公开(公告)号：CN104599930A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410820278.3

申请日：2011-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大矢欣伸 ,  田边明良 ,  安田吉纪

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/02 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/3348

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高RF偏置功能的控制性，针对微细加工的各种要求条件实现等离子体工艺的最优化。该等离子体处理装置中，从第三高频电源(66)对上部电极(46)(或下部电极(12)施加适于电容耦合的等离子体生成的高频(RFH)，并且为了控制从等离子体入射到半导体晶片(W)的离子的能量，从第一和第二高频电源(36)、(38)对基座(12)重叠地施加适于离子引入的2种高频(RFL1(0.8MHz)、(RFL2(13MHz)。根据工艺的规格、条件或处理方案，控制部88控制2个高频(RFL1)、(RFL2)的总功率和功率比。

公开(公告)号：CN102376559B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201110249639.X

申请日：2011-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大矢欣伸 ,  田边明良 ,  安田吉纪

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/02 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/3348

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高RF偏置功能的控制性，针对微细加工的各种要求条件实现等离子体工艺的最优化。该等离子体处理装置中，从第三高频电源(66)对上部电极(46)(或下部电极(12))施加适于电容耦合的等离子体生成的高频(RFH)，并且为了控制从等离子体入射到半导体晶片(W)的离子的能量，从第一和第二高频电源(36)、(38)对基座(12)重叠地施加适于离子引入的2种高频(RFL1(0.8MHz))、(RFL2(13MHz))。根据工艺的规格、条件或处理方案，控制部88控制2个高频(RFL1)、(RFL2)的总功率和功率比。

公开(公告)号：CN104599930B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410820278.3

申请日：2011-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大矢欣伸 ,  田边明良 ,  安田吉纪

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/02 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/3348

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高RF偏置功能的控制性，针对微细加工的各种要求条件实现等离子体工艺的最优化。该等离子体处理装置中，从第三高频电源(66)对上部电极(46)(或下部电极(12))施加适于电容耦合的等离子体生成的高频(RFH)，并且为了控制从等离子体入射到半导体晶片(W)的离子的能量，从第一和第二高频电源(36)、(38)对基座(12)重叠地施加适于离子引入的2种高频(RFL1(0.8MHz))、(RFL2(13MHz))。根据工艺的规格、条件或处理方案，控制部88控制2个高频(RFL1)、(RFL2)的总功率和功率比。

公开(公告)号：CN102376559A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110249639.X

申请日：2011-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大矢欣伸 ,  田边明良 ,  安田吉纪

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/02 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/3348

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高RF偏置功能的控制性，针对微细加工的各种要求条件实现等离子体工艺的最优化。该等离子体处理装置中，从第三高频电源(66)对上部电极(46)(或下部电极(12))施加适于电容耦合的等离子体生成的高频(RFH)，并且为了控制从等离子体入射到半导体晶片(W)的离子的能量，从第一和第二高频电源(36)、(38)对基座(12)重叠地施加适于离子引入的2种高频(RFL1(0.8MHz))、(RFL2(13MHz))。根据工艺的规格、条件或处理方案，控制部88控制2个高频(RFL1)、(RFL2)的总功率和功率比。

公开(公告)号：CN119731770A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380059747.1

申请日：2023-08-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田边明良 ,  成重和树 ,  平井克典 ,  玉川裕介

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

Abstract: 一种等离子体处理方法，包括以下工序：工序(A)，对导入到处理腔室内的基板进行等离子体处理；工序(B)，计算由于所述工序(A)而沉积于所述基板的反应产物的厚度；工序(C)，基于在所述工序(B)中所计算出的反应产物的厚度，来设定用于去除由于所述工序(A)而沉积于所述处理腔室的内部的反应产物的干式清洁的时间；以及工序(D)，在从所述处理腔室搬出了所述基板的状态下，以在所述工序(C)中所设定的时间来进行所述干式清洁。

公开(公告)号：CN115148593A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210300316.7

申请日：2022-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中川显 ,  渡边匠 ,  田边明良 ,  松尾瑞稀 ,  岩佐琥伟

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本申请提供一种蚀刻方法和蚀刻处理装置。在蚀刻处理时，适当地形成高深宽比的蚀刻形状。一种基板的蚀刻方法，其具备如下工序：(a)向腔室内的基板支承体上供应基板的工序，所述基板包含第一区域和第二区域，所述第一区域具有交替层叠有硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜，所述第二区域具有单层的硅氧化物膜；以及(b)利用由包含氢氟烃气体的第一处理气体生成的等离子体，对前述基板进行蚀刻的工序，前述氢氟烃气体包含第一氢氟烃气体，所述第一氢氟烃气体用CxHyFz(x表示2以上的整数，y和z表示1以上的整数)表示，且具有不饱和键。