公开(公告)号：CN104350584A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380021625.X

申请日：2013-04-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  清水昭贵 ,  山下扶美子 ,  浦山大介

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明用于适当除去在对被蚀刻膜进行蚀刻时生成的反应生成物。本发明的装置用于处理由于对被处理基体所含有的被蚀刻层进行蚀刻而沉积的反应生成物。该装置包括处理容器、隔板、等离子体源、载置台、第1处理气体供给部及第2处理气体供给部。处理容器划分出空间。隔板配置于处理容器内，将空间分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，用于抑制离子及真空紫外光的透过。等离子体源用于在等离子体生成空间生成等离子体。载置台配置于基板处理空间，用于载置被处理基体。第1处理气体供给部用于向等离子体生成空间供给第1处理气体，该第1处理气体由于等离子体而离解，生成自由基。第2处理气体供给部用于向基板处理空间供给第2处理气体，该第2处理气体不暴露于等离子体地与反应生成物发生反应。

公开(公告)号：CN105051870A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480016295.X

申请日：2014-04-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森北信也 ,  西村荣一 ,  山下扶美子

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31133 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供在被处理体的基底层上形成图案的方法。该方法包括：(a)在基底层上形成包含第一聚合物和第二聚合物的能够自组织化的嵌段共聚物层的步骤；(b)对被处理体进行处理，以使得在嵌段共聚物层形成包含第一聚合物的第一区域和包含第二聚合物的第二区域的步骤；(c)在对被处理体进行处理的步骤之后，在电容耦合型的等离子体处理装置内对该第二区域进行蚀刻直至第二区域的膜厚的中途的步骤；(d)在对第二区域进行蚀刻的步骤之后，对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压而从该上部电极产生二次电子，并将该二次电子照射到被处理体的步骤；和(e)在将二次电子照射到被处理体的步骤之后，在等离子体处理装置内进一步对第二区域进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN102140638A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110025366.0

申请日：2011-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  田原慈 ,  山下扶美子

IPC: C23F1/12 ,  C23F1/08

CPC classification number: H01L21/02057

Abstract: 本发明提供一种硅基板上的图案修复方法和硅基板上的图案修复装置，能够将在通过蚀刻形成于硅基板上的图案之间生长的异物除去，使该图案的形状恢复。该硅基板上的图案修复方法，具有将硅基板收容于腔室内，将硅基板加热到160℃以上的加热工序。

公开(公告)号：CN104350584B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201380021625.X

申请日：2013-04-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  清水昭贵 ,  山下扶美子 ,  浦山大介

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明用于适当除去在对被蚀刻膜进行蚀刻时生成的反应生成物。本发明的装置用于处理由于对被处理基体所含有的被蚀刻层进行蚀刻而沉积的反应生成物。该装置包括处理容器、隔板、等离子体源、载置台、第1处理气体供给部及第2处理气体供给部。处理容器划分出空间。隔板配置于处理容器内，将空间分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，用于抑制离子及真空紫外光的透过。等离子体源用于在等离子体生成空间生成等离子体。载置台配置于基板处理空间，用于载置被处理基体。第1处理气体供给部用于向等离子体生成空间供给第1处理气体，该第1处理气体由于等离子体而离解，生成自由基。第2处理气体供给部用于向基板处理空间供给第2处理气体，该第2处理气体不暴露于等离子体地与反应生成物发生反应。

公开(公告)号：CN101833239B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201010132410.3

申请日：2010-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  栉引理人 ,  山下扶美子

IPC: G03F7/00

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  Y10T428/24215 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/2495

Abstract: 本发明提供了一种基板处理方法，该基板处理方法能够在处理对象膜上形成减少杂乱形状的开口部。在具有被处理膜(37)、形成在被处理膜(37)上的由多个小宽度的线部(38a)组成的光致抗蚀剂膜(38)和覆盖在各线部(38a)之间露出的被处理膜(37)以及线部(38a)上的Si氧化膜(40)的晶片W上，对Si氧化膜(40)实施蚀刻，使光致抗蚀剂膜(38)和各线部(38a)之间的被处理膜(37)露出，选择地除去露出的光致抗蚀剂膜(38)，再对残留的Si氧化膜(40)(一对线部(42a、42b))实施蚀刻。

公开(公告)号：CN103219234B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310024535.8

