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公开(公告)号：CN112956010B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201980072936.6
申请日：2019-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 一种基板处理装置，其具有加载部、加载互锁室、处理模块、基板输送机构、以及控制部，基板输送机构具有多个基板保持部，各基板保持部构成为保持1张基板，控制部在处理模块逐张处理基板的情况下控制基板输送机构，以使第1基板保持部在加载部与处理模块之间输送基板，第2基板保持部在加载互锁室与处理模块之间输送基板，在处理模块同时处理多张基板的情况下控制基板输送机构，以使多个基板保持部在加载部、加载互锁室以及处理模块之间同时输送多张基板。
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公开(公告)号：CN109560021B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201811130198.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本公开涉及基板处理装置、基板处理方法以及计算机存储介质。在具备在减压气氛下对基板进行处理的处理室和搬送室的基板处理装置中，减少从处理室被带入搬送室的异物、即沉积物。具备在减压气氛下对基板进行处理的COR模块和经由闸门(46b)与COR模块连接的传递模块(30)的基板处理装置具有：第一供气部(50)，其向传递模块(30)的内部供给非活性气体；第二供气部(70)，其对闸门(46b)供给非活性气体；以及排气部(60)，其排出传递模块(30)的内部的气氛。
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公开(公告)号：CN102420089A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110296183.2
申请日：2011-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/505 , C23C16/509 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32541
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻用的电极板和等离子体蚀刻处理装置。该等离子体蚀刻用的电极板能够将贯通电极板的多种类型的气孔的配置最优化。等离子体蚀刻用的电极板(160)呈具有规定的厚度的圆板状，在同心圆状的多个不同的圆周上形成有将电极板(160)的一个面铅垂地贯通的多个气孔，在沿着径向将电极板(160)分割成两个以上的区域中的各区域形成有不同类型的气孔。
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公开(公告)号：CN102420089B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110296183.2
申请日：2011-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/505 , C23C16/509 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32541
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻用的电极板和等离子体蚀刻处理装置。该等离子体蚀刻用的电极板能够将贯通电极板的多种类型的气孔的配置最优化。等离子体蚀刻用的电极板(160)呈具有规定的厚度的圆板状，在同心圆状的多个不同的圆周上形成有将电极板(160)的一个面铅垂地贯通的多个气孔，在沿着径向将电极板(160)分割成两个以上的区域中的各区域形成有不同类型的气孔。
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公开(公告)号：CN102856145A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210228415.5
申请日：2012-07-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/21 , C01B33/021
Abstract: 本发明提供一种硅制部件的制造方法和蚀刻处理装置用的硅制部件，其恰当地选择使用在蚀刻处理装置用的硅制部件中的废弃硅材料。该硅制部件的制造方法为对配置于蚀刻处理装置内的硅制部件进行由废弃硅材料再生利用而制造的蚀刻处理装置（10）用的硅制部件的制造方法，该硅制部件的制造方法的特征在于，包含：将上述废弃硅材料或含该废弃硅材料的材料投入到坩埚（55）进行熔化的工序；冷却并凝固上述已熔化的材料的工序；将包含上述凝固后的材料的至少上表面的部分切除，生成多晶硅的工序；和由上述生成的多晶硅制造上述硅制部件的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101950721A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010226907.1
申请日：2010-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/324 , H01L21/263
CPC classification number: C23C8/36 , C23C8/80 , C23C16/325 , C23C16/4404 , C23C16/56 , H01J2237/31
Abstract: 本发明提供能够容易地消除形成在部件表面特别是台阶部的破碎层的表面处理方法。对表面具有破碎层25h的由碳化硅形成的聚焦环25，向表面照射电子束45，或使用等离子体喷枪50加热表面，或将其收容于退火处理装置60进行加热，从而将聚焦环25的表面加热到碳化硅的重结晶温度，例如1100℃～1300℃，使该部分的碳化硅重结晶从而改性为致密层，使当将聚焦环25应用于等离子体处理装置10时的从聚焦环25的表面释放出的粒子数减少。
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公开(公告)号：CN107845588B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201710828334.1
申请日：2017-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板搬送方法。提供一种能够准确地确定以重叠的方式配置的两张基板各自的位置的基板搬送方法。在利用搬送臂(14a)将两张晶圆(W)以重叠的方式进行保持的基板处理装置(10)中，下方晶圆检测传感器(29)的发光部(29a)被配置于在下方晶圆(W)向处理模块(13)的内部被搬送时下方晶圆(W)所通过的区域且被配置为位于下方晶圆(W)与上方晶圆(W)之间，下方晶圆检测传感器(29)的受光部(29b)被配置为隔着下方晶圆(W)而与发光部(29a)相向，上方晶圆检测传感器(30)被配置于在上方晶圆(W)向处理模块(13)的内部被搬送时上方晶圆(W)所通过的区域。
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公开(公告)号：CN109560021A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811130198.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本公开涉及基板处理装置、基板处理方法以及计算机存储介质。在具备在减压气氛下对基板进行处理的处理室和搬送室的基板处理装置中，减少从处理室被带入搬送室的异物、即沉积物。具备在减压气氛下对基板进行处理的COR模块和经由闸门(46b)与COR模块连接的传递模块(30)的基板处理装置具有：第一供气部(50)，其向传递模块(30)的内部供给非活性气体；第二供气部(70)，其对闸门(46b)供给非活性气体；以及排气部(60)，其排出传递模块(30)的内部的气氛。
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公开(公告)号：CN112956010A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980072936.6
申请日：2019-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 一种基板处理装置，其具有加载部、加载互锁室、处理模块、基板输送机构、以及控制部，基板输送机构具有多个基板保持部，各基板保持部构成为保持1张基板，控制部在处理模块逐张处理基板的情况下控制基板输送机构，以使第1基板保持部在加载部与处理模块之间输送基板，第2基板保持部在加载互锁室与处理模块之间输送基板，在处理模块同时处理多张基板的情况下控制基板输送机构，以使多个基板保持部在加载部、加载互锁室以及处理模块之间同时输送多张基板。
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公开(公告)号：CN107845588A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710828334.1
申请日：2017-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/68707 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , H01L21/67259 , H01L21/67265 , H01L21/67742 , H01L21/67754 , H01L21/67778 , H01L21/681
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板搬送方法。提供一种能够准确地确定以重叠的方式配置的两张基板各自的位置的基板搬送方法。在利用搬送臂(14a)将两张晶圆(W)以重叠的方式进行保持的基板处理装置(10)中，下方晶圆检测传感器(29)的发光部(29a)被配置于在下方晶圆(W)向处理模块(13)的内部被搬送时下方晶圆(W)所通过的区域且被配置为位于下方晶圆(W)与上方晶圆(W)之间，下方晶圆检测传感器(29)的受光部(29b)被配置为隔着下方晶圆(W)而与发光部(29a)相向，上方晶圆检测传感器(30)被配置于在上方晶圆(W)向处理模块(13)的内部被搬送时上方晶圆(W)所通过的区域。
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