公开(公告)号：CN118202448A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073538.8

申请日：2022-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川真矢 ,  田面木真也 ,  松本直树 ,  三原直辉 ,  藤原直树 ,  永海幸一 ,  永岛望 ,  远藤宏纪

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明的基片处理装置包括蓄电部、以及至少一个利用电功率的单元或部件，构成为能够蓄积在该蓄电部中的电荷作为电功率供给到该单元或部件。

公开(公告)号：CN118202447A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073531.6

申请日：2022-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  田面木真也 ,  永海幸一 ,  石川真矢 ,  藤原直树 ,  三原直辉

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的对基片进行处理的基片处理装置包括受电部，上述受电部包含从位于上述基片处理装置的外部的输电用线圈以非接触的方式被传输电功率的受电用线圈，上述基片处理装置构成为能够对利用来自上述受电部的电功率的单元和部件中的至少一者供给电功率。

公开(公告)号：CN117957642A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202280060422.0

申请日：2022-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  小林宪 ,  田面木真也

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置，其包括：第一电源，其构成为能够将第一电信号供给到天线，第一电信号包含具有第一RF频率的第一RF信号；第二电源，其构成为能够将第二电信号供给到至少一个电极，第二电信号包含具有第二RF频率的第二RF信号；第三电源，其构成为能够将第三电信号供给到至少一个电极，第三电信号包含具有比第一RF频率和第二RF频率低的第三RF频率的第三RF信号或DC信号；和控制部，其构成为能够控制第一电源、第二电源和第三电源，以选择性地执行第一等离子体处理模式、第二等离子体处理模式和第三等离子体处理模式。第一等离子体处理模式不将第三电信号供给到至少一个电极，而将第一电信号供给到天线并且将第二电信号供给到至少一个电极。第二等离子体处理模式不将第二电信号供给到至少一个电极，而将第一电信号供给到天线并且将第三电信号供给到至少一个电极。第三等离子体处理模式不将第一电信号供给到天线，而将第二电信号和第三电信号供给到至少一个电极。

公开(公告)号：CN119744437A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202380061306.5

申请日：2023-08-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山田和人 ,  田面木真也

IPC: H01L21/3065 ,  G05D23/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 基座配置在等离子体处理腔室内。静电卡盘配置在基座的上部。第一加热器电极层配置在静电卡盘内。第二加热器电极层配置在静电卡盘内的在俯视时与第一加热器电极层不同的位置。第一温度传感器测量第一加热器电极层的温度。第二温度传感器测量第二加热器电极层的温度。信号线与第一温度传感器和第二温度传感器电连接。GND线与第一温度传感器和第二温度传感器电连接。信号检测部与信号线和GND线电连接。