公开(公告)号：CN112424913B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN201980044843.2

申请日：2019-10-10

申请人： 玛特森技术公司 ,  北京屹唐半导体科技股份有限公司

发明人： 侯力 ,  维贾伊·M·瓦尼亚普拉 ,  孟双 ,  马绍铭 ,  仲華 ,  J·A·萨哈伊

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

摘要： 提供了用于对工件进行硬掩模(例如，掺杂硼的非晶碳硬掩模)去除工艺的装置、系统和方法。在一个示例实施中，方法包括在处理腔室中，将工件支撑在工件支撑件上。方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由工艺气体生成等离子体。等离子体腔室可通过隔栅与处理腔室分开。方法可包括将工件暴露于一种或多种在等离子体中生成的自由基以对工件进行等离子体去胶工艺以从工件至少局部去除硬掩模层。方法可包括在等离子体去胶工艺期间，将工件暴露于作为钝化剂的水蒸气。

公开(公告)号：CN112219260B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN201980035817.3

申请日：2019-05-23

申请人： 玛特森技术公司 ,  北京屹唐半导体科技股份有限公司

发明人： 张祺 ,  吕新亮 ,  仲華 ,  杨晓晅

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

摘要： 提供了用于生成用于处理工件，比如半导体工件的氢自由基的方法、系统和装置。在一个示例实施中，方法可包括通过使用等离子体源在惰性气体中诱导等离子体而在等离子体腔室中由惰性气体生成一种或多种核素；将氢气与一种或多种核素混合，以生成一种或多种氢自由基；和将处理腔室中的工件暴露于一种或多种氢自由基。

公开(公告)号：CN112335017B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201980041275.0

申请日：2019-10-21

申请人： 玛特森技术公司 ,  北京屹唐半导体科技股份有限公司

发明人： 张祺 ,  吕新亮 ,  仲華

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

摘要： 提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例实施中，方法可包括在处理腔室中在工件上进行基于氢自由基的表面处理工艺之前，在处理腔室上进行预处理工艺以在处理腔室的表面上生成氢自由基影响层。如此，可进行预处理工艺以调节处理腔室来增加暴露于工件的氢自由基的均匀性。

公开(公告)号：CN111527583B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201880084092.2

申请日：2018-12-13

申请人： 玛特森技术公司 ,  北京屹唐半导体科技股份有限公司

发明人： 马绍铭 ,  仲華 ,  杨晓晅 ,  D·V·德塞 ,  瑞安·M·帕库尔斯基

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 提供了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。等离子体处理设备包括设置于处理室中的基座。基座用于支撑工件。等离子体处理设备包括在竖直方向上设置于处理室上方的等离子体室。等离子体室包括介电侧壁。等离子体处理设备包括将处理室与等离子体室分开的分离格栅。等离子体处理设备包括邻近介电侧壁的第一等离子体源。第一等离子体源用于在分离格栅上方的等离子体室中产生远程等离子体。等离子体处理设备包括第二等离子体源。第二等离子体源用于在分离格栅下方的处理室中产生直接等离子体。

公开(公告)号：CN116884826A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310861064.X

申请日：2020-01-16

申请人： 玛特森技术公司 ,  北京屹唐半导体科技股份有限公司

发明人： W·曾 ,  C·闫 ,  D·V·德塞 ,  仲華 ,  杨晓晅 ,  P·伦贝西斯 ,  瑞安·M·帕库尔斯基 ,  马丁·L·朱克

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：等离子体腔室；处理腔室；等离子体源；和隔栅，包括多个孔，该隔栅被配置为允许中性自由基从等离子体腔室经由孔流入处理腔室，该隔栅包括：气体输送系统，限定了沿隔栅的圆周方向延伸的通道，气体输送系统包括将通道分成第一通道和第二通道的壁、沿隔栅的径向方向定位在第一通道中偏离圆周中心的入口、以及经由通道与入口处于流体连通的多个出口。气体输送系统被配置成从多个出口将气体注入到中性自由基。壁限定沿圆周方向间隔开的多个开口，以提供第一通道与第二通道之间的流体连通。气体经入口进入第一通道，继而从第一通道经多个开口进入第二通道，然后经多个出口离开第二通道。

