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公开(公告)号：CN105702572B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201510919395.X
申请日：2015-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种能够抑制前端变细，并且在硅氮化物形成期望的开口径的孔的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括：对等离子体处理装置内供给包括氧和碳氟化合物的处理气体的第一步骤；和将处理气体等离子体化，隔着第一掩膜(106)对被处理体的硅氮化物层(106a)进行蚀刻的第二步骤，第二步骤是通过将被处理体的温度从第一温度T1(80℃)缓慢下降到第二温度T2(40℃)，在使由处理气体生成的有机膜(ad)附着于第一掩膜(106)的开口的内壁的状态下执行的。
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公开(公告)号：CN102201331B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201110080938.5
申请日：2011-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31144 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
Abstract: 提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN101661863B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910175087.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。
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公开(公告)号：CN101047114A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091350.3
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/31 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。
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公开(公告)号：CN102376558B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201110231962.4
申请日：2011-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J2237/3341
Abstract: 本发明提供一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。该蚀刻气体的供给方法使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。该蚀刻气体的供给方法包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102201331A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110080938.5
申请日：2011-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31144 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
Abstract: 提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN100517563C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710091349.0
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/31 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够使通过电容耦合型的高频放电生成的等离子体密度的空间分布均匀化，并能够对其进行任意控制，提高等离子体的面内均匀性。本发明的等离子体处理装置，下部电极的基座(16)载置被处理基板(W)，通过高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。在基座(16)上方，与其平行的相对配置有上部电极(34)，隔着环状的绝缘体(35)以电浮起的状态安装在腔室(10)上。上部电极(34)的上面与腔室(10)的顶面之间设置有规定的间隔尺寸，其缝隙的一部分或全部形成真空空间(50)。该真空空间(50)的内壁的全部或一部分由片状的绝缘体(52)覆盖。
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公开(公告)号：CN103594352A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310632816.1
申请日：2011-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31144 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
Abstract: 提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN102376558A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110231962.4
申请日：2011-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J2237/3341
Abstract: 本发明提供一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。该蚀刻气体的供给方法使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。该蚀刻气体的供给方法包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。
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公开(公告)号：CN101661863A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910175087.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。
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