公开(公告)号：CN110021524B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201811579793.1

申请日：2018-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 昆泰光 ,  浅山佳大 ,  热海秀

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种针对掩模选择性地蚀刻膜的方法。在一个实施方式的蚀刻方法中，交替地生成第一处理气体的等离子体和第二处理气体的等离子体。第一处理气体和第二处理气体各自包括含第一碳氟化合物的第一气体、含第二碳氟化合物的第二气体、含氧气体、和含氟气体。第二碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比，大于第一碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比多。当第一气体的流量增加时，第二气体的流量减少。当第二气体的流量增加时，第一气体的流量和含氟气体的流量减少，含氧气体的流量增加。

公开(公告)号：CN110021524A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811579793.1

申请日：2018-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 昆泰光 ,  浅山佳大 ,  热海秀

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种针对掩模选择性地蚀刻膜的方法。在一个实施方式的蚀刻方法中，交替地生成第一处理气体的等离子体和第二处理气体的等离子体。第一处理气体和第二处理气体各自包括含第一碳氟化合物的第一气体、含第二碳氟化合物的第二气体、含氧气体、和含氟气体。第二碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比，大于第一碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比多。当第一气体的流量增加时，第二气体的流量减少。当第二气体的流量增加时，第一气体的流量和含氟气体的流量减少，含氧气体的流量增加。