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公开(公告)号：CN111799170A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010221800.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，将被加工物的温度维持为-30℃以上30℃以下，并在令蚀刻所用的一个或多个氟碳气体中的第i氟碳气体的流量为J(i)，该气体的元素组成中氟原子、碳原子各自的个数为M(i)、N(i)，对于i可取的所有的值，对所有的J(i)×N(i)/M(i)求和而得的值为Ua，蚀刻所用的一个或多个含氢气体中的第k含氢气体的流量为J(k)，第k含氢气体的元素组成中氢原子的个数为H(k)，对于k可取的所有的值，对所有的J(k)×H(k)求和而得的值为Ub的情况下，使Ua/Ub满足0.04＜Ua/Ub＜0.22。由此，对包含硅氧化物膜和硅氮化物膜的被加工物，能够通过两种膜共通的条件一次性进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN108346553B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810062455.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够缩短用于除去在腔室主体的内部生成的沉积物的清洁时间。本发明提供一种包括等离子体处理装置的腔室主体的内部的清洁的等离子体处理方法。该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体来对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜在低温下进行蚀刻的主蚀刻；将被加工物从腔室搬出的步骤；和通过在将静电卡盘的温度设定为高温度的状态下生成清洁气体的等离子体，来对腔室主体的内部进行清洁的步骤。
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公开(公告)号：CN108346553A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810062455.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32862 , H01J37/32642 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67092 , H01L21/67098 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/68785 , H01J37/32853
Abstract: 本发明能够缩短用于除去在腔室主体的内部生成的沉积物的清洁时间。本发明提供一种包括等离子体处理装置的腔室主体的内部的清洁的等离子体处理方法。该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体来对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜在低温下进行蚀刻的主蚀刻；将被加工物从腔室搬出的步骤；和通过在将静电卡盘的温度设定为高温度的状态下生成清洁气体的等离子体，来对腔室主体的内部进行清洁的步骤。
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公开(公告)号：CN118335601A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410039090.9
申请日：2024-01-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，提高通过蚀刻对开口进行的形状控制。公开的蚀刻方法包括以下工序：准备具备第一区域和第二区域的基板，第一区域包含第一材料且具有开口，第二区域包含与第一材料不同的第二材料且位于第一区域的下方；以及向基板上供给从处理气体生成的等离子体，来在开口的侧壁形成含碳层以及位于比含碳层靠下方的位置的含金属层，并且经由开口对第二区域进行蚀刻，所述处理气体包含含碳气体、金属卤化物气体以及用于去除卤素的卤素去除气体。
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公开(公告)号：CN111564357B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010396565.1
申请日：2018-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够缩短用于除去在腔室主体的内部生成的沉积物的清洁时间。本发明提供一种等离子体处理装置，其包括进行控制以执行以下步骤的控制部：步骤(a)，将包含蚀刻对象膜的被加工物载置在载置台上；步骤(b)，在用温度调节机构将载置台的温度维持为‑30℃以下的状态下，在腔室内从包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体生成等离子体，来对蚀刻对象膜进行蚀刻；步骤(c)，在步骤(b)之后，将被加工物从腔室搬出；步骤(d)，在步骤(c)之后，在用温度调节机构将载置台的温度维持为0℃以上的状态下，在腔室内从含氧的清洁气体生成等离子体，来对腔室主体的内部进行清洁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115132582A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210267097.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够抑制蚀刻中的凹部的侧壁的形状不良。例示性的实施方式所涉及的基板处理方法是对具备蚀刻对象膜和掩模的基板进行处理的方法，该掩模设置在蚀刻对象膜上并具有开口。该方法包括以下工序：工序(a)，使用第一处理气体来在与开口对应地设置于蚀刻对象膜的凹部的侧壁形成包含氮原子和氢原子的第一层；工序(b)，在工序(a)之后，使用包括含卤气体的第二处理气体来将第一层改性为第二层；以及工序(c)，在工序(b)之后，使用第三处理气体来蚀刻凹部。
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公开(公告)号：CN107039229A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611165711.X
申请日：2016-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
Abstract: 本发明可提供一种蚀刻方法。其目的在于一边对掩模膜的正面开口的形状进行调整一边进行蚀刻。一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，所述含氟气体含有氢氟碳化合物气体，从所述氢氟碳化合物气体生成的自由基的附着系数比从四氟化碳(CF4)生成的自由基的附着系数大。
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公开(公告)号：CN111799170B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202010221800.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，将被加工物的温度维持为‑30℃以上30℃以下，并在令蚀刻所用的一个或多个氟碳气体中的第i氟碳气体的流量为J(i)，该气体的元素组成中氟原子、碳原子各自的个数为M(i)、N(i)，对于i可取的所有的值，对所有的J(i)×N(i)/M(i)求和而得的值为Ua，蚀刻所用的一个或多个含氢气体中的第k含氢气体的流量为J(k)，第k含氢气体的元素组成中氢原子的个数为H(k)，对于k可取的所有的值，对所有的J(k)×H(k)求和而得的值为Ub的情况下，使Ua/Ub满足0.04＜Ua/Ub＜0.22。由此，对包含硅氧化物膜和硅氮化物膜的被加工物，能够通过两种膜共通的条件一次性进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN113936987B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111186066.0
申请日：2017-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供有选择地且高效地蚀刻氧化硅和氮化硅的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置包括控制部，其执行以下步骤，即：在腔室内准备被加工物的步骤；在被加工物的温度被设定为第一温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；在被加工物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤。
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公开(公告)号：CN110164764B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201910116311.7
申请日：2019-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明的技术问题为抑制在由硅氧化物膜和硅氮化物膜交替地层叠而成的多层膜形成的孔或者槽的弯曲。解决方案为：等离子体蚀刻方法包括：第一蚀刻工序，其利用等离子体来蚀刻由硅氧化物膜和硅氮化物膜交替地层叠而成的多层膜；和第二蚀刻工序，其在使蚀刻多层膜而形成的孔或者槽的内侧壁中与硅氮化物膜对应的部分相对于该孔或者该槽的深度方向的倾斜减少的处理条件下，利用等离子体来蚀刻多层膜。
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