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公开(公告)号：CN118969902A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411027597.9
申请日：2024-07-29
Applicant: 环晟光伏(江苏)有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种栅线应力小的太阳能电池片及其制备方法与应用，属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池片的制备方法包括以下步骤：对经电镀处理后所得的中间电池片进行低温退火处理；其中，低温退火处理的温度为80℃～120℃，低温退火处理的时间为4min～6min，低温退火处理是于保护气氛环境中进行。通过对中间电池片在保护气氛环境中按上述温度和时间进行低温退火处理，能够在有效减小栅线的氧化的同时去除或降低栅线应力，一方面能够避免或减少栅线的断裂，另一方面能够避免栅线与硅基底脱落。由上述方法制备得到的太阳能电池片栅线应力小，进一步可制备得到效率较高的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN118841475A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310457066.2
申请日：2023-04-23
Applicant: 环晟光伏(江苏)有限公司
Abstract: 本申请公开了一种单焊电池片及其制备方法、电池串、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，该制备方法包括：提供电池片，所述电池片包括基片和结合在所述基片至少一表面的导电层；将所述电池片升温至温度T1，保温一段时间t，然后降温至温度T2，得到中间电池片；在所述中间电池片的所述导电层上设置焊带，得到单焊电池片。通过升温和降温过程，使电池片有适应温度T和室温的缓冲期，在升温、保温和降温处理的共同作用下，有利于电池片的水分充分挥发，减小导电层的内应力，避免导电层氧化，提高基片与导电层之间强结合力，进而提高单焊电池片上导电层栅线的焊接拉力；再用焊带进行单焊焊接，为电池片的串联做准备，提高电池的导电性。
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公开(公告)号：CN118345465A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410547689.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 环晟光伏(江苏)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种提升太阳能电池电镀铜栅线高宽比的方法及得到的产品，具体涉及太阳能电池制备技术领域。该提升太阳能电池电镀铜栅线高宽比的方法包括以下步骤：将带有图形化凹槽的硅基底浸入铜电镀液中，然后持续光照，采用周期性正反向脉冲电镀形成铜电极。本发明提供的方法，通过周期性正反向脉冲电流使铜栅线在高度方向优势生长，抑制铜栅线在宽度方向的生长速率，提升铜栅线高宽比，减少铜栅线遮光面积；并且周期性正反向脉冲电流形成的铜镀层具有更细化晶粒结构，均匀的晶界分布，更好的(111)表面织构，从而相比直流电镀具有更低电阻率。
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公开(公告)号：CN117966246A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410140282.9
申请日：2024-01-31
Applicant: 环晟光伏(江苏)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电解退镍液、其制备方法及在制备晶硅太阳能电池中的应用。所述电解退镍液按质量份数计包括以下组分：氧化剂50～150份、缓蚀剂1～5份、缓冲剂10～20份、配位剂5～10份；其中，所述氧化剂包括酸类化合物，所述缓蚀剂包括含氮类化合物。本发明的电解退镍的方法具体包括以下步骤：以接触所述的电解退镍液的硅基底镀镍层作为阳极，以置于所述的电解退镍液中的钛网作为阴极，进行电解退镍，得到退除镀镍层后的硅基底。本发明采用一种环保型电解退镍液及电解退镍的方法，退镍速度快，对硅基底损伤小，可以提升晶硅太阳能电池金属镀层的结合力。
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公开(公告)号：CN117410379A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311394254.1
申请日：2023-10-25
Applicant: 环晟光伏(江苏)有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , B23K26/364
Abstract: 本发明提供了一种提升双面电镀TOPCon电池开压的方法及由其制备得到的电池组件。所述方法包括以下步骤：对双面开槽的TOPCon太阳能电池硅基体先进行热修复处理，再在热修复处理后的硅基体的正面和背面分别进行光注入处理，得到处理后的TOPCon太阳能电池基底。本发明热修复可以大幅增加基底硅整体晶格热运动，在正面和背面两次不同入光面方向进行光注入可以使正面和背面均可吸收到光，从而修复非晶硅与硅片的界面处的缺陷，提升PN结的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115746771A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211332581.X
