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公开(公告)号：CN104701126A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410757112.1
申请日：2014-12-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32715
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置以及聚焦环。其抑制倾斜伴随着聚焦环的消耗进行变动。等离子体处理装置包括：腔室，其用于对被处理体进行等离子体处理；载置台，其设于腔室的内部，并具有用于载置上述被处理体的载置面；以及聚焦环，其以包围被载置于载置面的被处理体的方式设于载置台，自内周侧朝向外周侧依次形成有比载置面低的第1平坦部、比第1平坦部高并且不高于被处理体的被处理面的第2平坦部、以及比被处理体的被处理面高的第3平坦部。
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公开(公告)号：CN106920733B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611175990.8
申请日：2016-12-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供抑制伴随聚焦环的消耗而产生的孔的倾斜度的变动的等离子体处理装置(1)，其包括腔室(10)、载置台(16)、聚焦环(24a)、第1电极板(36)和第2电极板(35)。聚焦环(24a)以包围载置台(16)的载置面的方式设置在载置台的周围。第1电极板设置在载置台的上方。第2电极板以包围第1电极板的方式设置在第1电极板的周围，与第1电极板绝缘。等离子体处理装置在第1步骤中利用在腔室内生成的等离子体对载置于载置台的载置面的半导体晶片(W)实施规定的处理。另外，等离子体处理装置在第2步骤中根据第1步骤的经过时间，使施加在第2电极板的负的直流电压的绝对值增加。
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公开(公告)号：CN106920733A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201611175990.8
申请日：2016-12-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32798 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32165 , H01J37/32568 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32926 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H01J37/32431 , H01J37/32532 , H01J37/32642
摘要： 本发明提供抑制伴随聚焦环的消耗而产生的孔的倾斜度的变动的等离子体处理装置(1)，其包括腔室(10)、载置台(16)、聚焦环(24a)、第1电极板(36)和第2电极板(35)。聚焦环(24a)以包围载置台(16)的载置面的方式设置在载置台的周围。第1电极板设置在载置台的上方。第2电极板以包围第1电极板的方式设置在第1电极板的周围，与第1电极板绝缘。等离子体处理装置在第1步骤中利用在腔室内生成的等离子体对载置于载置台的载置面的半导体晶片(W)实施规定的处理。另外，等离子体处理装置在第2步骤中根据第1步骤的经过时间，使施加在第2电极板的负的直流电压的绝对值增加。
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公开(公告)号：CN106504969A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610766213.4
申请日：2016-08-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： B24B37/32 , B24B37/20 , H01J37/32642
摘要： 本发明的目的在于使聚焦环的吸附特性稳定化。本发明提供一种聚焦环，其在处理容器内配置于载置基板的下部电极的周缘部、与该下部电极的部件接触，上述聚焦环的接触面由含硅材料、氧化铝(Al2O3)和石英中的任一者形成，上述聚焦环的接触面和上述下部电极的部件的接触面中的至少一者为0.1μm以上的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN106206235B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610365275.4
申请日：2016-05-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和聚焦环，其能够抑制伴随聚焦环的消耗的空孔的倾斜度的变动。等离子体处理装置包括腔室、载置台(2)和聚焦环(8)。在腔室中对半导体晶片(W)进行等离子体处理。载置台(2)设置在腔室的内部，具有用于载置半导体晶片(W)的保持面(9a)。聚焦环(8)以包围载置于保持面(9a)的半导体晶片(W)的方式设置在载置台的周围，从内周侧向外周侧去依次形成有比保持面(9a)低的第一平坦部(8a)、比第一平坦部(8a)低的第二平坦部(8b)和比第一平坦部(8a)高的第三平坦部(8c)。
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公开(公告)号：CN106206235A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610365275.4
申请日：2016-05-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01J37/32642 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01J2237/334 , H01L21/67069
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和聚焦环，其能够抑制伴随聚焦环的消耗的空孔的倾斜度的变动。等离子体处理装置包括腔室、载置台(2)和聚焦环(8)。在腔室中对半导体晶片(W)进行等离子体处理。载置台(2)设置在腔室的内部，具有用于载置半导体晶片(W)的保持面(9a)。聚焦环(8)以包围载置于保持面(9a)的半导体晶片(W)的方式设置在载置台的周围，从内周侧向外周侧去依次形成有比保持面(9a)低的第一平坦部(8a)、比第一平坦部(8a)低的第二平坦部(8b)和比第一平坦部(8a)高的第三平坦部(8c)。
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