公开(公告)号：CN118755476A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410733841.7

申请日：2024-06-07

申请人： 浙江奥首材料科技有限公司

发明人： 侯军 ,  彭仁杰 ,  滕越 ,  邓璐瑶

IPC分类号： C09K13/00 ,  H10K71/00

摘要： 本发明提供一种显示面板bottom‑ITO蚀刻液、其制备方法及应用，所述显示面板bottom‑ITO蚀刻液包括重量配比如下的各组分：两种或两种以上有机羧酸的混合物2‑10份；含氨基的芳烃化合物1‑5份；含羧基的芳烃化合物0.5‑3份；添加剂1‑5份；超纯水30‑50份；添加剂为含有羟基的苯酚类化合物。本发明还公开了显示面板bottom‑ITO蚀刻液的制备方法。本发明显示面板bottom‑ITO蚀刻液能避免SnO2颗粒残留和Ag析出，对于ITO有稳定的刻蚀速率，对于绝缘层与光刻胶均无损伤，可在OLED像素电极制造过程中使用，尤其适用于ITO/Ag/ITO三步刻蚀中的bottom‑ITO层蚀刻。

公开(公告)号：CN118685773A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410334456.5

申请日：2024-03-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄圭荣 ,  姜炳俊 ,  金大铉 ,  金圣玟 ,  朴美贤 ,  吴政玟 ,  咸喆

IPC分类号： C23F1/14 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  C23F1/30 ,  C23F1/20 ,  C23F1/44 ,  H01L21/3213 ,  C09K13/00

摘要： 蚀刻组合物可包括氧化剂、铵盐、水性溶剂和促进剂，所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，所述促进剂包括第一促进剂和第二促进剂，所述第一促进剂和所述第二促进剂彼此不同，并且所述第一促进剂和所述第二促进剂各自包括由下式A表示的基团、由下式B表示的基团和由下式C表示的基团的至少一个，其中Y1、T1、T1a和A1如本说明书中所定义的。可使用该蚀刻组合物进行蚀刻含金属的膜的方法，并且可使用该蚀刻组合物进行制造半导体器件的方法。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118620622A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410651448.3

申请日：2024-05-23

申请人： 环晟光伏(江苏)有限公司

发明人： 李科伟 ,  何秋霞 ,  宋楠 ,  俞超

IPC分类号： C09K13/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

摘要： 本发明提供了一种光诱导氮化硅腐蚀浆料及其制备方法、应用、氮化硅开槽方法，涉及太阳能电池制造的技术领域，该腐蚀浆料包括按质量份数计的以下组分：氮化硅腐蚀剂2‑10份、硅粉20‑70份、金属5‑20份，以及有机溶剂8‑20份；其中，氮化硅腐蚀剂包括以下组分：SiO210％‑20％、Bi2O35％‑25％、ZnO 1％‑10％、PbO 5％‑30％、Al2O31％‑10％，以及TeO23％‑30％；金属包括银、镍和钛中的至少一种。本发明解决了现有的电池片电镀工艺在氮化硅开槽时，精度差、能耗高以及Uoc损失大的技术问题，达到了显著提高氮化硅开槽精度、有效减少Uoc损失以及节能减排的技术效果。

公开(公告)号：CN118580859A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410683562.4

申请日：2024-05-30

申请人： 江苏晶久微电子材料有限公司

发明人： 徐萍 ,  张伟

IPC分类号： C09K13/00 ,  C09K13/06

摘要： 本发明一种用于IGZO导电薄膜的蚀刻液添加剂，包括以下组分：PH调节剂、复合表面活性剂、超纯水。一种用于IGZO导电薄膜的蚀刻液，包括添加剂和基础液，基础液包括草酸和水。一种用于IGZO导电薄膜的蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：将超纯水、PH调节剂、复合表面活性剂搅拌得到添加剂；将添加剂按照一定比例添加至IGZO基础液中，搅拌过滤得到IGZO蚀刻液。本发明的添加剂能够降低液体表面的张力，螯合剂与金属层表面形成一层保护膜，防止导电杂质渗入至IGZO体系中，提升了IGZO‑TFT器件的稳定性。同时本发明的IGZO蚀刻液的制备方法，通过强酸性离子交换树脂降低了IGZO蚀刻液中的杂质金属离子浓度。

公开(公告)号：CN118255779B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410686726.9

