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公开(公告)号：CN100521088C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200380100597.7
申请日：2003-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3105 , G03F7/09
Abstract: 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层(ARC)的方法，该方法包括：引入含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体；由该处理气体形成等离子体；和暴露该基片于等离子体下。该处理气体可例如包括NH3/O2、N2/H2/O2、N2/H2/CO、NH3/CO或NH3/CO/O2基化学。另外，工艺化学可进一步包括添加氦气。本发明进一步提出了形成双层掩模用以蚀刻在基片上的薄膜的方法，其中该方法包括在基片上形成薄膜，在薄膜上形成ARC层，在ARC层上形成光刻胶图案；和采用该蚀刻方法，使用含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体，将光刻胶图案转印到ARC层上。
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公开(公告)号：CN101276775A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086917.2
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/458 , C23C14/50 , C23F4/00 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/6875
Abstract: 一种载置台的表面处理方法，使安装表面能够与将形成的基片相符合，节省了时间和精力。将基片安装在载置台的安装表面上，该载置台位于基片处理设备的容纳室里，在该容纳室中对基片进行等离子体处理。所安装的基片受热膨胀。
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公开(公告)号：CN1692472A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100597.7
申请日：2003-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3105 , G03F7/09
Abstract: 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层(ARC)的方法，该方法包括：引入含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体；由该处理气体形成等离子体；和暴露该基片于等离子体下。该处理气体可例如包括NH3/O2、N2/H2/O2、N2/H2/CO、NH3/CO或NH3/CO/O2基化学。另外，工艺化学可进一步包括添加氦气。本发明进一步提出了形成双层掩模用以蚀刻在基片上的薄膜的方法，其中该方法包括在基片上形成薄膜，在薄膜上形成ARC层，在ARC层上形成光刻胶图案；和采用该蚀刻方法，使用含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体，将光刻胶图案转印到ARC层上。
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公开(公告)号：CN101276775B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810086917.2
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/458 , C23C14/50 , C23F4/00 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/6875
Abstract: 一种载置台的表面处理方法，使安装表面能够与将形成的基片相符合，节省了时间和精力。将基片安装在载置台的安装表面上，该载置台位于基片处理设备的容纳室里，在该容纳室中对基片进行等离子体处理。所安装的基片受热膨胀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102208322A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110083707.X
申请日：2011-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/507 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32642 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , Y10T29/41
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和半导体装置的制造方法，其能够防止在半导体晶片等基板与下部电极的基材或其它周边构造物之间发生放电，能够使成品率提高，达到生产性的提高。该等离子体处理装置包括：处理腔室；设置在处理腔室内，具有被施加高频电力的由导电性金属构成的基材，兼用作载置被处理基板的载置台的下部电极；设置在处理腔室内，以与下部电极相对的方式配置的上部电极；和在下部电极上，以包围被处理基板的周围的方式配置的聚焦环，该等离子体处理装置中配置有电连接机构，该电连接机构经由电流控制元件对下部电极的基材与聚焦环之间进行电连接，并根据电位差产生直流电流。
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公开(公告)号：CN1679148A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820645.5
申请日：2003-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32431 , H01J2237/0044 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理方法，所述方法向真空室(1)内供给Ar气，并在该情况下，首先从高频电源(11)向载置台(2)(下部电极)供给诸如300W等的较低的高频电力，从而产生弱等离子体，并作用在半导体晶片(W)上，调整积蓄在半导体晶片内部的电荷状态。此时，为了使电荷容易移动，不在静电卡盘(4)上加载直流电压(HV)。此后，开始对静电卡盘(4)上加载直流电压，然后供给2000W等通常处理用的高频电力，进而产生强的等离子体，并进行通常的等离子体处理。因此，能够防止发生在被处理基片上生成的表面电弧，并且与目前技术相比，可以谋求提高生产性的提高。
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公开(公告)号：CN102208322B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110083707.X
申请日：2011-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/507 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32642 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , Y10T29/41
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和半导体装置的制造方法，其能够防止在半导体晶片等基板与下部电极的基材或其它周边构造物之间发生放电，能够使成品率提高，达到生产性的提高。该等离子体处理装置包括：处理腔室；设置在处理腔室内，具有被施加高频电力的由导电性金属构成的基材，兼用作载置被处理基板的载置台的下部电极；设置在处理腔室内，以与下部电极相对的方式配置的上部电极；和在下部电极上，以包围被处理基板的周围的方式配置的聚焦环，该等离子体处理装置中配置有电连接机构，该电连接机构经由电流控制元件对下部电极的基材与聚焦环之间进行电连接，并根据电位差产生直流电流。
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公开(公告)号：CN100414672C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN03820645.5
申请日：2003-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32431 , H01J2237/0044 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理方法，所述方法向真空室(1)内供给Ar气，并在该情况下，首先从高频电源(11)向载置台(2)(下部电极)供给诸如300W等的较低的高频电力，从而产生弱等离子体，并作用在半导体晶片(W)上，调整积蓄在半导体晶片内部的电荷状态。此时，为了使电荷容易移动，不在静电卡盘(4)上加载直流电压(HV)。此后，开始对静电卡盘(4)上加载直流电压，然后供给2000W等通常处理用的高频电力，进而产生强的等离子体，并进行通常的等离子体处理。因此，能够防止发生在被处理基片上生成的表面电弧，并且与目前技术相比，可以谋求提高生产性的提高。
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公开(公告)号：CN1783431A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510127676.8
申请日：2005-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理的面内均匀性高，而且难以产生充电损坏(charge up damage)的电容耦合型的等离子体处理装置。具有：保持在真空气氛中的腔室(1)；在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2)，(18)；和在第一和第二电极(2)，(18)之间形成高频电场，生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10)，在该电容耦合型的等离子体处理装置(100)中，第一电极(2)支撑晶片(W)，并作为施加高频电力的阴极起作用，第二电极(18)作为接地的阳极起作用，第二电极(18)的与第一电极(2)对置的表面由导电体(18c)构成。
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