公开(公告)号：CN102820198A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210120760.7

申请日：2012-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 花轮健一 ,  富田尚宏

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明涉及高频电力分配装置以及使用其的基板处理装置，将从高频电源输出的高频电力均等地分配来提供的高频电力分配装置(4a)具有：配电部件(30)，其将被输入的高频电力分支成多份；同轴传输线(35)，其由将配电部件(30)所分支的高频电力向多个平行平板电极传输的中心供电线以及该中心供电线周围的接地线构成；阻抗调整机构(36)，其调整输入侧的阻抗以使电流值降低。配电部件(30)具有：由板状的导体构成的本体(31)；向本体(31)的一方主面的输入点(31a)输入高频电力的高频电力输入部(32)；在以本体(31)的另一方主面的与输入点(31a)对应的点为中心的圆周上，被等间隔地配置了多个的高频电力输出部(33)。

公开(公告)号：CN103107058A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210445846.7

申请日：2012-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 花轮健一

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/24

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置（100），不易产生匹配器和输送线路的发热和功率损耗，且不易产生由匹配器和输送线路的组装的差异引起的阻抗的变动所导致的电流差，其包括：产生高频电力的高频电源（6）；等离子体生成电极（2），被从高频电源（6）供给高频电力，用于生成等离子体；单一的匹配器（7），设置在高频电源（6）与等离子体生成电极（2）之间，使传送路径（9）的阻抗与负载的阻抗匹配；和阻抗调整电路（8），设置在匹配器（7）与等离子体生成电极（2）之间，调整它们之间的阻抗，匹配器（7）将等离子体和阻抗调整电路（8）作为一个负载取得阻抗的匹配，利用阻抗调整电路（8）对阻抗进行调整，将匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定值。

公开(公告)号：CN101523569A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036915.6

申请日：2007-10-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  小林典之 ,  米田滋 ,  花轮健一 ,  田原慈 ,  杉本胜

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。在能够真空排气的处理容器(10)内将上部电极(34)和下部电极(16)以相对的方式配置，上部电极(34)与供给等离子体形成用的高频电力的第一高频电源(48)连接，下部电极(16)与施加离子引入偏压用的高频电力的第二高频电源(90)连接，在第二高频电源(90)设置有控制器(95)，该控制器(95)控制第二高频电源(90)，使其在功率调制模式下工作，该功率调制模式为在聚合物被堆积在晶片W的规定膜上的第一功率与对晶片W的规定膜实施蚀刻的第二功率之间以规定的周期进行功率调制。

公开(公告)号：CN101523569B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200780036915.6

申请日：2007-10-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  小林典之 ,  米田滋 ,  花轮健一 ,  田原慈 ,  杉本胜

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。在能够真空排气的处理容器(10)内将上部电极(34)和下部电极(16)以相对的方式配置，上部电极(34)与供给等离子体形成用的高频电力的第一高频电源(48)连接，下部电极(16)与施加离子引入偏压用的高频电力的第二高频电源(90)连接，在第二高频电源(90)设置有控制器(95)，该控制器(95)控制第二高频电源(90)，使其在功率调制模式下工作，该功率调制模式为在聚合物被堆积在晶片W的规定膜上的第一功率与对晶片W的规定膜实施蚀刻的第二功率之间以规定的周期进行功率调制。