公开(公告)号：CN116525393A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310094493.9

申请日：2023-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 玉川裕介

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明提供能够削减工艺的运行成本的蚀刻控制方法和蚀刻控制系统。蚀刻控制方法包括步骤a、步骤b和步骤c。在步骤a中，收集形状数据，形状数据包含在环组件的表面的多个位置测量出的环组件的高度的信息，环组件以包围用于载置基片的载置台上的区域的方式配置。在步骤b中，使用表示预先收集到的形状数据与控制量之间的关系的关系模型，根据步骤a中收集到的形状数据来确定控制量，其中，控制量能够控制环组件的附近的鞘分布，以使得通过等离子体蚀刻而形成于基片的凹部的倾斜的角度成为容许范围内的角度。在步骤c中，通过应用确定出的控制量来控制环组件的附近的鞘分布。

公开(公告)号：CN119731770A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380059747.1

申请日：2023-08-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田边明良 ,  成重和树 ,  平井克典 ,  玉川裕介

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

Abstract: 一种等离子体处理方法，包括以下工序：工序(A)，对导入到处理腔室内的基板进行等离子体处理；工序(B)，计算由于所述工序(A)而沉积于所述基板的反应产物的厚度；工序(C)，基于在所述工序(B)中所计算出的反应产物的厚度，来设定用于去除由于所述工序(A)而沉积于所述处理腔室的内部的反应产物的干式清洁的时间；以及工序(D)，在从所述处理腔室搬出了所述基板的状态下，以在所述工序(C)中所设定的时间来进行所述干式清洁。