公开(公告)号：CN112017937B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202010423589.1

申请日：2020-05-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆水地盐 ,  广津信 ,  池田武信 ,  永海幸一 ,  桧森慎司

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。

公开(公告)号：CN112017937A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010423589.1

申请日：2020-05-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆水地盐 ,  广津信 ,  池田武信 ,  永海幸一 ,  桧森慎司

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。

公开(公告)号：CN119153303A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411261834.8

申请日：2020-05-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆水地盐 ,  广津信 ,  池田武信 ,  永海幸一 ,  桧森慎司

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。

公开(公告)号：CN116686070A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180083034.X

申请日：2021-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木彦一郎 ,  郭世荣 ,  池田武信 ,  昆泰光

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，包括下述步骤：a)在等离子体处理腔室内的基板支撑部上，提供具有含硅膜和所述含硅膜上的掩膜的基板；b)对所述等离子体处理腔室内供给处理气体；c)对所述基板支撑部周期性地供给脉冲电压；及d)周期性地供给RF电力，通过所述RF电力自所述处理气体产生等离子体而蚀刻所述含硅膜，所述脉冲电压具有负极性，所述c)中，使供给第一脉冲电压的第一期间与不供给所述具有负极性的脉冲电压或供给绝对值小于所述第一脉冲电压的第二脉冲电压的第二期间反复，所述d)中，使供给第一RF电力的第三期间与不供给所述RF电力或供给比所述第一RF电力小的第二RF电力的第四期间反复，在所述第三期间开始前开始所述第一期间。