申请日：2024-05-30

申请人： 浙江奥首材料科技有限公司

发明人： 侯军 ,  武文东 ,  赵晓莹 ,  高运胜 ,  杨丽慧

IPC分类号： C07D493/04 ,  C07C211/63 ,  C07C209/00 ,  C09K13/00 ,  H01L21/3213

摘要： 本发明涉及一种异山梨醇基强碱性季铵碱，及包含其的多晶硅蚀刻液、其制备方法及应用。所述多晶硅蚀刻液，组分中包含异山梨醇基强碱性季铵碱，非离子表面活性剂和超纯水。本发明蚀刻液在多叠层蚀刻过程可保证多晶硅蚀刻均一性，与此同时在最佳蚀刻条件下，蚀刻液具有良好的使用寿命与稳定性，可在3D闪存芯片领域应用，用于解决以往蚀刻过程中底部多晶硅蚀刻深度与顶部不一致，蚀刻液浓度受温度影响变大问题。

公开(公告)号：CN118388386A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410543548.4

申请日：2024-04-30

申请人： 福州大学

发明人： 葛新 ,  陈佳颖 ,  裘之柯 ,  侯琳熙

IPC分类号： C07D207/267 ,  C07C51/41 ,  C07C55/08 ,  C07C55/14 ,  C09K23/32 ,  C09K13/00

摘要： 本发明公开了一种Gemini型吡咯烷酮表面活性剂及其制备方法和在制备四甲基氢氧化铵硅蚀刻液中的应用，属于表面活性剂和蚀刻液技术领域。Gemini型吡咯烷酮表面活性剂与传统的单体表面活性剂相比，有着反应产率较高和临界胶束浓度较低等特点，将其与四甲基氢氧化铵水溶液复配得到硅蚀刻液，具有表面张力低、润湿能力强、杂质金属离子含量少、有效控制氢气气泡、改善硅片表面粗糙度、蚀刻效果优异的特点，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN115074131B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202210252495.1

申请日：2022-03-11

申请人： 李长荣化学工业股份有限公司

发明人： 黄上臻 ,  谢承寰

IPC分类号： H01L21/336 ,  C09K13/00 ,  H01L29/78 ,  C30B33/10

摘要： 本公开提供一种蚀刻剂的组合物、使用其的半导体装置的形成方法、以及半导体装置，该组合物包括约0.1～13wt％的四级铵盐以及约45～90wt％的极性非质子溶剂。

公开(公告)号：CN118270991A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202310948573.6

申请日：2023-07-28

申请人： 比亚迪股份有限公司

发明人： 袁涛 ,  杨经杰 ,  罗富华 ,  马兰 ,  陈梁

IPC分类号： C03C15/02 ,  C03C15/00 ,  C09K13/00

摘要： 本发明涉及玻璃处理领域，公开了玻璃减薄化抛药液及其制备方法和应用和玻璃化抛减薄的方法。所述药液包括：刻蚀剂、葡萄糖酸盐、添加剂和溶剂；其中，所述添加剂包括偏铝酸盐和硅铝酸盐。采用本发明的药液处理后，玻璃喷砂面轻微异色或无异色；本发明的药液配比简单，性能稳定；既可用于处理喷砂效果玻璃，也可用于处理光面效果玻璃。

公开(公告)号：CN112219266B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201980035634.1

申请日：2019-04-10

申请人： 玛特森技术公司 ,  北京屹唐半导体科技股份有限公司

发明人： 杨晓晅 ,  仲華 ,  吕新亮

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  C09K13/00

摘要： 提供了用于从工件上的膜，比如金属氮化物膜去除材料的方法。一个示例实施涉及用于处理工件的方法。工件可包括膜(例如，金属氮化物膜)。方法可包括生成一种或多种核素(例如，氢自由基、激发的惰性气体分子等)。方法可包括将烷基卤化物与一种或多种核素混合，以生成一种或多种烷基自由基。方法可包括将膜暴露于一种或多种烷基自由基。

公开(公告)号：CN118119734A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280070446.4

申请日：2022-10-17

申请人： 默克专利股份有限公司 ,  沃萨姆材料美国有限责任公司

发明人： R·坎乔利亚 ,  J-S·莱恩 ,  M·E·麦克布里阿提 ,  R·皮尔斯泰因 ,  J·L·麦克威廉姆斯 ,  N·M·吴

IPC分类号： C23F1/12 ,  C09K13/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

摘要： 所公开及要求保护的主题涉及利用一系列新颖不含卤素有机酸的选择性的热原子层蚀刻，其利用氧化剂作为共反应物循环以蚀刻金属。