公开(公告)号：CN102315095A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110194328.8

申请日：2011-07-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  山下扶美子 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大口寿史 ,  大村光广

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法以及半导体装置的制造方法，能够抑制由侧面蚀刻而引起的图案变细的问题并且通过干燥处理来高效率地去除含有堆积在图案侧壁的金属的堆积物。该等离子处理方法经过对形成在基板上的金属层进行等离子体蚀刻的工序来形成层叠结构中具有金属层的图案之后，去除含有构成金属层的金属的图案并在侧壁部堆积的堆积物，具备以下工序：保护层形成工序，在金属层的侧壁部形成该金属的氧化物或者氯化物；堆积物去除工序，使含有氟原子的气体的等离子体发生作用来去除堆积物；以及还原工序，在保护层形成工序和堆积物去除工序之后，使含有氢的等离子体发生作用来还原金属的氧化物或者氯化物。

公开(公告)号：CN102315095B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201110194328.8

申请日：2011-07-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  山下扶美子 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大口寿史 ,  大村光广

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法以及半导体装置的制造方法，能够抑制由侧面蚀刻而引起的图案变细的问题并且通过干燥处理来高效率地去除含有堆积在图案侧壁的金属的堆积物。该等离子处理方法经过对形成在基板上的金属层进行等离子体蚀刻的工序来形成层叠结构中具有金属层的图案之后，去除含有构成金属层的金属的图案并在侧壁部堆积的堆积物，具备以下工序：保护层形成工序，在金属层的侧壁部形成该金属的氧化物或者氯化物；堆积物去除工序，使含有氟原子的气体的等离子体发生作用来去除堆积物；以及还原工序，在保护层形成工序和堆积物去除工序之后，使含有氢的等离子体发生作用来还原金属的氧化物或者氯化物。