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公开(公告)号：CN100521111C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710128153.4
申请日：2007-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，即使规定的蚀刻条件是蚀刻开口性降低的条件，也能够同时获得良好的开口性以及蚀刻性。向处理容器(10)内搬入依次形成有作为蚀刻对象的氧化膜和图案化的光致抗蚀剂膜的半导体晶片(W)，载置于下部电极(16)，接着向处理容器(10)内供给含有CxFy、稀有气体、O2的气体作为处理气体，向上部电极(34)施加用于等离子体生成的高频波，向下部电极(16)施加用于偏置的高频波，生成处理气体的等离子体，蚀刻氧化膜，在晶片温度或图案形状等的蚀刻条件是蚀刻开口性降低的条件的情况下，向上部电极(34)施加规定的直流电压，以获得良好的蚀刻开口性。
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公开(公告)号：CN101110361A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710136156.2
申请日：2007-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其在氧化膜上蚀刻微小且具有高深宽比的孔洞时，能够同时获得良好的蚀刻选择性以及形状性。该方法包括：将依次形成有作为蚀刻对象的氧化膜、硬掩模层、图案化光刻胶的基板搬入到处理容器(10)内，载置于所述下部电极的工序；向处理容器(10)内供给含有CxFy、C4F8、稀有气体、O2的处理气体的工序；从第1高频施加装置(48)向上部电极(34)施加高频电力，生成所述处理气体的等离子体的工序；从第2高频施加装置(90)向下部电极(16)施加用于偏压的高频电力的工序；以及从直流电压施加装置(50)向上部电极(34)施加直流电压的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116686070A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180083034.X
申请日：2021-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，包括下述步骤：a)在等离子体处理腔室内的基板支撑部上，提供具有含硅膜和所述含硅膜上的掩膜的基板；b)对所述等离子体处理腔室内供给处理气体；c)对所述基板支撑部周期性地供给脉冲电压；及d)周期性地供给RF电力，通过所述RF电力自所述处理气体产生等离子体而蚀刻所述含硅膜，所述脉冲电压具有负极性，所述c)中，使供给第一脉冲电压的第一期间与不供给所述具有负极性的脉冲电压或供给绝对值小于所述第一脉冲电压的第二脉冲电压的第二期间反复，所述d)中，使供给第一RF电力的第三期间与不供给所述RF电力或供给比所述第一RF电力小的第二RF电力的第四期间反复，在所述第三期间开始前开始所述第一期间。
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公开(公告)号：CN101106086A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710128153.4
申请日：2007-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，即使规定的蚀刻条件是蚀刻开口性降低的条件，也能够同时获得良好的开口性以及蚀刻性。向处理容器(10)内搬入依次形成有作为蚀刻对象的氧化膜和图案化的光致抗蚀剂膜的半导体晶片(W)，载置于下部电极(16)，接着向处理容器(10)内供给含有CxFy、稀有气体、O2的气体作为处理气体，向上部电极(34)施加用于等离子体生成的高频波，向下部电极(16)施加用于偏置的高频波，生成处理气体的等离子体，蚀刻氧化膜，在晶片温度或图案形状等的蚀刻条件是蚀刻开口性降低的条件的情况下，向上部电极(34)施加规定的直流电压，以获得良好的蚀刻开口性。
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公开(公告)号：CN114446778A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111228868.3
申请日：2021-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，抑制形成于含硅膜的凹部的形状异常，并且使凹部的底部的蚀刻进展。公开的蚀刻方法包括准备具有含硅膜的基板的工序(a)，所述含硅膜包括氧化硅膜。将基板载置在设置于腔室内的基板支承器上。蚀刻方法还包括向腔室内供给处理气体的工序(b)。处理气体包含六氟化钨气体、含碳及氟的气体以及含氧气体。蚀刻方法还包括由处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻的工序(c)。工序(c)包括对基板支承器周期性地施加负的直流电压。
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公开(公告)号：CN114078697A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110887494.X
申请日：2021-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和等离子体处理系统。在表面形成有蚀刻对象层和预先进行了图案形成的掩模层的处理对象体的蚀刻处理中，改善该处理对象体的表面形态学，且抑制该蚀刻处理中的掩模层的消耗。一种蚀刻方法，其为对在表面形成有蚀刻对象层、和形成于比该蚀刻对象层还靠上层、且预先进行了图案形成的掩模层的处理对象体进行蚀刻的方法，所述蚀刻方法包括如下工序：工序(a)，将前述掩模层作为掩模，对前述蚀刻对象层进行蚀刻；工序(b)，用堆积物覆盖前述处理对象体的表面；和，工序(c)，对用前述堆积物覆盖了的前述处理对象体的表面进行蚀刻，使该表面平坦化。
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公开(公告)号：CN100541734C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710136156.2
申请日：2007-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其在氧化膜上蚀刻微小且具有高深宽比的孔洞时，能够同时获得良好的蚀刻选择性以及形状性。该方法包括：将依次形成有作为蚀刻对象的氧化膜、硬掩模层、图案化光刻胶的基板搬入到处理容器(10)内，载置于所述下部电极的工序；向处理容器(10)内供给含有CxFy、C4F8、稀有气体、O2的处理气体的工序；从第1高频施加装置(48)向上部电极(34)施加高频电力，生成所述处理气体的等离子体的工序；从第2高频施加装置(90)向下部电极(16)施加用于偏压的高频电力的工序；以及从直流电压施加装置(50)向上部电极(34)施加直流电压的工序。
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