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公开(公告)号：CN105702572A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510919395.X
申请日：2015-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种能够抑制前端变细，并且在硅氮化物形成期望的开口径的孔的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括：对等离子体处理装置内供给包括氧和碳氟化合物的处理气体的第一步骤；和将处理气体等离子体化，隔着第一掩膜(106)对被处理体的硅氮化物层(106a)进行蚀刻的第二步骤，第二步骤是通过将被处理体的温度从第一温度T1(80℃)缓慢下降到第二温度T2(40℃)，在使由处理气体生成的有机膜(ad)附着于第一掩膜(106)的开口的内壁的状态下执行的。
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公开(公告)号：CN101110361A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710136156.2
申请日：2007-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其在氧化膜上蚀刻微小且具有高深宽比的孔洞时，能够同时获得良好的蚀刻选择性以及形状性。该方法包括：将依次形成有作为蚀刻对象的氧化膜、硬掩模层、图案化光刻胶的基板搬入到处理容器(10)内，载置于所述下部电极的工序；向处理容器(10)内供给含有CxFy、C4F8、稀有气体、O2的处理气体的工序；从第1高频施加装置(48)向上部电极(34)施加高频电力，生成所述处理气体的等离子体的工序；从第2高频施加装置(90)向下部电极(16)施加用于偏压的高频电力的工序；以及从直流电压施加装置(50)向上部电极(34)施加直流电压的工序。
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公开(公告)号：CN105702572B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201510919395.X
申请日：2015-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种能够抑制前端变细，并且在硅氮化物形成期望的开口径的孔的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括：对等离子体处理装置内供给包括氧和碳氟化合物的处理气体的第一步骤；和将处理气体等离子体化，隔着第一掩膜(106)对被处理体的硅氮化物层(106a)进行蚀刻的第二步骤，第二步骤是通过将被处理体的温度从第一温度T1(80℃)缓慢下降到第二温度T2(40℃)，在使由处理气体生成的有机膜(ad)附着于第一掩膜(106)的开口的内壁的状态下执行的。
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公开(公告)号：CN100541734C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710136156.2
申请日：2007-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其在氧化膜上蚀刻微小且具有高深宽比的孔洞时，能够同时获得良好的蚀刻选择性以及形状性。该方法包括：将依次形成有作为蚀刻对象的氧化膜、硬掩模层、图案化光刻胶的基板搬入到处理容器(10)内，载置于所述下部电极的工序；向处理容器(10)内供给含有CxFy、C4F8、稀有气体、O2的处理气体的工序；从第1高频施加装置(48)向上部电极(34)施加高频电力，生成所述处理气体的等离子体的工序；从第2高频施加装置(90)向下部电极(16)施加用于偏压的高频电力的工序；以及从直流电压施加装置(50)向上部电极(34)施加直流电压的工序。
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