申请日：2022-10-28
Applicant: 环晟光伏(江苏)有限公司
IPC: C09J167/06 , C09J183/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , H01L31/0216
Abstract: 本申请实施例提供一种掩膜胶及其制备方法、太阳能电池的制作方法。掩膜胶包括基体树脂30～40重量份、固化剂1～2重量份、无机填料10～20重量份和溶剂10～20重量份，其中，所述基体树脂包括丙烯酸改性聚酯树脂。该掩膜胶具有优异的耐酸性能，该掩膜胶可以应用于钝化层的开槽工艺中，首先将该掩膜胶施加于钝化层的预设区域并进行固化，之后将电池基材浸泡于酸性溶液中进行蚀刻，此时，在酸性溶液中的氢离子的催化作用下，掩膜胶进行二次固化，掩膜胶的交联密度进一步提高，由于掩膜胶的质地致密，使得酸性溶液难以渗透进入掩膜胶中，因此该掩膜胶不容易从钝化层上脱落，可以起到较好的掩膜效果。
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公开(公告)号：CN115732585A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202111014774.6
申请日：2021-08-31
Applicant: 环晟光伏(江苏)有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供一种背面多晶硅SE结构的新型Topcon电池及其制备方法，包括：N型晶体硅基体以及在所述N型晶体硅基体正表面依次生长的P+掺杂层、氧化硅钝化层、氧化铝钝化层、SiNx减反射钝化层以及银铝浆；所述N型晶体硅基体背表面依次生长氧化硅遂穿层、多晶硅层、SiNx减反射钝化层以及银浆。本发明的有益效果是通过改变多晶硅层，使多晶硅层包括凸出结构和第一多晶硅层，控制二者的厚度，进而实现光吸收和金属化的效率增益最大化，解决了重掺杂的多晶硅对长波长的光具有很强的寄生吸收现象，增加了多晶硅层钝化选择性的效果，效率提升0.2％以上；同时不损伤隧穿层结构，对浆料的可选择性大大提高，降低了采购的成本，进而降低了生产的成本。
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公开(公告)号：CN115732584A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202111012964.4
申请日：2021-08-31
Applicant: 环晟光伏(江苏)有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0376 , H01L31/068 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法，包括：N型晶体硅基体以及在所述N型晶体硅基体表面依次生长的P+掺杂层、以及掺杂硼的非晶硅层；对所述N型晶体硅基体的正表面做制绒处理，再进行硼扩散处理，形成所述P+掺杂层和硼硅玻璃层；根据金属化部分对所述硼硅玻璃层进行开槽；再沉积一掺有硼的非晶硅层，在掺有硼的非晶硅层上生长一层掩膜；去掉非金属化部分的掩膜，接着去除非金属化部分的掺有硼的非晶硅层；最后去除剩余的掩膜和残留的硼硅玻璃层。本发明的有益效果是降低扩散掺杂的浓度和表面浓度来降低表面复合速率，提升开压、电流，从而提升转换效率。
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公开(公告)号：CN107293613A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710326227.9
申请日：2017-05-10
Applicant: 东方环晟光伏(江苏)有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/02167
Abstract: 本发明公开了一种实现热氧化钝化层电池片制作的方法，其特征在于将已经形成P-N结的硅片放入高温炉中，硅片表面在高温下与氧化剂进行氧化反应生成一层SiO2膜后再进行常规的后续工序。本发明在传统电池工艺增加一道氧化工序，以形成一层致密性较好SiO2氧化层，能够起到一定钝化的效果，降低表面活性，增加表面的清洁程序，避免由于表面层引入杂质而形成复合中心，以此来降低少数载流子的表面复合速度。进而提高电池片开压，提高电池片效率。
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公开(公告)号：CN118983370A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411048671.5
申请日：2024-07-31
Applicant: 环晟光伏(江苏)有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种电池片切割损伤修复液及修复方法和应用。本发明提供的电池片切割损伤修复液是将硅酸化合物溶于氟硅酸水溶液所得。将上述获得的修复液涂抹在电池片切割边缘，然后退火，使附着在电池片切割边缘的硅酸化合物受热分解产生的SiO2薄膜附着在电池片切割边缘形成钝化膜，对电池片切割边缘损伤进行修复，达到提高电池片效率的作用。
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