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公开(公告)号：CN107039229B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201611165711.X
申请日：2016-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
Abstract: 本发明可提供一种蚀刻方法。其目的在于一边对掩模膜的正面开口的形状进行调整一边进行蚀刻。一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，所述含氟气体含有氢氟碳化合物气体，从所述氢氟碳化合物气体生成的自由基的附着系数比从四氟化碳(CF4)生成的自由基的附着系数大。
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公开(公告)号：CN105742148A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510998480.X
申请日：2015-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及蚀刻处理方法和蚀刻处理装置。[课题]本发明目的在于，抑制深度负载而提高氧化硅膜的蚀刻速率。[解决手段]提供一种蚀刻处理方法，其中，将用于冷却载置台的制冷器的温度控制在-20℃以下，通过由第1高频电源施加的第1高频电力，由气体供给源供给的含氢气体和含氟气体生成等离子体，利用生成的前述等离子体对前述载置台上的基板的氧化硅膜进行蚀刻处理，前述蚀刻处理后的除电处理中，由第2高频电源对前述载置台施加频率低于第1高频电力的频率的第2高频电力。
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公开(公告)号：CN105742148B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201510998480.X
申请日：2015-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及蚀刻处理方法和蚀刻处理装置。[课题]本发明目的在于，抑制深度负载而提高氧化硅膜的蚀刻速率。[解决手段]提供一种蚀刻处理方法，其中，将用于冷却载置台的制冷器的温度控制在‑20℃以下，通过由第1高频电源施加的第1高频电力，由气体供给源供给的含氢气体和含氟气体生成等离子体，利用生成的前述等离子体对前述载置台上的基板的氧化硅膜进行蚀刻处理，前述蚀刻处理后的除电处理中，由第2高频电源对前述载置台施加频率低于第1高频电力的频率的第2高频电力。
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公开(公告)号：CN107039229A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611165711.X
申请日：2016-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
Abstract: 本发明可提供一种蚀刻方法。其目的在于一边对掩模膜的正面开口的形状进行调整一边进行蚀刻。一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，所述含氟气体含有氢氟碳化合物气体，从所述氢氟碳化合物气体生成的自由基的附着系数比从四氟化碳(CF4)生成的自由基的附着系数大。
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