公开(公告)号：CN1992164A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610156578.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤学 ,  五十岚义树 ,  昆泰光 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在使用含硅的掩膜对被处理基板上的有机膜或非晶态碳膜进行蚀刻时，能够以高蚀刻速率和高蚀刻选择比进行蚀刻。在腔室(10)内支承晶片用的下部电极16上从第一高频电源(88)施加相对高频率的第一高频电，从第二高频电源(90)施加相对低频率的第二高频电，在与下部电极(16)相对配置的上部电极(34)上，从可变直流电源(50)施加直流电压，向腔室(10)内提供不含CF类气体的处理气体，进行等离子体化，使用含有硅的掩膜，对被处理基板上的有机膜或非结晶碳膜进行等离子体蚀刻。

公开(公告)号：CN116686070A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180083034.X

申请日：2021-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木彦一郎 ,  郭世荣 ,  池田武信 ,  昆泰光

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，包括下述步骤：a)在等离子体处理腔室内的基板支撑部上，提供具有含硅膜和所述含硅膜上的掩膜的基板；b)对所述等离子体处理腔室内供给处理气体；c)对所述基板支撑部周期性地供给脉冲电压；及d)周期性地供给RF电力，通过所述RF电力自所述处理气体产生等离子体而蚀刻所述含硅膜，所述脉冲电压具有负极性，所述c)中，使供给第一脉冲电压的第一期间与不供给所述具有负极性的脉冲电压或供给绝对值小于所述第一脉冲电压的第二脉冲电压的第二期间反复，所述d)中，使供给第一RF电力的第三期间与不供给所述RF电力或供给比所述第一RF电力小的第二RF电力的第四期间反复，在所述第三期间开始前开始所述第一期间。

公开(公告)号：CN110021524B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201811579793.1

申请日：2018-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 昆泰光 ,  浅山佳大 ,  热海秀

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种针对掩模选择性地蚀刻膜的方法。在一个实施方式的蚀刻方法中，交替地生成第一处理气体的等离子体和第二处理气体的等离子体。第一处理气体和第二处理气体各自包括含第一碳氟化合物的第一气体、含第二碳氟化合物的第二气体、含氧气体、和含氟气体。第二碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比，大于第一碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比多。当第一气体的流量增加时，第二气体的流量减少。当第二气体的流量增加时，第一气体的流量和含氟气体的流量减少，含氧气体的流量增加。

公开(公告)号：CN101241859A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810008693.3

申请日：2008-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 昆泰光 ,  早川欣延

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法等，该方法当隔着在有机膜的上层形成的由含硅膜构成的掩模对有机膜进行等离子体蚀刻时，能够抑制在有机膜的侧壁部分发生弯曲、下陷情况，能够得到良好的蚀刻形状。将图形化的SiON膜(103)作为掩模，进行有机膜(102)的等离子体蚀刻，形成开口(108)。在该有机膜(102)等离子体蚀刻中，使用由含有含氧(O)气体、稀有气体、碳氟化合物气体(CF系气体)的混合气体构成的处理气体。

公开(公告)号：CN114078697A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110887494.X

申请日：2021-08-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 郭世荣 ,  佐佐木彦一郎 ,  昆泰光

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和等离子体处理系统。在表面形成有蚀刻对象层和预先进行了图案形成的掩模层的处理对象体的蚀刻处理中，改善该处理对象体的表面形态学，且抑制该蚀刻处理中的掩模层的消耗。一种蚀刻方法，其为对在表面形成有蚀刻对象层、和形成于比该蚀刻对象层还靠上层、且预先进行了图案形成的掩模层的处理对象体进行蚀刻的方法，所述蚀刻方法包括如下工序：工序(a)，将前述掩模层作为掩模，对前述蚀刻对象层进行蚀刻；工序(b)，用堆积物覆盖前述处理对象体的表面；和，工序(c)，对用前述堆积物覆盖了的前述处理对象体的表面进行蚀刻，使该表面平坦化。

公开(公告)号：CN110021524A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811579793.1

申请日：2018-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 昆泰光 ,  浅山佳大 ,  热海秀

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种针对掩模选择性地蚀刻膜的方法。在一个实施方式的蚀刻方法中，交替地生成第一处理气体的等离子体和第二处理气体的等离子体。第一处理气体和第二处理气体各自包括含第一碳氟化合物的第一气体、含第二碳氟化合物的第二气体、含氧气体、和含氟气体。第二碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比，大于第一碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比多。当第一气体的流量增加时，第二气体的流量减少。当第二气体的流量增加时，第一气体的流量和含氟气体的流量减少，含氧气体的流量增加。

公开(公告)号：CN1992164B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200610156578.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤学 ,  五十岚义树 ,  昆泰光 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在使用含硅的掩膜对被处理基板上的有机膜或非晶态碳膜进行蚀刻时，能够以高蚀刻速率和高蚀刻选择比进行蚀刻。在腔室(10)内支承晶片用的下部电极16上从第一高频电源(88)施加相对高频率的第一高频电，从第二高频电源(90)施加相对低频率的第二高频电，在与下部电极(16)相对配置的上部电极(34)上，从可变直流电源(50)施加直流电压，向腔室(10)内提供不含CF类气体的处理气体，进行等离子体化，使用含有硅的掩膜，对被处理基板上的有机膜或非结晶碳膜进行等离子体蚀刻。

公开(公告)号：CN118872034A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380026911.9

申请日：2023-03-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 酒屋典之 ,  齐藤翔 ,  昆泰光

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，具备：等离子体处理腔室；基板支承部，其配置于所述等离子体处理腔室内，所述基板支承部具有下部电极；上部电极，其配置于所述基板支承部的上方；RF电源，其构成为向所述上部电极或所述下部电极提供RF信号，所述RF信号在重复期间内的第一副期间的期间具有第一功率水平，在所述重复期间内的第二副期间的期间具有第二功率水平；以及DC电源，其构成为向所述下部电极提供DC信号，所述DC信号在所述第一副期间内的延迟期间的期间具有关闭状态，在所述第一副期间的除所述延迟期间以外的期间具有多个DC脉冲的序列，在所述第二副期间的期间具有关闭状态，所述延迟期间为所述重复期间的2％～7％的范围内。

公开(公告)号：CN118263113A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311801785.8

申请日：2023-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桥本笃毅 ,  齐藤翔 ,  昆泰光

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明的蚀刻方法包括如下工序：(a)准备基板的工序，基板包括第1区域及第1区域下方的第2区域，第1区域包含第1材料并且具有开口，第2区域包含与第1材料不同并且含有硅的第2材料；(b)使用由第1处理气体生成的第1等离子体，在第1区域上形成含金属沉积物的工序，所述第1处理气体含有碳及氢中的至少1个、卤素及金属；及(c)在(b)之后，使用由与第1处理气体不同的第2处理气体生成的第2等离子体，经由开口对第2区域进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN101241859B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200810008693.3

申请日：2008-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 昆泰光 ,  早川欣延

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法等，该方法当隔着在有机膜的上层形成的由含硅膜构成的掩模对有机膜进行等离子体蚀刻时，能够抑制在有机膜的侧壁部分发生弯曲、下陷情况，能够得到良好的蚀刻形状。将图形化的SiON膜(103)作为掩模，进行有机膜(102)的等离子体蚀刻，形成开口(108)。在该有机膜(102)等离子体蚀刻中，使用由含有含氧(O)气体、稀有气体、碳氟化合物气体(CF系气体)的混合气体构成的处理气体。