公开(公告)号：CN118202448A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073538.8

申请日：2022-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川真矢 ,  田面木真也 ,  松本直树 ,  三原直辉 ,  藤原直树 ,  永海幸一 ,  永岛望 ,  远藤宏纪

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明的基片处理装置包括蓄电部、以及至少一个利用电功率的单元或部件，构成为能够蓄积在该蓄电部中的电荷作为电功率供给到该单元或部件。

公开(公告)号：CN114121589A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110967503.6

申请日：2021-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤原直树 ,  大秦充敬 ,  竹内贵广

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供使用3个电功率脉冲信号来提高处理性能的等离子体处理装置和等离子体处理方法，包括：生成至少3个功率水平的生成源RF脉冲信号的生成源RF生成部；第1及第2偏置RF生成部，其生成频率比生成源RF脉冲信号低的至少2个功率水平的第1及第2偏置RF脉冲信号；生成使生成源RF生成部、第1及第2偏置RF生成部同步的同步信号的同步信号生成部；第1匹配电路，其与生成源RF生成部和天线连接，使生成源RF脉冲信号从生成源RF生成部经由第1匹配电路被供给到天线；第2匹配电路，其与第1及第2偏置RF生成部和基片支承部连接，使第1及第2偏置RF脉冲信号从第1及第2偏置RF生成部经由第2匹配电路被供给到基片支承部。

公开(公告)号：CN113889392A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110710451.4

申请日：2021-06-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤武尚 ,  梅泽义弘 ,  藤原直树

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备的天线由导电性的材料形为线状，且隔着电介质窗设置于腔室的上方。天线通过向腔室内辐射RF电力来在腔室内生成等离子体。构成天线的线路的两端开放，从电力供给部向线路的中点附近供电，该天线在线路的中点附近被接地，该天线以从电力供给部供给的RF波电力的1/2波长进行谐振。天线的第一部分与电介质窗的下表面之间的距离、以及天线的第二部分与电介质窗的下表面的距离比天线的中间部分与电介质窗的下表面之间的距离长，第一部分是天线的从的第一端部起的第一距离的范围的部分，第二部分是天线的从第二端部起的第二距离的范围的部分，中间部分是天线的第一部分与第二部分之间的部分。

公开(公告)号：CN118202447A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073531.6

申请日：2022-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  田面木真也 ,  永海幸一 ,  石川真矢 ,  藤原直树 ,  三原直辉

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的对基片进行处理的基片处理装置包括受电部，上述受电部包含从位于上述基片处理装置的外部的输电用线圈以非接触的方式被传输电功率的受电用线圈，上述基片处理装置构成为能够对利用来自上述受电部的电功率的单元和部件中的至少一者供给电功率。

公开(公告)号：CN114975058A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210121035.5

申请日：2022-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤武尚 ,  山泽阳平 ,  中岛俊希 ,  仓科大辅 ,  藤原直树

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种电感耦合等离子体激发用天线、电感耦合等离子体激发用天线组件和等离子体处理装置。该电感耦合等离子体激发用天线包括：多个线圈单元；和导电性板，其与所述多个线圈单元连接，具有中央开口部和至少一个板端子。根据本发明，在使用电感耦合等离子体激发用天线激发等离子体时，提高该天线的磁场生成效率，并且提高磁场强度的周向均匀性。

公开(公告)号：CN117616545A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048384.7

申请日：2022-07-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山泽阳平 ,  藤原直树

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H03H7/075 ,  H03H7/01 ,  H01L21/31 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明的滤波电路包括第一滤波部和第二滤波部。第一滤波部设置在设置于等离子体处理装置内的导电部件与电功率供给部之间的配线。电功率供给部将控制电功率供给到导电部件，控制电功率是比第二频率低的第三频率的电功率或直流的电功率。第二滤波部设置于第一滤波部与电功率供给部之间的配线。第一滤波部具有与导电部件与第二滤波部之间的配线串联连接且不具有芯材的第一线圈。第二滤波部具有与第一线圈与电功率供给部之间的配线串联连接且具有芯材的第二线圈。第二线圈的导线配置于至少一个芯材的与内侧筒侧的面相反一侧的面，至少一个芯材以包围中空的内侧筒的外侧面的方式环状地配置于内侧筒的周围。

公开(公告)号：CN114388326A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111143115.2

申请日：2021-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山泽阳平 ,  齐藤武尚 ,  藤原直树 ,  藤原香 ,  仓科大辅 ,  保坂勇贵

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和天线组件。使进行等离子体处理时的电场强度降低，并且使对基板而言的等离子体分布的均匀性提高。等离子体处理装置具有：主线圈，其设于等离子体处理腔室的上部或上方；和副线圈组件，其设于主线圈的径向内侧或径向外侧。副线圈组件包含第1螺旋状线圈和第2螺旋状线圈。第1螺旋状线圈的各匝部和第2螺旋状线圈的各匝部在铅垂方向上交替地配置。第1螺旋状线圈的第1上侧端子借助一个以上的电容器连接于接地电位，第1螺旋状线圈的第1下侧端子连接于接地电位。第2螺旋状线圈的第2上侧端子借助一个以上的电容器或一个以上的其他的电容器连接于接地电位，第2螺旋状线圈的第2下侧端子连接于接地电位。