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    基板处理方法
    1.
    发明授权
    基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN103594352B

    公开(公告)日：2017-01-18

    申请号：CN201310632816.1

    申请日：2011-03-25

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 中川显 ,  冈崎雄介 ,  早川欣延

    IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

    CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

    Abstract: 提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室

    等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法
    2.
    发明公开
    等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN102651336A

    公开(公告)日：2012-08-29

    申请号：CN201210048412.3

    申请日：2012-02-28

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 中川显 ,  大塚雄二

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

    CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144

    Abstract: 提供能够形成高纵横比的接触孔并能够抑制涂层蚀刻工序中的最小间隔的急剧减少的等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法。本发明是在形成于蚀刻停止层上的氧化硅膜上形成孔的等离子体蚀刻方法，其包括：对氧化硅膜进行蚀刻的主蚀刻工序；和在主蚀刻工序之后，在蚀刻停止层至少一部分露出的状态下进行的蚀刻工序，在所述蚀刻停止层至少一部分露出的状态下进行的蚀刻工序包括多次反复交替地进行第一蚀刻工序和第二蚀刻工序的工序，第一蚀刻工序使处理气体为C4F6气体、Ar气体和O2气体的混合气体，第二蚀刻工序使处理气体为C4F8气体、Ar气体和O2气体的混合气体，或者为C3F8气体、Ar气体和O2气体的混合气体。

    蚀刻方法和蚀刻处理装置
    3.
    发明公开
    蚀刻方法和蚀刻处理装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN115148593A

    公开(公告)日：2022-10-04

    申请号：CN202210300316.7

    申请日：2022-03-24

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 中川显 ,  渡边匠 ,  田边明良 ,  松尾瑞稀 ,  岩佐琥伟

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

    Abstract: 本申请提供一种蚀刻方法和蚀刻处理装置。在蚀刻处理时，适当地形成高深宽比的蚀刻形状。一种基板的蚀刻方法，其具备如下工序：(a)向腔室内的基板支承体上供应基板的工序，所述基板包含第一区域和第二区域，所述第一区域具有交替层叠有硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜，所述第二区域具有单层的硅氧化物膜；以及(b)利用由包含氢氟烃气体的第一处理气体生成的等离子体，对前述基板进行蚀刻的工序，前述氢氟烃气体包含第一氢氟烃气体，所述第一氢氟烃气体用CxHyFz(x表示2以上的整数，y和z表示1以上的整数)表示，且具有不饱和键。

    基板处理方法
    5.
    发明公开
    基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN102201331A

    公开(公告)日：2011-09-28

    申请号：CN201110080938.5

    申请日：2011-03-25

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 中川显 ,  冈崎雄介 ,  早川欣延

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311

    CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

    Abstract: 提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。

    等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法
    6.
    发明授权
    等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN102651336B

    公开(公告)日：2014-09-10

    申请号：CN201210048412.3

    申请日：2012-02-28

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 中川显 ,  大塚雄二

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

    CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144

    Abstract: 提供能够形成高纵横比的接触孔并能够抑制涂层蚀刻工序中的最小间隔的急剧减少的等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法。本发明是在形成于蚀刻停止层上的氧化硅膜上形成孔的等离子体蚀刻方法，其包括：对氧化硅膜进行蚀刻的主蚀刻工序；和在主蚀刻工序之后，在蚀刻停止层至少一部分露出的状态下进行的过蚀刻工序，过蚀刻工序包括多次反复交替地进行第一蚀刻工序和第二蚀刻工序的工序，第一蚀刻工序使处理气体为C4F6气体、Ar气体和O2气体的混合气体；第二蚀刻工序使处理气体为C4F8气体、Ar气体和O2气体的混合气体，或者为C3F8气体、Ar气体和O2气体的混合气体。

    基板处理方法
    7.
    发明公开
    基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN103594352A

    公开(公告)日：2014-02-19

    申请号：CN201310632816.1

    申请日：2011-03-25

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 中川显 ,  冈崎雄介 ,  早川欣延

    IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

    CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

    Abstract: 提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。

    蚀刻方法和等离子体处理装置
    8.
    发明公开
    蚀刻方法和等离子体处理装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN117099189A

    公开(公告)日：2023-11-21

    申请号：CN202280026699.1

    申请日：2022-04-11

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 中川显 ,  小松贤次 ,  上村一真 ,  平山司

    IPC: H01L21/3065

    Abstract: 一种使用等离子体处理装置进行的基板的蚀刻方法，包括以下工序：工序(A)，向基板支承体提供具有含硅膜的基板；工序(B)，向所述基板支承体周期性地供给20kW以上且50kW以下、占空比(W)为5％以上且50％以下的偏压RF电力；以及工序(C)，通过从包含碳氟化合物气体和含氧气体的处理气体生成的等离子体对所述含硅膜进行蚀刻。

    等离子体处理方法和等离子体处理装置
    9.
    发明授权
    等离子体处理方法和等离子体处理装置 有权

    公开(公告)号：CN104704612B

    公开(公告)日：2016-11-30

    申请号：CN201380051554.8

    申请日：2013-10-31

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 小川和人 ,  中川显 ,  小西英纪

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

    Abstract: 在对多层膜进行等离子体蚀刻时，在扩大凹部的下端形状的同时抑制基底损失。进行下述步骤：将包含CF类气体和氧气的处理气体导入处理室内进行等离子体蚀刻，由此在多层膜形成直至规定深度的凹部的主蚀刻步骤，其中，该多层膜包括形成在基底硅膜上的相对介电常数不同的第一膜和第二膜交替叠层而成的叠层膜；和之后形成凹部直至基底硅膜露出的过蚀刻步骤，过蚀刻步骤反复进行2次以上的下述过蚀刻：使氧气对CF类气体的流量比相比于主蚀刻增加而进行的第一过蚀刻；使氧气对CF类气体的流量比相比于第一过蚀刻减少而进行的第二过蚀刻。

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