公开(公告)号：CN118872034A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380026911.9

申请日：2023-03-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 酒屋典之 ,  齐藤翔 ,  昆泰光

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，具备：等离子体处理腔室；基板支承部，其配置于所述等离子体处理腔室内，所述基板支承部具有下部电极；上部电极，其配置于所述基板支承部的上方；RF电源，其构成为向所述上部电极或所述下部电极提供RF信号，所述RF信号在重复期间内的第一副期间的期间具有第一功率水平，在所述重复期间内的第二副期间的期间具有第二功率水平；以及DC电源，其构成为向所述下部电极提供DC信号，所述DC信号在所述第一副期间内的延迟期间的期间具有关闭状态，在所述第一副期间的除所述延迟期间以外的期间具有多个DC脉冲的序列，在所述第二副期间的期间具有关闭状态，所述延迟期间为所述重复期间的2％～7％的范围内。

公开(公告)号：CN118263113A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311801785.8

申请日：2023-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桥本笃毅 ,  齐藤翔 ,  昆泰光

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明的蚀刻方法包括如下工序：(a)准备基板的工序，基板包括第1区域及第1区域下方的第2区域，第1区域包含第1材料并且具有开口，第2区域包含与第1材料不同并且含有硅的第2材料；(b)使用由第1处理气体生成的第1等离子体，在第1区域上形成含金属沉积物的工序，所述第1处理气体含有碳及氢中的至少1个、卤素及金属；及(c)在(b)之后，使用由与第1处理气体不同的第2处理气体生成的第2等离子体，经由开口对第2区域进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN116631861A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310136971.8

申请日：2023-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桥本笃毅 ,  齐藤翔 ,  昆泰光

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

Abstract: 提供一种等离子体处理方法。该方法具备(a)向腔室内提供具有蚀刻膜以及掩模膜的基板的工序，基板具备蚀刻膜露出的第一区域和掩模膜露出的第二区域；(b)向腔室内供给包含含碳气体的处理气体，由处理气体生成等离子体，蚀刻蚀刻膜并且在掩模膜上形成保护膜的工序；以及(c)向腔室内供给处理气体，由处理气体生成等离子体，进一步蚀刻蚀刻膜并且去除保护膜的至少一部分的工序。(b)的工序包含第一期间以及第二期间，第一期间的含碳气体的流量比第二期间的含碳气体的流量多，(c)的工序包含第三期间以及第四期间，第三期间的含碳气体的流量比第二期间的含碳气体的流量以及第四期间的含碳气体的流量少。还提供一种等离子体处理系统。

公开(公告)号：CN114188218A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111067131.8

申请日：2021-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 江藤隆纪 ,  真壁正嗣 ,  齐藤翔

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种使基底层相对于蚀刻对象膜的选择比提高的蚀刻处理方法。包括:载置工序,其将形成有至少具有含硅绝缘层、基底层以及掩模层的层叠膜的基板载置于处理容器内的载置台上；供给工序,其供给包括碳氟化合物气体或氢氟烃气体的至少一者的处理气体；选择工序,其根据含硅绝缘层的材质和基底层的材质的组合,选择处理容器内的部件中的与载置台之上的基板相对的部件和设于基板的外周的部件的至少一者的表面温度的范围；控制工序,其在被选择工序选择的表面温度的范围内将与基板相对的部件和设于基板的外周的部件的至少一者的表面温度控制为期望的温度；以及蚀刻工序,其在供给有处理气体的处理容器内使等离子体产生而对含硅绝缘层进行蚀刻。