本发明提供了一种光诱导氮化硅腐蚀浆料及其制备方法、应用、氮化硅开槽方法，涉及太阳能电池制造的技术领域，该腐蚀浆料包括按质量份数计的以下组分：氮化硅腐蚀剂2‑10份、硅粉20‑70份、金属5‑20份，以及有机溶剂8‑20份；其中，氮化硅腐蚀剂包括以下组分：SiO210％‑20％、Bi2O35％‑25％、ZnO 1％‑10％、PbO 5％‑30％、Al2O31％‑10％，以及TeO23％‑30％；金属包括银、镍和钛中的至少一种。本发明解决了现有的电池片电镀工艺在氮化硅开槽时，精度差、能耗高以及Uoc损失大的技术问题，达到了显著提高氮化硅开槽精度、有效减少Uoc损失以及节能减排的技术效果。