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公开(公告)号：CN118919390A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411004399.0
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。本发明能够抑制在载置台与被处理体之间发生放电。等离子体处理装置包括：载置台，其载置作为等离子体处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；直流电源，其交替地产生施加到载置台的正直流电压和负直流电压；测量载置于载置台的被处理体的电压的测量部；计算部，其基于测量出的被处理体的电压，计算将负直流电压施加到载置台的期间的、载置台与被处理体之间的电位差；和电源控制部，其控制直流电源，以使得施加到载置台的负直流电压的值的电位差变化使计算出的电位差减少的变化量。
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公开(公告)号：CN110379700B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910293114.2
申请日：2019-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种生成等离子体的方法，能够快速抑制高频电力的反射。在一个实施方式的方法中，从高频电源经由匹配器向电极供给高频电力，以在腔室中生成等离子体。在供给高频电力的期间，根据反映腔室内的等离子体的产生的一个以上的参数来判定在腔室内是否生成了等离子体。在判定为没有生成等离子体的情况下，调整由高频电源输出的高频电力的频率，以将高频电源的负载侧电的抗设定为零或者使该负载侧的电抗接近零。
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公开(公告)号：CN115705987A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210948653.7
申请日：2022-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和蚀刻方法。等离子体处理装置具有：包括下部电极、静电吸盘和边缘环的基片支承体；使边缘环在纵向移动的驱动装置；上部电极；生成源RF电源；偏置RF电源；与边缘环接触的至少1个导体；经由至少1个导体对边缘环施加负极性的直流电压的直流电源；RF滤波器，其电连接于至少1个导体与直流电源之间，包含至少1个可变无源元件；和控制部，其控制驱动装置和至少1个可变无源元件，来调节等离子体中的离子相对于基片的边缘区域的入射角度。根据本发明，能够在等离子体处理中适当地控制等离子体中的离子相对于基片的边缘区域的入射角度。
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公开(公告)号：CN113571403A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110404343.4
申请日：2021-04-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永海幸一
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器及电源系统。基板支承器具有电极，构成为在腔室内支承基板。电源系统与电极电连接。电源系统构成为在第1期间将第1脉冲作为偏置电压输出至电极，并在第1期间之后的第2期间将第2脉冲作为偏置电压输出至电极。第1脉冲及第2脉冲分别为电压的脉冲。第1脉冲的电压电平与第2脉冲的电压电平不同。
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公开(公告)号：CN113451101A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110659565.0
申请日：2018-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111819664A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017608.6
申请日：2019-07-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种具有能够载置被处理体的第一电极和与所述第一电极相对的第二电极的等离子体处理装置的控制方法，其具有：向所述第一电极供给偏置功率的步骤；和向所述第二电极供给负直流电压的步骤，所述负直流电压周期性地反复取第一电压值的第一状态和取绝对值小于所述第一电压值的第二电压值的第二状态，所述控制方法包括第一控制步骤，在与所述偏置功率的高频周期同步的信号的各周期内的部分期间，或者在所述偏置功率的传输路径上所测量的周期性地变动的参数的各周期内的部分期间施加所述第一状态的所述负直流电压，且与所述第一状态相连续地施加所述第二状态的所述负直流电压。
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公开(公告)号：CN107993915B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201711012891.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的阻抗匹配方法。在一个实施方式中，等离子体处理装置的第一高频电源和第二高频电源分别输出连续波、调制波和双重调制波。在一个实施方式的方法中，对于确定第一高频电源的负载侧的阻抗的第一平均值和确定第二高频电源的负载侧的阻抗的第二平均值，根据从第一高频电源输出的第一高频功率和从第二高频电源输出的第二高频功率，使用两个平均化方法中的任意方法来求得。基于这些第一平均值和第二平均值来进行第一匹配器和第二匹配器的阻抗匹配。由此，能够比较简单地实现等离子体处理装置的第一匹配器和第二匹配器的匹配动作。
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公开(公告)号：CN112103165B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010511382.X
申请日：2020-06-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中，从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。
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公开(公告)号：CN118202447A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280073531.6
申请日：2022-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 本发明的对基片进行处理的基片处理装置包括受电部，上述受电部包含从位于上述基片处理装置的外部的输电用线圈以非接触的方式被传输电功率的受电用线圈，上述基片处理装置构成为能够对利用来自上述受电部的电功率的单元和部件中的至少一者供给电功率。
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公开(公告)号：CN115410891A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210570827.0
申请日：2022-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 所公开的等离子体处理装置具备腔室、静电卡盘、第1供电线、及第2供电线。静电卡盘包括在其上搭载基板的第1区域及在其上搭载边缘环的第2区域。第1区域包括第1电极。第2区域包括第2电极。第1供电线将产生施加到第1电极的电压的脉冲的偏置电源和第1电极彼此连接。第2供电线将产生施加到第2电极的电压的脉冲的偏置电源和第2电极彼此连接。第2供电线包括一个以上的插座及一个以上的供电引脚。一个以上的供电引脚在径向上具有挠性，并嵌入于一个以上的插座内。
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