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公开(公告)号：CN112219260B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201980035817.3
申请日：2019-05-23
申请人： 玛特森技术公司 , 北京屹唐半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要： 提供了用于生成用于处理工件，比如半导体工件的氢自由基的方法、系统和装置。在一个示例实施中，方法可包括通过使用等离子体源在惰性气体中诱导等离子体而在等离子体腔室中由惰性气体生成一种或多种核素；将氢气与一种或多种核素混合，以生成一种或多种氢自由基；和将处理腔室中的工件暴露于一种或多种氢自由基。
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公开(公告)号：CN112335017B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201980041275.0
申请日：2019-10-21
申请人： 玛特森技术公司 , 北京屹唐半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32
摘要： 提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例实施中，方法可包括在处理腔室中在工件上进行基于氢自由基的表面处理工艺之前，在处理腔室上进行预处理工艺以在处理腔室的表面上生成氢自由基影响层。如此，可进行预处理工艺以调节处理腔室来增加暴露于工件的氢自由基的均匀性。
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公开(公告)号：CN116130356A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310102290.X
申请日：2020-07-16
申请人： 玛特森技术公司 , 北京屹唐半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/50
摘要： 提供了一种用于对工件进行刻蚀去除工艺的装置，系统和方法。该方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由沉积工艺气体产生等离子体，以在高纵横比结构的某些层上沉积钝化层。该方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由刻蚀工艺气体产生等离子体，以从高纵横比结构中去除某些层。该方法可包括以比高纵横比结构上的二氧化硅层更快的刻蚀速率去除氮化硅层。
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公开(公告)号：CN118471789A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410700959.X
申请日：2019-10-21
申请人： 玛特森技术公司 , 北京屹唐半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例实施中，方法可包括在处理腔室中在工件上进行基于氢自由基的表面处理工艺之前，在处理腔室上进行预处理工艺以在处理腔室的表面上生成氢自由基影响层。如此，可进行预处理工艺以调节处理腔室来增加暴露于工件的氢自由基的均匀性。
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公开(公告)号：CN115039209A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202080095336.4
申请日：2020-12-09
申请人： 玛特森技术公司 , 北京屹唐半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01J37/32 , H01L21/02
摘要： 提供了用于在工件上进行硬掩模(例如掺硼非晶碳硬掩模)去除工艺的装置、系统和方法。在一个实施示例中，方法包括将工件支撑在位于处理腔室中的工件支撑件上。方法能够包括使用等离子体源从等离子体腔室内的工艺气体产生等离子体。工艺气体包括含氟气体。方法能够包括将工件暴露于等离子体中产生的一个或多个自由基，以在工件上执行等离子体剥离工艺，以至少部分地从工件去除硬掩模层。方法能够包括在等离子体剥离工艺期间，将工件暴露于作为钝化剂的一个或多个氢自由基。
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公开(公告)号：CN114902386A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080087727.1
申请日：2020-10-16
申请人： 玛特森技术公司 , 北京屹唐半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/308
摘要： 提供了用于刻蚀工件上的含钛层的系统和方法。在一个示例中，该方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件包括第一层和第二层。第一层是含钛层。该方法包括将工艺气体引入到处理腔室中。工艺气体包括臭氧气体和含氟气体。该方法包括将工件上的第一层和第二层暴露于工艺气体，以相对于第二层以更大的刻蚀速率至少部分地刻蚀第一层。
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公开(公告)号：CN114664656A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210367378.X
申请日：2021-05-21
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司 , 玛特森技术公司
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01J37/32
摘要： 提供了一种用于加工工件的方法，工件包括铜层和钌层，该方法包括：将工件放置在加工腔室中的工件支撑件上，工件已经使用化学机械抛光CMP工艺被加工以至少部分地去除铜层；在钌层上进行臭氧蚀刻工艺，以至少部分地去除钌层，其中，臭氧蚀刻工艺包括将工件暴露于含有臭氧气体的工艺气体；在工件上进行氢自由基处理工艺，以去除存在于铜层上的氧化物层的至少一部分，其中，氢自由基处理工艺包括通过将含氢气体与等离子体源下游的一种或多种激发的惰性气体分子混合产生一个或多个氢自由基；以及，从加工腔室取出工件。
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公开(公告)号：CN113471070B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110555481.2
申请日：2021-05-21
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司 , 玛特森技术公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065 , H01J37/32
摘要： 提供了一种用于加工工件的方法。该工件可包括钌层和铜层。在一个示例实施方式中，用于加工工件的方法可以包括将工件支撑在工件支撑件上。该方法可以包括在该工件上对该钌层的至少一部分进行臭氧蚀刻工艺。该方法还可包括在工件上进行氢自由基处理工艺，以去除该铜层上的氧化物层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN112602180A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202080004346.2
申请日：2020-07-16
申请人： 玛特森技术公司 , 北京屹唐半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01J37/32 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/50
摘要： 提供了一种用于对工件进行刻蚀去除工艺的装置，系统和方法。该方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由沉积工艺气体产生等离子体，以在高纵横比结构的某些层上沉积钝化层。该方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由刻蚀工艺气体产生等离子体，以从高纵横比结构中去除某些层。该方法可包括以比高纵横比结构上的二氧化硅层更快的刻蚀速率去除氮化硅层。
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