申请日：2013-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  小嗣义 ,  山下扶美子

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/3343 ,  H01J2237/3348 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，优化通过嵌段共聚物的自组装形成的周期图案的蚀刻条件。对通过能够自组装的嵌段共聚物的第一聚合物和第二聚合物自组装而形成的周期图案进行蚀刻，该蚀刻方法的特征在于包括：向处理室内导入气体的工序；设定高频电源的频率，使得离子能量大量分布在比产生上述第一聚合物的蚀刻产额的离子能量分布小、且为产生上述第二聚合物的蚀刻产额的离子能量分布以上的范围中，从上述高频电源向上述处理室内供给高频电力的工序；和利用上述高频电力由被导入到上述处理室内的气体生成等离子体，使用所生成的等离子体蚀刻载置于载置台的被处理体上的上述周期图案的工序。

公开(公告)号：CN102315095B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201110194328.8

申请日：2011-07-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  山下扶美子 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大口寿史 ,  大村光广

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法以及半导体装置的制造方法，能够抑制由侧面蚀刻而引起的图案变细的问题并且通过干燥处理来高效率地去除含有堆积在图案侧壁的金属的堆积物。该等离子处理方法经过对形成在基板上的金属层进行等离子体蚀刻的工序来形成层叠结构中具有金属层的图案之后，去除含有构成金属层的金属的图案并在侧壁部堆积的堆积物，具备以下工序：保护层形成工序，在金属层的侧壁部形成该金属的氧化物或者氯化物；堆积物去除工序，使含有氟原子的气体的等离子体发生作用来去除堆积物；以及还原工序，在保护层形成工序和堆积物去除工序之后，使含有氢的等离子体发生作用来还原金属的氧化物或者氯化物。

公开(公告)号：CN102148153A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110020639.2

申请日：2011-01-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  山下扶美子 ,  西村荣一 ,  大岩德久 ,  松下贵哉 ,  富田宽

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明提供基板清洁方法及基板清洁装置。该基板清洁方法及基板清洁装置在利用等离子体蚀刻形成包含硅层的暴露部的图案时，不对图案产生损伤就能够除去副生成物和除去残留氟。该基板清洁方法在利用等离子体蚀刻形成基板上的图案之后清洁基板的表面，该基板清洁方法包括：副生成物除去工序，在该工序中，将基板暴露于HF气体气氛中而除去副生成物；残留氟除去工序，在该工序中，将清洁气体等离子化并使其作用于基板，除去残留于该基板上的氟，上述清洁气体包含氢气及作为构成元素含有碳和氢的化合物的气体。

公开(公告)号：CN105051870B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201480016295.X

申请日：2014-04-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 森北信也 ,  西村荣一 ,  山下扶美子

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31133 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供在被处理体的基底层上形成图案的方法。该方法包括：(a)在基底层上形成包含第一聚合物和第二聚合物的能够自组织化的嵌段共聚物层的步骤；(b)对被处理体进行处理，以使得在嵌段共聚物层形成包含第一聚合物的第一区域和包含第二聚合物的第二区域的步骤；(c)在对被处理体进行处理的步骤之后，在电容耦合型的等离子体处理装置内对该第二区域进行蚀刻直至第二区域的膜厚的中途的步骤；(d)在对第二区域进行蚀刻的步骤之后，对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压而从该上部电极产生二次电子，并将该二次电子照射到被处理体的步骤；和(e)在将二次电子照射到被处理体的步骤之后，在等离子体处理装置内进一步对第二区域进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN105474368A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046269.1

申请日：2014-09-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户花敏胜 ,  山下扶美子

IPC: H01L21/3065 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/31144 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138

Abstract: 提供对被处理体的被蚀刻层进行蚀刻的方法。该方法包括如下工序：在设置于被蚀刻层上的中间层上形成包含第1聚合物和第2聚合物的能够自组装的嵌段共聚物层的工序(a)；以由嵌段共聚物层形成包含第1聚合物的第1区域和包含第2聚合物的第2区域的方式对被处理体进行处理的工序(b)；在对被处理体进行处理的工序(b)之后，对第2区域和该第2区域的正下方的中间层进行蚀刻而形成掩模的工序(c)；在形成掩模的工序(c)之后，在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成包含四氯化硅气体和氧气的处理气体的等离子体，在掩模上形成保护膜的工序(d)；以及在形成保护膜的工序(d)之后，对被蚀刻层进行蚀刻的工序(e)。