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公开(公告)号:CN102208322B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201110083707.X
申请日:2011-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/507 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32642 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , Y10T29/41
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和半导体装置的制造方法,其能够防止在半导体晶片等基板与下部电极的基材或其它周边构造物之间发生放电,能够使成品率提高,达到生产性的提高。该等离子体处理装置包括:处理腔室;设置在处理腔室内,具有被施加高频电力的由导电性金属构成的基材,兼用作载置被处理基板的载置台的下部电极;设置在处理腔室内,以与下部电极相对的方式配置的上部电极;和在下部电极上,以包围被处理基板的周围的方式配置的聚焦环,该等离子体处理装置中配置有电连接机构,该电连接机构经由电流控制元件对下部电极的基材与聚焦环之间进行电连接,并根据电位差产生直流电流。
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公开(公告)号:CN101546724A
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200910127054.3
申请日:2009-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67115 , H01L21/6831 , Y10T29/49986 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供一种在具有由导电体层以及夹着导电体层的绝缘层构成的层叠构造的静电卡盘的周围所形成的陶瓷喷镀膜与基材具有良好的粘接性,并且在操作时,即使外部冲击力作用于静电卡盘,喷镀膜也不易破损的静电卡盘。本发明的静电卡盘是包括被绝缘体层夹着的金属层的层叠构造的静电卡盘,在上述金属层周边的露出部分上形成的凹部通过绝缘性喷镀膜而被覆盖。该静电卡盘的喷镀膜,优选至少将露出于上述凹部内侧的上述金属层覆盖,且以不从上述凹部突出的方式进行覆盖。由此,能够防止金属层漏电以及金属层腐蚀,并且在操作时即使外部冲击力作用于喷镀膜,也能够防止喷镀膜的破损。
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公开(公告)号:CN107408529A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201680014297.4
申请日:2016-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式的集电环具备:导电性的转子,其能绕旋转轴线旋转;导电性的定子,其与转子同轴地设置;导电性的球体,其配置于转子与定子之间,形成转子与定子之间的电气路径;导电性的螺旋弹簧,其设于转子和定子中的一者与球体之间,相对于旋转轴线沿着周向延伸,该螺旋弹簧与转子、定子中的一者以及球体接触。
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公开(公告)号:CN107408529B
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN201680014297.4
申请日:2016-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式的集电环具备:导电性的转子,其能绕旋转轴线旋转;导电性的定子,其与转子同轴地设置;导电性的球体,其配置于转子与定子之间,形成转子与定子之间的电气路径;导电性的螺旋弹簧,其设于转子和定子中的一者与球体之间,相对于旋转轴线沿着周向延伸,该螺旋弹簧与转子、定子中的一者以及球体接触。
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公开(公告)号:CN102243977A
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN201110125334.8
申请日:2011-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 山本高志
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32715 , H01L21/6833 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及半导体装置的制造方法,该装置能够防止在半导体晶圆等基板与下部电极的基材之间或者与下部电极的基材周边的构造物之间发生放电、能够谋求提高成品率、提高生产率。该装置包括处理室、下部电极、上部电极以及用于支承被处理基板的多个升降销,升降销包括销主体部和设于该销主体部的顶部且外径大于上述销主体部的外径的盖部,下部电极具有:销主体收容部,其具有比盖部的外径小的内径,用于收容销主体部;盖收容部,其设于该销主体收容部的上部,用于收容盖部,下部电极具有用于在内部配设升降销的升降销用通孔,在使升降销下降的状态下,成为盖部收容于盖收容部内、销主体收容部的上部被盖部闭塞的状态。
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公开(公告)号:CN101546724B
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN200910127054.3
申请日:2009-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67115 , H01L21/6831 , Y10T29/49986 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供一种在具有由导电体层以及夹着导电体层的绝缘层构成的层叠构造的静电卡盘的周围所形成的陶瓷喷镀膜与基材具有良好的粘接性,并且在操作时,即使外部冲击力作用于静电卡盘,喷镀膜也不易破损的静电卡盘。本发明的静电卡盘是包括被绝缘体层夹着的金属层的层叠构造的静电卡盘,在上述金属层周边的露出部分上形成的凹部通过绝缘性喷镀膜而被覆盖。该静电卡盘的喷镀膜,优选至少将露出于上述凹部内侧的上述金属层覆盖,且以不从上述凹部突出的方式进行覆盖。由此,能够防止金属层漏电以及金属层腐蚀,并且在操作时即使外部冲击力作用于喷镀膜,也能够防止喷镀膜的破损。
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公开(公告)号:CN109075064A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201780024736.4
申请日:2017-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 等离子体处理装置具备:支承构造体,其支承被加工物;以及第1驱动装置,其构成为,使支承构造体绕沿着与铅垂方向正交的方向延伸的第1轴线旋转。支承构造体具有:保持部,其包括静电卡盘;以及容器,其设置到保持部的下侧。容器具有:筒状的容器主体;底盖,其封堵容器主体的下侧开口,构成为能够相对于容器主体拆卸。保养方法包括如下工序:使支承构造体绕第1轴线旋转、以使底盖相对于静电卡盘位于上方的工序;将底盖从容器主体拆卸的工序;以及对设置到容器主体内的零部件进行保养的工序。
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公开(公告)号:CN109075063A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201780024567.4
申请日:2017-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 等离子体处理装置具备:腔室主体,其提供腔室;支承构造体,其在腔室主体内支承被加工物;以及第1驱动装置,其构成为,使支承构造体在腔室主体内绕沿着与铅垂方向正交的方向延伸的第1轴线旋转。支承构造体具有:保持部,其包括保持被加工物的静电卡盘,设置成能够绕与第1轴线正交的第2轴线旋转;容器,其设置到保持部的下侧;以及第2驱动装置,其构成为,使保持部绕第2轴线旋转。容器具有筒状的容器主体和使容器主体的下侧开口封闭的底盖。底盖能够从容器主体拆卸。
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公开(公告)号:CN109075064B
公开(公告)日:2023-01-06
申请号:CN201780024736.4
申请日:2017-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 等离子体处理装置具备:支承构造体,其支承被加工物;以及第1驱动装置,其构成为,使支承构造体绕沿着与铅垂方向正交的方向延伸的第1轴线旋转。支承构造体具有:保持部,其包括静电卡盘;以及容器,其设置到保持部的下侧。容器具有:筒状的容器主体;底盖,其封堵容器主体的下侧开口,构成为能够相对于容器主体拆卸。保养方法包括如下工序:使支承构造体绕第1轴线旋转、以使底盖相对于静电卡盘位于上方的工序;将底盖从容器主体拆卸的工序;以及对设置到容器主体内的零部件进行保养的工序。
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公开(公告)号:CN102243977B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201110125334.8
申请日:2011-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 山本高志
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32715 , H01L21/6833 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及半导体装置的制造方法,该装置能够防止在半导体晶圆等基板与下部电极的基材之间或者与下部电极的基材周边的构造物之间发生放电、能够谋求提高成品率、提高生产率。该装置包括处理室、下部电极、上部电极以及用于支承被处理基板的多个升降销,升降销包括销主体部和设于该销主体部的顶部且外径大于上述销主体部的外径的盖部,下部电极具有:销主体收容部,其具有比盖部的外径小的内径,用于收容销主体部;盖收容部,其设于该销主体收容部的上部,用于收容盖部,下部电极具有用于在内部配设升降销的升降销用通孔,在使升降销下降的状态下,成为盖部收容于盖收容部内、销主体收容部的上部被盖部闭塞的状态。
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