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公开(公告)号：CN102655086B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210053193.8
申请日：2012-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32669 , H01L21/0206 , H01L21/0273 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法和计算机存储介质。本发明提供一种半导体器件的制造方法，其蚀刻基板形成台阶状结构，上述基板具有：多层膜，交替叠层有第一介电常数的第一膜和与第一介电常数不同的第二介电常数的第二膜；和位于多层膜的上层作为蚀刻掩模发挥作用的光致抗蚀剂层，该半导体器件的制造方法，包括：第一工序，以光致抗蚀剂层为掩模，对第一膜进行等离子体蚀刻；第二工序，将光致抗蚀剂层暴露于含氢等离子体；第三工序，修整光致抗蚀剂层；和第四工序：以通过第三工序修整过的光致抗蚀剂层和在第一工序中进行了等离子体蚀刻的第一膜为掩模，蚀刻第二膜，通过反复进行第一工序至第四工序，使多层膜为台阶状结构。
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公开(公告)号：CN104364886A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380030520.0
申请日：2013-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 当对多层膜进行蚀刻时，能够抑制弓形并进行蚀刻。使用包含HBr气体和C4F8气体的处理气体，多次执行等离子体蚀刻，由此，进行从SiN层(350)到叠层膜(340)逐渐形成凹部的蚀刻，此时，在规定的时刻，向处理气体中以规定流量比添加含硼气体，由此，在凹部露出的SiN层的侧壁上形成保护膜(352)并进行叠层膜的蚀刻。
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公开(公告)号：CN101546685B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200910127092.9
申请日：2009-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(VC、VE)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(VC、VE)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。
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公开(公告)号：CN102270577A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110206176.9
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置，在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN102256432A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110206223.X
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102256431A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110206162.7
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述电极施加第三高频电力的第三高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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公开(公告)号：CN1984523A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200710004236.2
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 日向邦彦 , 大谷龙二 , 松本直树 , 矢野大介 , 速水利泰 , 杉本胜 , 小林典之 , 吉备和雄 , 大矢欣伸 , 山泽阳平 , 山崎广树 , 舆水地盐 , 齐藤昌司 , 岩田学 , 花冈秀敏 , 佐藤学
IPC: H05H1/24 , H05H1/02 , H01L21/306 , C23C16/00 , C23F1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。
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公开(公告)号：CN104106127B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380006696.2
申请日：2013-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/042 , H01L21/30655 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置的制造方法，其用于对在基板上交替地层叠相对介电常数不同的第1膜和第2膜而成的多层膜进行蚀刻，在多层膜上形成规定形状的孔等，上述半导体制造装置的制造方法包括：利用包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种的气体和第1流量的CF类气体的气体，将多层膜蚀刻至第1深度的第1工序；在第1工序之后，利用包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种的气体和与第1流量不同的第2流量的CF类气体的气体，将多层膜蚀刻至与上述第1深度不同的第2深度的第2工序；和在第2工序后，实施过蚀刻直至孔等到达多层膜的基底层的第3工序。
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公开(公告)号：CN102256432B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110206223.X
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H05H1/46 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。
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公开(公告)号：CN104106127A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201380006696.2
申请日：2013-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/042 , H01L21/30655 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置的制造方法，其用于对在基板上交替地层叠相对介电常数不同的第1膜和第2膜而成的多层膜进行蚀刻，在多层膜上形成规定形状的孔等，上述半导体制造装置的制造方法包括：利用包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种的气体和第1流量的CF类气体的气体，将多层膜蚀刻至第1深度的第1工序；在第1工序之后，利用包含含溴气体、含氯气体、含碘气体的至少任一种的气体和与第1流量不同的第2流量的CF类气体的气体，将多层膜蚀刻至与上述第1深度不同的第2深度的第2工序；和在第2工序后，实施过蚀刻直至孔等到达多层膜的基底层的第3工序。
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