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公开(公告)号：CN106067411B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201610248187.6
申请日：2016-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种对具有多孔质膜和掩模的被处理物进行处理的方法。一个实施方式的方法包括：向收纳有具有多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的工序；和为了去除掩模，在处理容器内生成第二气体的等离子体的工序。第一气体由在处理容器内在其上载置有被处理物的载台的温度时具有133.3帕斯卡以下的饱和蒸气压的处理气体组成或包含该处理气体。另外，在供给第一气体的工序中，不生成等离子体，向处理容器内供给的处理气体的分压设定为饱和蒸气压的20％以上的分压。
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公开(公告)号：CN107210217A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680009447.2
申请日：2016-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 一实施方式的方法包括将具有磁性层的被处理体载置于在等离子体处理装置的处理容器内设置的静电夹具上的工序；以及对磁性层蚀刻的工序，该工序在处理容器内生成包括异丙醇及二氧化碳在内的处理气体的等离子体。一实施方式中，处理容器内的空间压力设定为1.333Pa以下的压力，静电夹具温度设定为－15度以下的温度，异丙醇的分压设定为该异丙醇的饱和蒸气压以下的分压。
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公开(公告)号：CN104505333B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410614517.X
申请日：2013-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0234 , H01J37/32449 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/3065 , H01L21/67069
Abstract: 具有加热基板并将该基板暴露于氧等离子体中的工序和循环处理工序，在该循环处理工序中，将基板暴露于氟化氢气体和醇类气体的混合气体的气氛中，并且重复如下两个阶段：将混合气体的全压设为第1全压或将醇类气体的分压设为醇类气体的第1分压的第1阶段，以及将混合气体的全压设为比第1全压低的第2全压或将醇类气体的分压设为比醇类气体的第1分压低的醇类气体的第2分压的第2阶段，在循环处理工序中，从与基板相对的区域向基板供给混合气体，并且来自包含基板的中央部的第1区域的混合气体的单位面积的供给量比来自第1区域的外侧的第2区域的混合气体的单位面积的供给量多。
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公开(公告)号：CN106067411A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610248187.6
申请日：2016-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01L21/31116 , H01J37/32 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种对具有多孔质膜和掩模的被处理物进行处理的方法。一个实施方式的方法包括：向收纳有具有多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的工序；和为了去除掩模，在处理容器内生成第二气体的等离子体的工序。第一气体由在处理容器内在其上载置有被处理物的载台的温度时具有133.3帕斯卡以下的饱和蒸气压的处理气体组成或包含该处理气体。另外，在供给第一气体的工序中，不生成等离子体，向处理容器内供给的处理气体的分压设定为饱和蒸气压的20％以上的分压。
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公开(公告)号：CN101728320A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910206078.8
申请日：2009-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/31058 , H01L21/3105 , H01L21/67115 , H01L21/76808 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76826
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件的制造装置，能够修复被曝露在CO2等离子体中的低介电常数绝缘膜的损伤，使低介电常数绝缘膜成为良好的状态，从而可提高半导体器件的性能和可靠性。本发明的半导体器件的制造方法包括：对在基板上形成的低介电常数绝缘膜进行蚀刻的蚀刻处理工序；在该蚀刻处理工序后把基板曝露在CO2等离子体中的CO2等离子体处理工序；和在CO2等离子体处理工序后，对低介电常数绝缘膜照射紫外线的紫外线处理工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107749389B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201711202249.0
申请日：2016-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种对具有细孔的多孔质膜进行蚀刻的方法，包括：重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤：向收纳有等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序，向所述处理容器内供给第二气体的工序，和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的第二气体的等离子体的工序；以及在所述动作顺序中设定载台的温度，使所述处理气体具有1Torr以下的饱和蒸气压的步骤，其中，在设定所述载台的温度时，所述载台的温度根据使用被液化的处理气体的所述饱和蒸气压和绝对温度的实测值的外延而确定、或者利用由安托万蒸气压经验式规定的所述饱和蒸气压与所述绝对温度的关系的计算而确定。
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公开(公告)号：CN107749389A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711202249.0
申请日：2016-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种对具有细孔的多孔质膜进行蚀刻的方法，包括：重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤：向收纳有等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序，向所述处理容器内供给第二气体的工序，和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的第二气体的等离子体的工序；以及在所述动作顺序中设定载台的温度，使所述处理气体具有1Torr以下的饱和蒸气压的步骤，其中，在设定所述载台的温度时，所述载台的温度根据使用被液化的处理气体的所述饱和蒸气压和绝对温度的实测值的外延而确定、或者利用由安托万蒸气压经验式规定的所述饱和蒸气压与所述绝对温度的关系的计算而确定。
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公开(公告)号：CN101604658A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910145489.0
申请日：2009-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/3105 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76885
Abstract: 本发明提供一种具有相对介电常数大约为1的层间绝缘层的半导体器件的制造方法，能够实现以良好的形状形成布线，并且/或者实现在形成气隙后也能够抑制布线变质。具备相对介电常数大约为1的层间绝缘层的半导体器件的制造方法，包括以下至少任意一个工序：在将气隙(7)形成在使布线(6)之间绝缘的层间绝缘膜(2)上之前对层间绝缘膜(2)进行疏水改性处理的工序；和在将气隙(7)形成在使布线(6)之间绝缘的层间绝缘膜(2)上之后对布线(6)进行疏水改性处理的工序。
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公开(公告)号：CN101523569A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036915.6
申请日：2007-10-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J2237/334 , H01J2237/3346 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76834
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。在能够真空排气的处理容器(10)内将上部电极(34)和下部电极(16)以相对的方式配置，上部电极(34)与供给等离子体形成用的高频电力的第一高频电源(48)连接，下部电极(16)与施加离子引入偏压用的高频电力的第二高频电源(90)连接，在第二高频电源(90)设置有控制器(95)，该控制器(95)控制第二高频电源(90)，使其在功率调制模式下工作，该功率调制模式为在聚合物被堆积在晶片W的规定膜上的第一功率与对晶片W的规定膜实施蚀刻的第二功率之间以规定的周期进行功率调制。
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公开(公告)号：CN100485883C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610151458.2
申请日：2006-09-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , G03F7/36
Abstract: 本发明提供一种等离子体灰化方法，将对在被处理体上形成的低介电常数膜(Low-k膜)或底膜的损伤抑制为低于现有技术。该等离子体灰化方法包括：第一灰化工序，向处理室(102)内供给至少包含CO2气体的反应生成物除去处理气体，向上部电极(121)施加高频电力，产生反应生成物除去处理气体的等离子体，在不向下部电极施加高频电力的状态下，除去附着在处理室内壁上的反应生成物；和第二灰化工序，向处理室内供给灰化处理气体，向上部电极施加高频电力，产生灰化处理气体的等离子体，在向下部电极施加高频电力的状态下，除去抗蚀剂膜。
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