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公开(公告)号：CN115148593A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210300316.7
申请日：2022-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本申请提供一种蚀刻方法和蚀刻处理装置。在蚀刻处理时，适当地形成高深宽比的蚀刻形状。一种基板的蚀刻方法，其具备如下工序：(a)向腔室内的基板支承体上供应基板的工序，所述基板包含第一区域和第二区域，所述第一区域具有交替层叠有硅氧化物膜和硅氮化物膜的多层膜，所述第二区域具有单层的硅氧化物膜；以及(b)利用由包含氢氟烃气体的第一处理气体生成的等离子体，对前述基板进行蚀刻的工序，前述氢氟烃气体包含第一氢氟烃气体，所述第一氢氟烃气体用CxHyFz(x表示2以上的整数，y和z表示1以上的整数)表示，且具有不饱和键。
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