公开(公告)号：CN118263113A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311801785.8

申请日：2023-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桥本笃毅 ,  齐藤翔 ,  昆泰光

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明的蚀刻方法包括如下工序：(a)准备基板的工序，基板包括第1区域及第1区域下方的第2区域，第1区域包含第1材料并且具有开口，第2区域包含与第1材料不同并且含有硅的第2材料；(b)使用由第1处理气体生成的第1等离子体，在第1区域上形成含金属沉积物的工序，所述第1处理气体含有碳及氢中的至少1个、卤素及金属；及(c)在(b)之后，使用由与第1处理气体不同的第2处理气体生成的第2等离子体，经由开口对第2区域进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN116631861A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310136971.8

申请日：2023-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桥本笃毅 ,  齐藤翔 ,  昆泰光

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

Abstract: 提供一种等离子体处理方法。该方法具备(a)向腔室内提供具有蚀刻膜以及掩模膜的基板的工序，基板具备蚀刻膜露出的第一区域和掩模膜露出的第二区域；(b)向腔室内供给包含含碳气体的处理气体，由处理气体生成等离子体，蚀刻蚀刻膜并且在掩模膜上形成保护膜的工序；以及(c)向腔室内供给处理气体，由处理气体生成等离子体，进一步蚀刻蚀刻膜并且去除保护膜的至少一部分的工序。(b)的工序包含第一期间以及第二期间，第一期间的含碳气体的流量比第二期间的含碳气体的流量多，(c)的工序包含第三期间以及第四期间，第三期间的含碳气体的流量比第二期间的含碳气体的流量以及第四期间的含碳气体的流量少。还提供一种等离子体处理系统。