公开(公告)号：CN111433895B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201880078060.1

申请日：2018-09-19

申请人： 玛特森技术公司 ,  北京屹唐半导体科技股份有限公司

发明人： 杨晓晅 ,  仲華 ,  吕新亮

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/027

摘要： 提供用于处理具有有机自由基的工件的表面处理工艺。在一个示例性实施中，用于处理具有半导体材料和含碳层(例如，光刻胶)的工件的方法可包括在工件上的表面处理工艺。表面处理工艺可包括在第一腔室(例如，等离子体腔室)中生成一种或多种核素。表面处理工艺可包括将一种或多种烃自由基与核素混合以形成混合物。表面处理工艺可包括在第二腔室(例如，处理腔室)中将含碳层暴露于混合物。

公开(公告)号：CN112219266B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201980035634.1

申请日：2019-04-10

申请人： 玛特森技术公司 ,  北京屹唐半导体科技股份有限公司

发明人： 杨晓晅 ,  仲華 ,  吕新亮

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  C09K13/00

摘要： 提供了用于从工件上的膜，比如金属氮化物膜去除材料的方法。一个示例实施涉及用于处理工件的方法。工件可包括膜(例如，金属氮化物膜)。方法可包括生成一种或多种核素(例如，氢自由基、激发的惰性气体分子等)。方法可包括将烷基卤化物与一种或多种核素混合，以生成一种或多种烷基自由基。方法可包括将膜暴露于一种或多种烷基自由基。

公开(公告)号：CN115910767A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211722978.X

申请日：2020-10-16

申请人： 玛特森技术公司 ,  北京屹唐半导体科技股份有限公司

发明人： 张祺 ,  杨海春 ,  仲華 ,  谢挺 ,  杨晓晅

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供一种用于刻蚀工件上的含钛层的方法。在一个示例中，该方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件包括第一层和第二层。第一层是含钛层。该方法包括将工艺气体引入到处理腔室中。工艺气体包括臭氧气体和含氟气体。该方法包括将工件上的第一层和第二层暴露于工艺气体，以相对于第二层以更大的刻蚀速率至少部分地刻蚀第一层。

公开(公告)号：CN112714944B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202080004273.7

申请日：2020-07-01

申请人： 玛特森技术公司 ,  北京屹唐半导体科技股份有限公司

发明人： 宋采文 ,  C·闫 ,  仲華 ,  杨晓晅 ,  D·V·德塞 ,  P·J·伦贝西斯

IPC分类号： H01L21/033

摘要： 提供了用于加工工件的系统和方法。在一个示例中，方法包括将工件放置在加工室中的工件支撑件上。该方法包括执行间隔件处理工艺，将工件暴露于由第一等离子体中的第一工艺气体产生的物质，以在工件上的间隔件层上执行间隔件处理工艺。第一等离子体可以在加工室中产生。在执行间隔件处理工艺之后，该方法可以包括执行间隔件蚀刻工艺，将工件暴露于由第二等离子体中的第二工艺气体产生的中性自由基，以蚀刻工件上的间隔件层的至少一部分。第二等离子体可以在远离加工室的等离子体室中产生。

公开(公告)号：CN113471070A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110555481.2

申请日：2021-05-21

申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司 ,  玛特森技术公司

发明人： 张祺 ,  杨海春 ,  仲華 ,  杨晓晅

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

摘要： 提供了一种用于加工工件的方法。该工件可包括钌层和铜层。在一个示例实施方式中，用于加工工件的方法可以包括将工件支撑在工件支撑件上。该方法可以包括在该工件上对该钌层的至少一部分进行臭氧蚀刻工艺。该方法还可包括在工件上进行氢自由基处理工艺，以去除该铜层上的氧化物层的至少一部分。