公开(公告)号：CN116504622A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310056057.2

申请日：2023-01-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松尾瑞稀

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H10B41/35 ,  H10B41/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  C09K13/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有良好形状的凹部。蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备基板，基板具有含硅膜以及含硅膜上的掩模，含硅膜包括第一区域和第二区域，在基板的沿与面方向正交的方向延伸的截面中，第一区域与第二区域之间的边界线具有沿相对于面方向倾斜的方向延伸的倾斜部分；工序(b)，在工序(a)之后，利用从第一处理气体生成的第一等离子体对第一区域进行蚀刻来形成凹部；工序(c)，在工序(b)之后，向基板供给从包含钨的第二处理气体生成的第二等离子体；工序(d)，在工序(c)之后，利用从第三处理气体生成的第三等离子体对凹部进行蚀刻。在工序(d)之后，凹部在横截面中横穿倾斜部分。

公开(公告)号：CN116504623A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310063138.5

申请日：2023-01-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松尾瑞稀

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H10B41/35 ,  H10B41/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  C09K13/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有良好形状的凹部。蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备基板，基板具有含硅膜以及含硅膜上的掩模；工序(b)，在工序(a)之后，利用从第一处理气体生成的第一等离子体对含硅膜进行蚀刻来形成凹部；工序(c)，在工序(b)之后，向基板供给从包含钨的第二处理气体生成的第二等离子体；以及工序(d)，在工序(c)之后，利用从第三处理气体生成的第三等离子体对凹部进行蚀刻。

公开(公告)号：CN115148593A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210300316.7

申请日：2022-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中川显 ,  渡边匠 ,  田边明良 ,  松尾瑞稀 ,  岩佐琥伟

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本申请提供一种蚀刻方法和蚀刻处理装置。在蚀刻处理时，适当地形成高深宽比的蚀刻形状。一种基板的蚀刻方法，其具备如下工序：(a)向腔室内的基板支承体上供应基板的工序，所述基板包含第一区域和第二区域，所述第一区域具有交替层叠有硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜，所述第二区域具有单层的硅氧化物膜；以及(b)利用由包含氢氟烃气体的第一处理气体生成的等离子体，对前述基板进行蚀刻的工序，前述氢氟烃气体包含第一氢氟烃气体，所述第一氢氟烃气体用CxHyFz(x表示2以上的整数，y和z表示1以上的整数)表示，且具有不饱和键。