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公开(公告)号：CN102683148B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210039725.2
申请日：2012-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/32422 , H01J37/32568 , H01J37/32623
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置与以往相比能够更细致地控制等离子体。该等离子体处理装置包括：第一接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露于处理空间的方式配置在处理腔室内，用于形成接地电位；第二接地构件，其与第一接地构件相对地设置在形成于处理腔室下部的排气空间内，由导电性材料形成，整体形状形成为环状，至少一部分暴露于排气空间，用于形成接地电位；接地棒，其在第一接地构件与第二接地构件之间上下运动，与第一接地构件及第二接地构件中的任一个接触，能够调整第一接地构件及第二接地构件的接地状态。
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公开(公告)号：CN107078049B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201580049735.6
申请日：2015-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/683 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 在一实施方式的等离子体处理装置中，气体供给系统向处理容器内供给气体。等离子体源使由气体供给系统供给的气体激励。支承构造体在处理容器内保持被处理体。支承构造体构成为，将被处理体支承成可旋转且可倾斜。该等离子体处理装置还具备偏压电力供给部，该偏压电力供给部将脉冲调制后的直流电压作为用于离子吸引的偏压施加于支承构造体。
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公开(公告)号：CN106716662B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201580049774.6
申请日：2015-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L43/12 , H01L21/3065 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 一实施方式的方法包括如下工序：(a)利用在处理容器内产生的等离子体，对上部磁性层进行蚀刻的工序，使上部磁性层的蚀刻在绝缘层的表面结束；(b)利用在处理容器内产生的等离子体，将由于上部磁性层的蚀刻而在掩模以及上部磁性层的表面形成的堆积物去除的工序；(c)利用在处理容器内产生的等离子体，对绝缘层进行蚀刻的工序。在将堆积物去除的工序中，使保持着被处理体的支承构造体倾斜且旋转，将脉冲调制后的直流电压作为用于离子吸引的偏压施加于支承构造体。
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公开(公告)号：CN109075064B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201780024736.4
申请日：2017-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 等离子体处理装置具备：支承构造体，其支承被加工物；以及第1驱动装置，其构成为，使支承构造体绕沿着与铅垂方向正交的方向延伸的第1轴线旋转。支承构造体具有：保持部，其包括静电卡盘；以及容器，其设置到保持部的下侧。容器具有：筒状的容器主体；底盖，其封堵容器主体的下侧开口，构成为能够相对于容器主体拆卸。保养方法包括如下工序：使支承构造体绕第1轴线旋转、以使底盖相对于静电卡盘位于上方的工序；将底盖从容器主体拆卸的工序；以及对设置到容器主体内的零部件进行保养的工序。
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公开(公告)号：CN106716662A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580049774.6
申请日：2015-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L43/12 , H01L21/3065 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 一实施方式的方法包括如下工序：(a)利用在处理容器内产生的等离子体，对上部磁性层进行蚀刻的工序，使上部磁性层的蚀刻在绝缘层的表面结束；(b)利用在处理容器内产生的等离子体，将由于上部磁性层的蚀刻而在掩模以及上部磁性层的表面形成的堆积物去除的工序；(c)利用在处理容器内产生的等离子体，对绝缘层进行蚀刻的工序。在将堆积物去除的工序中，使保持着被处理体的支承构造体倾斜且旋转，将脉冲调制后的直流电压作为用于离子吸引的偏压施加于支承构造体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113675065A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110495002.2
申请日：2021-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括等离子体处理腔室、基片支承部、生成源RF产生部和偏置RF产生部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。生成源RF产生部构成为能够产生生成源RF信号。生成源RF信号包含多个生成源周期，各生成源周期包含生成源接通状态和生成源关断状态。生成源接通状态具有至少两个生成源功率级。偏置RF产生部耦合于基片支承部，构成为能够产生偏置RF信号。偏置RF信号包含分别与多个生成源周期对应的多个偏置周期，各偏置周期包含偏置接通状态和偏置关断状态。偏置接通状态具有至少两个偏置功率级。根据本发明，能够提高等离子体蚀刻的处理性能。
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公开(公告)号：CN113675064A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110489743.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，抑制因蚀刻产生的形状异常，提高等离子体蚀刻的处理性能。等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、源RF生成部和偏置DC生成部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内，包括下部电极。源RF生成部生成用于在等离子体处理腔室内产生等离子体的、交替包含高状态和低状态的源RF信号。偏置DC生成部与下部电极连接，生成交替地包含接通状态和关断状态的偏置DC信号，接通状态的时段和关断状态的时段分别对应于源RF信号的高状态时段和低状态时段，各接通状态包含多个循环，各循环包含具有第一电压电平的第一脉冲的第一序列和具有与第一电压电平不同的第二电压电平的第二脉冲的第二序列。
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公开(公告)号：CN109075064A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024736.4
申请日：2017-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 等离子体处理装置具备：支承构造体，其支承被加工物；以及第1驱动装置，其构成为，使支承构造体绕沿着与铅垂方向正交的方向延伸的第1轴线旋转。支承构造体具有：保持部，其包括静电卡盘；以及容器，其设置到保持部的下侧。容器具有：筒状的容器主体；底盖，其封堵容器主体的下侧开口，构成为能够相对于容器主体拆卸。保养方法包括如下工序：使支承构造体绕第1轴线旋转、以使底盖相对于静电卡盘位于上方的工序；将底盖从容器主体拆卸的工序；以及对设置到容器主体内的零部件进行保养的工序。
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公开(公告)号：CN109075063A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024567.4
申请日：2017-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 等离子体处理装置具备：腔室主体，其提供腔室；支承构造体，其在腔室主体内支承被加工物；以及第1驱动装置，其构成为，使支承构造体在腔室主体内绕沿着与铅垂方向正交的方向延伸的第1轴线旋转。支承构造体具有：保持部，其包括保持被加工物的静电卡盘，设置成能够绕与第1轴线正交的第2轴线旋转；容器，其设置到保持部的下侧；以及第2驱动装置，其构成为，使保持部绕第2轴线旋转。容器具有筒状的容器主体和使容器主体的下侧开口封闭的底盖。底盖能够从容器主体拆卸。
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公开(公告)号：CN115116814A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210222843.0
申请日：2022-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。本发明的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基片支承部；环状挡板，其以包围基片支承部的方式配置，且具有多个开口；第一环状板，其配置在环状挡板的下方；第二环状板，其配置在第一环状板的下方，具有环状重叠部分，环状重叠部分与第一环状板的一部分在纵向上重叠；压力检测器，其构成为能够检测等离子体处理腔室内的压力；和至少1个致动器，其构成为能够基于检测出的压力来使第一环状板和第二环状板中的至少一者在纵向上移动，以变更第一环状板与第二环状板之间的距离。根据本发明，能够在短时间内控制处理腔室的内部压力。
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