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公开(公告)号：CN104701126A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410757112.1
申请日：2014-12-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32715
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置以及聚焦环。其抑制倾斜伴随着聚焦环的消耗进行变动。等离子体处理装置包括：腔室，其用于对被处理体进行等离子体处理；载置台，其设于腔室的内部，并具有用于载置上述被处理体的载置面；以及聚焦环，其以包围被载置于载置面的被处理体的方式设于载置台，自内周侧朝向外周侧依次形成有比载置面低的第1平坦部、比第1平坦部高并且不高于被处理体的被处理面的第2平坦部、以及比被处理体的被处理面高的第3平坦部。
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公开(公告)号：CN102270577B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110206176.9
申请日：2005-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC分类号： H01L21/311 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置，在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN102263026A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110206125.6
申请日：2005-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC分类号： H01L21/311 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理方法的特征在于：在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成该处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，使用CF4、Ar、N2、CHF3的组合作为所述处理气体。
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公开(公告)号：CN1973363B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200580020518.0
申请日：2005-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN102142351A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110045927.3
申请日：2009-07-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32522 , H01J37/32623
摘要： 本发明提供等离子体处理装置的腔室内部件的温度控制方法、腔室内部件和基板载置台、以及具备它的等离子体处理装置。其将等离子体处理中使用的各种部件的温度从等离子体处理开始的阶段控制为最佳温度。其为对被处理基板实行等离子体处理的等离子体处理装置内使用的腔室内部件的温度控制方法，在上述腔室内部件设置多个供电部，通过上述供电部供给电力并加热，并且测定上述腔室内部件的电阻值或者电阻率，基于由上述电阻值或者电阻率推测的上述腔室内部件的温度控制上述电力。
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公开(公告)号：CN101625952B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910139870.6
申请日：2009-07-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32522 , H01J37/32623
摘要： 本发明提供等离子体处理装置的腔室内部件的温度控制方法、腔室内部件和基板载置台、以及具备它的等离子体处理装置。其将等离子体处理中使用的各种部件的温度从等离子体处理开始的阶段控制为最佳温度。其为对被处理基板实行等离子体处理的等离子体处理装置内使用的腔室内部件的温度控制方法，在上述腔室内部件设置多个供电部，通过上述供电部供给电力并加热，并且测定上述腔室内部件的电阻值或者电阻率，基于由上述电阻值或者电阻率推测的上述腔室内部件的温度控制上述电力。
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公开(公告)号：CN101667534A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910176201.6
申请日：2007-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
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公开(公告)号：CN101047113A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091349.0
申请日：2007-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/31 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够使通过电容耦合型的高频放电生成的等离子体密度的空间分布均匀化，并能够对其进行任意控制，提高等离子体的面内均匀性。本发明的等离子体处理装置，下部电极的基座(16)载置被处理基板(W)，通过高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。在基座(16)上方，与其平行的相对配置有上部电极(34)，隔着环状的绝缘体(35)以电浮起的状态安装在腔室(10)上。上部电极(34)的上面与腔室(10)的顶面之间设置有规定的间隔尺寸，其缝隙的一部分或全部形成真空空间(50)。该真空空间(50)的内壁的全部或一部分由片状的绝缘体(52)覆盖。
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公开(公告)号：CN102256432B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110206223.X
申请日：2005-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。
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公开(公告)号：CN102256431B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110206162.7
申请日：2005-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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