公开(公告)号：CN107808816B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201711316936.5

申请日：2016-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种对具有细孔的多孔质膜进行改性的处理方法，其包括蚀刻工序和灰化工序，所述蚀刻工序包括重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤：向收纳有具有所述多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序，向所述处理容器内供给第二气体的工序，和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的所述第二气体的等离子体的工序；以及在所述动作顺序中设定在其上载置有所述被处理物的载台的温度，使所述处理气体具有1Torr以下的饱和蒸气压的步骤，所述灰化工序在所述蚀刻工序之后进行，进行重复与所述蚀刻工序中进行的相同工序的步骤。

公开(公告)号：CN103828029B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201280047417.2

申请日：2012-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  松本孝典

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B05D3/145 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种堆积物去除方法，其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法，其中，该堆积物去除方法包括以下工序：第1处理工序，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中；氧等离子体处理工序，在第1处理工序之后，加热基板并使基板暴露在氧等离子体中；以及第2处理工序，在氧等离子体处理工序之后，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。

公开(公告)号：CN102169823B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110035366.9

申请日：2011-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 栉引理人 ,  西村荣一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法和等离子体蚀刻装置。该半导体装置的制造方法中，对处理腔室内供给由混合气体构成的处理气体，并且，将一个循环的工序以等离子体中途不消失的方式连续地至少重复进行三次以上，该一个循环的工序包括：使多种气体中的至少一种气体的流量，在第一时间中为第一流量的第一工序和在第二时间中为流量与上述第一流量不同的第二流量的第二工序，第一时间和第二时间为1秒以上15秒以下，第一工序中的处理气体的总流量与第二工序中的处理气体的总流量相同，或者在双方不同的情况下，总流量之差为多的一方的总流量的10％以下，在第一工序和第二工序中的任一工序中，用于对被蚀刻膜进行蚀刻的气体包含在处理气体中。

公开(公告)号：CN105051870A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480016295.X

申请日：2014-04-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森北信也 ,  西村荣一 ,  山下扶美子

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31133 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供在被处理体的基底层上形成图案的方法。该方法包括：(a)在基底层上形成包含第一聚合物和第二聚合物的能够自组织化的嵌段共聚物层的步骤；(b)对被处理体进行处理，以使得在嵌段共聚物层形成包含第一聚合物的第一区域和包含第二聚合物的第二区域的步骤；(c)在对被处理体进行处理的步骤之后，在电容耦合型的等离子体处理装置内对该第二区域进行蚀刻直至第二区域的膜厚的中途的步骤；(d)在对第二区域进行蚀刻的步骤之后，对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压而从该上部电极产生二次电子，并将该二次电子照射到被处理体的步骤；和(e)在将二次电子照射到被处理体的步骤之后，在等离子体处理装置内进一步对第二区域进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN103065960B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201210397846.4

申请日：2012-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  曾根隆

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: G11B5/851 ,  C23F4/00 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种金属膜的干蚀刻方法。该金属膜的干蚀刻方法不使用卤素气体并能够使孔、沟槽的侧壁形状更接近铅垂。隔着掩模层对含有铂金的金属膜进行干蚀刻的金属膜的干蚀刻方法使由含有氢气、二氧化碳气体、甲烷气体以及稀有气体的混合气体构成的蚀刻气体产生等离子体来对金属膜进行干蚀刻。

公开(公告)号：CN102691065B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201210077997.1

申请日：2012-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 曾根隆 ,  西村荣一

IPC: C23F4/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32091 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种能够不使用卤素气体而对至少含有铂的层进行蚀刻的基板处理方法。在使用具有规定的图案形状的钽层(38)对在晶片(W)形成的铂锰层(37)进行蚀刻时，使用含有一氧化碳气体、氢气和氩气的处理气体，在该处理气体中，相对于一氧化碳气体和氢气的合计流量，氢气的流量比为50％～75％。

公开(公告)号：CN103828029A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280047417.2

申请日：2012-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  松本孝典

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B05D3/145 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种堆积物去除方法，其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法，其中，该堆积物去除方法包括以下工序：第1处理工序，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中；氧等离子体处理工序，在第1处理工序之后，加热基板并使基板暴露在氧等离子体中；以及第2处理工序，在氧等离子体处理工序之后，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。

公开(公告)号：CN102064105B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010548590.3

申请日：2007-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H01L21/308

Abstract: 一种能够防止给基板的背面造成伤痕的基板处理方法。涂布/显影机(11)利用涂布单元(22c)将光硬化性树脂涂布在晶片(W)的背面上，利用硬化单元(82a)硬化光硬化性树脂，形成树脂保护膜，利用涂布单元(22a)在晶片的表面上涂布正型抗蚀剂。曝光机(12)将紫外线向着抗蚀剂，照射在与规定的掩模图形翻转后的图形相对应的部分上，对抗蚀剂进行曝光处理。显影单元(82a)利用清洗液除去实施过曝光处理的抗蚀剂，形成抗蚀剂膜。蚀刻装置(13)将晶片吸附保持在基座(39)的静电卡盘(49)上，对晶片的背面进行RIE处理。清洗装置(14)利用基板清洗单元(77)等溶解、除去形成在晶片背面上的树脂保护膜。

公开(公告)号：CN102142350A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110009778.5

申请日：2008-01-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫川正章 ,  西村荣一

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32623

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置的制造方法以及聚焦环的制造方法，其能够充分改良聚焦环和载置台之间的热传导效率，其中，所述基板处理装置包括：收纳基板的收纳室；配置在该收纳室内的用于载置所述基板的载置台；和以包围所述被载置的基板的周边部的方式载置在所述载置台上的环状聚焦环，所述收纳室内被减压，该基板处理装置的制造方法的特征在于：通过印刷处理在所述聚焦环与所述载置台的接触面上形成热传导膜。

公开(公告)号：CN102140638A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110025366.0

申请日：2011-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  田原慈 ,  山下扶美子

IPC: C23F1/12 ,  C23F1/08

CPC classification number: H01L21/02057

Abstract: 本发明提供一种硅基板上的图案修复方法和硅基板上的图案修复装置，能够将在通过蚀刻形成于硅基板上的图案之间生长的异物除去，使该图案的形状恢复。该硅基板上的图案修复方法，具有将硅基板收容于腔室内，将硅基板加热到160℃以上的加热工序。