定期间相对应的数据进行波形分析，对等离子体处理装置(2)所产生的异常进行分析。
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