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公开(公告)号：CN102208322B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110083707.X
申请日：2011-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/507 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32642 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , Y10T29/41
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和半导体装置的制造方法，其能够防止在半导体晶片等基板与下部电极的基材或其它周边构造物之间发生放电，能够使成品率提高，达到生产性的提高。该等离子体处理装置包括：处理腔室；设置在处理腔室内，具有被施加高频电力的由导电性金属构成的基材，兼用作载置被处理基板的载置台的下部电极；设置在处理腔室内，以与下部电极相对的方式配置的上部电极；和在下部电极上，以包围被处理基板的周围的方式配置的聚焦环，该等离子体处理装置中配置有电连接机构，该电连接机构经由电流控制元件对下部电极的基材与聚焦环之间进行电连接，并根据电位差产生直流电流。
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公开(公告)号：CN1591793A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410078499.4
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
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公开(公告)号：CN102208322A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110083707.X
申请日：2011-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/507 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32642 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , Y10T29/41
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和半导体装置的制造方法，其能够防止在半导体晶片等基板与下部电极的基材或其它周边构造物之间发生放电，能够使成品率提高，达到生产性的提高。该等离子体处理装置包括：处理腔室；设置在处理腔室内，具有被施加高频电力的由导电性金属构成的基材，兼用作载置被处理基板的载置台的下部电极；设置在处理腔室内，以与下部电极相对的方式配置的上部电极；和在下部电极上，以包围被处理基板的周围的方式配置的聚焦环，该等离子体处理装置中配置有电连接机构，该电连接机构经由电流控制元件对下部电极的基材与聚焦环之间进行电连接，并根据电位差产生直流电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100364064C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410078499.4
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
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公开(公告)号：CN101162689B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200710194607.8
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01J37/32 , H05H1/00 , H05H1/46 , C23F4/00
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
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公开(公告)号：CN101162689A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710194607.8
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01J37/32 , H05H1/00 , H05H1/46 , C23F4/00
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
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公开(公告)号：CN3457236D
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200430100626.7
申请日：2004-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.左视图与右视图对称，省略左视图；
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公开(公告)号：CN302040889S
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201230082499.7
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：聚焦环；2．本外观设计产品的用途：用于将产生在半导体晶片上的等离子体的分布扩展到位于等离子加工设备的室中的产品附近，其国际外观设计分类号为08-05；3．本外观设计的设计要点：产品的形状；4．最能表明设计要点的图片或者照片：设计1立体图；5.基本设计：设计1；6．设计1－4的后视图分别与设计1－4的主视图相同，故省略设计1－4的后视图；设计1－4的左视图分别与设计1－4的右视图相同，故省略设计1－4的左视图。
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