公开(公告)号：CN102201331A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110080938.5

申请日：2011-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中川显 ,  冈崎雄介 ,  早川欣延

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。

公开(公告)号：CN103594352B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310632816.1

申请日：2011-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中川显 ,  冈崎雄介 ,  早川欣延

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室

公开(公告)号：CN103594352A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310632816.1

申请日：2011-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中川显 ,  冈崎雄介 ,  早川欣延

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。

公开(公告)号：CN102201331B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201110080938.5

申请日：2011-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中川显 ,  冈崎雄介 ,  早川欣延

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。