公开(公告)号：CN104603917A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380045527.X

申请日：2013-08-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原田彰俊 ,  林彦廷 ,  陈智轩 ,  谢如嘉 ,  米田滋

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76805 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/321 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

Abstract: 本实施方式的等离子体处理方法首先实施蚀刻工序：向等离子体处理空间供给含氟气体，使用含氟气体的等离子体对在硅化镍膜的表面形成有氧化硅膜或氮化硅膜的被处理基板，进行蚀刻(步骤S101)。接着，等离子体处理方法实施还原工序：向等离子体处理空间供给含氢气体，使用含氢气体的等离子体对蚀刻工序后附着于表面面向等离子体处理空间而配置的部件的含镍物进行还原(步骤S102)。接着，等离子体处理方法实施去除工序：向等离子体处理空间供给含氧气体，使用含氧气体的等离子体将含镍物通过还原工序而被还原得到的镍去除(步骤S103)。

公开(公告)号：CN104603917B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201380045527.X

申请日：2013-08-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原田彰俊 ,  林彦廷 ,  陈智轩 ,  谢如嘉 ,  米田滋

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76805 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/321 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

Abstract: 本实施方式的等离子体处理方法首先实施蚀刻工序：向等离子体处理空间供给含氟气体，使用含氟气体的等离子体对在硅化镍膜的表面形成有氧化硅膜或氮化硅膜的被处理基板，进行蚀刻(步骤S101)。接着，等离子体处理方法实施还原工序：向等离子体处理空间供给含氢气体，使用含氢气体的等离子体对蚀刻工序后附着于表面面向等离子体处理空间而配置的部件的含镍物进行还原(步骤S102)。接着，等离子体处理方法实施去除工序：向等离子体处理空间供给含氧气体，使用含氧气体的等离子体将含镍物通过还原工序而被还原得到的镍去除(步骤S103)。

公开(公告)号：CN111755374A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010201544.X

申请日：2020-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥徹 ,  辻本宏 ,  新藤信明 ,  米田滋

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够在基板处理中减少通过静电吸盘吸附基板时的微粒并且使该基板处理的生产率提高。进行基板的处理的方法包括：载置工序，将所述基板载置于被设定为规定的温度的静电吸盘上；第一吸附工序，向所述静电吸盘施加第一直流电压来将所述基板吸附于该静电吸盘上；保持工序，一边向所述静电吸盘施加所述第一直流电压，一边保持所述静电吸盘对所述基板的吸附，直至所述静电吸盘与所述基板的温度差成为30℃以下；以及第二吸附工序，向所述静电吸盘施加比所述第一直流电压高的第二直流电压来将所述基板吸附于该静电吸盘上。

公开(公告)号：CN101523569A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036915.6

申请日：2007-10-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  小林典之 ,  米田滋 ,  花轮健一 ,  田原慈 ,  杉本胜

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。在能够真空排气的处理容器(10)内将上部电极(34)和下部电极(16)以相对的方式配置，上部电极(34)与供给等离子体形成用的高频电力的第一高频电源(48)连接，下部电极(16)与施加离子引入偏压用的高频电力的第二高频电源(90)连接，在第二高频电源(90)设置有控制器(95)，该控制器(95)控制第二高频电源(90)，使其在功率调制模式下工作，该功率调制模式为在聚合物被堆积在晶片W的规定膜上的第一功率与对晶片W的规定膜实施蚀刻的第二功率之间以规定的周期进行功率调制。

公开(公告)号：CN113192832A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110089464.4

申请日：2021-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  新藤信明 ,  米田滋

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法和基板处理系统，能够适当地对离子体处理后的基板进行除电处理。该基板处理方法用于对基板进行处理，包括以下工序：工序(a)，将所述基板载置在静电吸盘上，并对所述静电吸盘施加直流电压，由此使所述基板吸附于所述静电吸盘；工序(b)，对电极供给高频电力，并利用非活性气体来生成等离子体；工序(c)，停止对所述静电吸盘施加所述直流电压；以及工序(d)，使被供给到所述电极的所述高频电力逐渐降低，并使该高频电力为0W。

公开(公告)号：CN101523569B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200780036915.6

申请日：2007-10-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  小林典之 ,  米田滋 ,  花轮健一 ,  田原慈 ,  杉本胜

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。在能够真空排气的处理容器(10)内将上部电极(34)和下部电极(16)以相对的方式配置，上部电极(34)与供给等离子体形成用的高频电力的第一高频电源(48)连接，下部电极(16)与施加离子引入偏压用的高频电力的第二高频电源(90)连接，在第二高频电源(90)设置有控制器(95)，该控制器(95)控制第二高频电源(90)，使其在功率调制模式下工作，该功率调制模式为在聚合物被堆积在晶片W的规定膜上的第一功率与对晶片W的规定膜实施蚀刻的第二功率之间以规定的周期进行功率调制。