公开(公告)号：CN102157372B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110092752.1

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。

公开(公告)号：CN102270577B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201110206176.9

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置，在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。

公开(公告)号：CN102263026A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110206125.6

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理方法的特征在于：在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，使用CF4、Ar、N2、CHF3的组合作为所述处理气体。

公开(公告)号：CN1973363B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200580020518.0

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。

公开(公告)号：CN102270577A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110206176.9

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置，在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。

公开(公告)号：CN102256432A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110206223.X

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。

公开(公告)号：CN102256431A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110206162.7

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。

公开(公告)号：CN1984523A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200710004236.2

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  日向邦彦 ,  大谷龙二 ,  松本直树 ,  矢野大介 ,  速水利泰 ,  杉本胜 ,  小林典之 ,  吉备和雄 ,  大矢欣伸 ,  山泽阳平 ,  山崎广树 ,  舆水地盐 ,  齐藤昌司 ,  岩田学 ,  花冈秀敏 ,  佐藤学

IPC分类号： H05H1/24 ,  H05H1/02 ,  H01L21/306 ,  C23C16/00 ,  C23F1/00

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。

公开(公告)号：CN102263001B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110206202.8

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。

公开(公告)号：CN102263026B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110206125.6

申请日：2005-06-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理方法的特征在于：在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，使用CF4、Ar、N2、CHF3的组合作为所述处理气体。