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公开(公告)号：CN111192824A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911117357.7
申请日：2019-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置。该真空处理装置包括：受热部件，其具有接收来自热源的热的受热面；和供致冷剂流通的致冷剂流路，其沿受热面形成于受热部件的内部，致冷剂流路在与配置于受热面侧的第一内壁面交叉的一对第二内壁面具有第一槽部，该第一槽部在相对于致冷剂的行进方向向第一内壁面侧倾斜的方向上延伸。本发明能够提高在载置台的载置面的温度分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN106952798B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201611165712.4
申请日：2016-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高在对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻之际的基板的温度控制性和蚀刻的均匀性的蚀刻方法。一种蚀刻方法，其具有如下工序：第1工序，在该第1工序中，在晶圆的温度是－35℃以下的极低温环境中，从第1高频电源输出第1高频的电力，从第2高频电源输出频率比所述第1高频低的第2高频的电力，从含氢气体以及含氟气体生成等离子体，利用等离子体对层叠氧化硅膜以及氮化硅膜而成的层叠膜和氧化硅膜的单层膜进行蚀刻；第2工序，在该第2工序中，停止所述第2高频电源的输出，反复进行多次所述第1工序和所述第2工序，所述第1工序的时间比所述第2工序的时间短。
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公开(公告)号：CN104599930A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410820278.3
申请日：2011-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/3348
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高RF偏置功能的控制性，针对微细加工的各种要求条件实现等离子体工艺的最优化。该等离子体处理装置中，从第三高频电源(66)对上部电极(46)(或下部电极(12)施加适于电容耦合的等离子体生成的高频(RFH)，并且为了控制从等离子体入射到半导体晶片(W)的离子的能量，从第一和第二高频电源(36)、(38)对基座(12)重叠地施加适于离子引入的2种高频(RFL1(0.8MHz)、(RFL2(13MHz)。根据工艺的规格、条件或处理方案，控制部88控制2个高频(RFL1)、(RFL2)的总功率和功率比。
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公开(公告)号：CN101800161B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010103969.3
申请日：2010-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32697
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。该等离子体蚀刻方法，能够以形状性能良好且高蚀刻率对被蚀刻膜进行蚀刻从而形成高深宽比的孔。当通过等离子体蚀刻在蚀刻对象膜形成孔时，接通等离子体生成用高频电力施加单元，在处理容器内生成等离子体，并且交替反复以下第一条件和第二条件：第一条件，从直流电源对上部电极施加负的直流电压，第二条件，关断等离子体生成用高频电力施加单元使处理容器内的等离子体猝灭，并且从直流电源对上部电极施加负的直流电压，利用第一条件由等离子体中的正离子使蚀刻进行，利用第二条件生成负离子，由所述直流电压将负离子供向上述孔内，由此中和孔内的正电荷。
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公开(公告)号：CN102157372B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110092752.1
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN107039229B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201611165711.X
申请日：2016-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
Abstract: 本发明可提供一种蚀刻方法。其目的在于一边对掩模膜的正面开口的形状进行调整一边进行蚀刻。一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，所述含氟气体含有氢氟碳化合物气体，从所述氢氟碳化合物气体生成的自由基的附着系数比从四氟化碳(CF4)生成的自由基的附着系数大。
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公开(公告)号：CN104599930B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410820278.3
申请日：2011-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/3348
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高RF偏置功能的控制性，针对微细加工的各种要求条件实现等离子体工艺的最优化。该等离子体处理装置中，从第三高频电源(66)对上部电极(46)(或下部电极(12))施加适于电容耦合的等离子体生成的高频(RFH)，并且为了控制从等离子体入射到半导体晶片(W)的离子的能量，从第一和第二高频电源(36)、(38)对基座(12)重叠地施加适于离子引入的2种高频(RFL1(0.8MHz))、(RFL2(13MHz))。根据工艺的规格、条件或处理方案，控制部88控制2个高频(RFL1)、(RFL2)的总功率和功率比。
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公开(公告)号：CN102270577B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110206176.9
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置，在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN102376559A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110249639.X
申请日：2011-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/3348
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高RF偏置功能的控制性，针对微细加工的各种要求条件实现等离子体工艺的最优化。该等离子体处理装置中，从第三高频电源(66)对上部电极(46)(或下部电极(12))施加适于电容耦合的等离子体生成的高频(RFH)，并且为了控制从等离子体入射到半导体晶片(W)的离子的能量，从第一和第二高频电源(36)、(38)对基座(12)重叠地施加适于离子引入的2种高频(RFL1(0.8MHz))、(RFL2(13MHz))。根据工艺的规格、条件或处理方案，控制部88控制2个高频(RFL1)、(RFL2)的总功率和功率比。
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公开(公告)号：CN102263026A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110206125.6
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理方法的特征在于：在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，使用CF4、Ar、N2、CHF3的组合作为所述处理气体。
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