公开(公告)号：CN1981375A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200580022386.5

申请日：2005-06-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 志村悟 ,  久保田和宏 ,  浅子龙一 ,  高山星一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，在被处理体上配设的被蚀刻膜(74)上，形成具有规定开口图案的蚀刻掩模(75b)。然后，在第一处理室内，通过蚀刻掩模(75b)的开口图案，对被蚀刻膜(74)实施蚀刻处理，在被蚀刻膜上形成槽或孔(78a)。然后，将蚀刻处理后的被处理体在真空气氛下，从第一处理室搬送至第二处理室。然后，在第二处理室内，对作为被蚀刻膜(74)的露出部的槽或孔(78a)的侧面部实施硅烷化处理。

公开(公告)号：CN1505115A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310116936.2

申请日：2003-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 光冈一行 ,  大西正 ,  本多稔 ,  浅子龙一 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  C08L101/00

CPC classification number: H01L21/02137 ,  B05D1/005 ,  B05D3/068 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3124

Abstract: 本发明的处理方法是在形成于基板上的有机材料膜的表面上涂布保护膜用的极性液体材料或形成保护膜用的无机材料膜的方法。该方法包括：在稀有气体气氛气下、由电子束照射装置向有机材料膜照射电子束来进行改性处理的工序；和，在进行了改性处理的有机材料膜的表面涂布极性液体材料或形成无机材料膜的工序。通过改性工序，可以在使有机材料膜固化的共时，向有机材料膜赋予与极性液体材料或无机材料膜的亲和性。

公开(公告)号：CN100508163C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710146512.9

申请日：2007-08-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅子龙一 ,  千叶祐毅 ,  久保田和宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在利用含有F的气体对作为被蚀刻膜的含有Si的低介电常数膜进行蚀刻后、直至将蚀刻掩模除去的期间，即使含有Si的低介电常数膜的被蚀刻部分暴露于NH3系气体，也能够使损伤恢复，从而能够制造电气特性和可靠性优异的半导体装置。在形成于半导体基板上的含有Si的低介电常数膜上形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模，利用含有F的气体通过蚀刻掩模对含有Si的低介电常数膜进行蚀刻，形成槽或孔，在蚀刻后，利用使用NH3气体的灰化将蚀刻掩模除去，并将此时生成的生成物除去，然后，通过供给规定的恢复气体，使含有Si的低介电常数膜由于直到将蚀刻掩模除去的工序为止的工序而受到的损伤恢复。

公开(公告)号：CN1277294C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200310116936.2

申请日：2003-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 光冈一行 ,  大西正 ,  本多稔 ,  浅子龙一 ,  岩下光秋

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  C08L101/00

CPC classification number: H01L21/02137 ,  B05D1/005 ,  B05D3/068 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3124

Abstract: 本发明的处理方法是在形成于基板上的有机材料膜的表面上涂布保护膜用的极性液体材料或形成保护膜用的无机材料膜的方法。该方法包括：在稀有气体气氛气下、由电子束照射装置向有机材料膜照射电子束来进行改性处理的工序；和，在进行了改性处理的有机材料膜的表面涂布极性液体材料或形成无机材料膜的工序。通过改性工序，可以在使有机材料膜固化的共时，向有机材料膜赋予与极性液体材料或无机材料膜的亲和性。

公开(公告)号：CN101728320B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200910206078.8

申请日：2009-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅子龙一 ,  白石豪介 ,  田原慈

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件的制造装置，能够修复被曝露在CO2等离子体中的低介电常数绝缘膜的损伤，使低介电常数绝缘膜成为良好的状态，从而可提高半导体器件的性能和可靠性。本发明的半导体器件的制造方法包括：对在基板上形成的低介电常数绝缘膜进行蚀刻的蚀刻处理工序；在该蚀刻处理工序后把基板曝露在CO2等离子体中的CO2等离子体处理工序；和在CO2等离子体处理工序后，对低介电常数绝缘膜照射紫外线的紫外线处理工序。

公开(公告)号：CN101127321A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710146512.9

申请日：2007-08-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅子龙一 ,  千叶祐毅 ,  久保田和宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在利用含有F的气体对作为被蚀刻膜的含有Si的低介电常数膜进行蚀刻后、直至将蚀刻掩模除去的期间，即使含有Si的低介电常数膜的被蚀刻部分暴露于NH3系气体，也能够使损伤恢复，从而能够制造电气特性和可靠性优异的半导体装置。在形成于半导体基板上的含有Si的低介电常数膜上形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模，利用含有F的气体通过蚀刻掩模对含有Si的低介电常数膜进行蚀刻，形成槽或孔，在蚀刻后，利用使用NH3气体的灰化将蚀刻掩模除去，并将此时生成的生成物除去，然后，通过供给规定的恢复气体，使含有Si的低介电常数膜由于直到将蚀刻掩模除去的工序为止的工序而受到的损伤恢复。

公开(公告)号：CN117597768A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280047481.4

申请日：2022-06-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 大和田伸 ,  山口达也 ,  浅子龙一 ,  福岛孝典 ,  庄子良晃 ,  梶谷孝 ,  荻原响

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一种在基板上形成图案膜的图案形成方法，上述图案膜含有具有三蝶烯骨架的三蝶烯衍生物，上述三蝶烯骨架具有该三蝶烯骨架的1位、8位和13位排列的第1面以及上述三蝶烯骨架的4位、5位和16位排列的第2面，上述三蝶烯衍生物在上述第1面和上述第2面的任一面侧具有第1侧链，且在上述第1面和上述第2面的任一另一面侧或上述任一面侧具有蚀刻选择比与第1侧链不同的第2侧链。

公开(公告)号：CN113707551A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110504734.3

申请日：2021-05-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅子龙一

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明所公开的蚀刻方法包括：(a)使用第1等离子体对氮化钛膜进行蚀刻的工序；及(b)使用第2等离子体对氮化钛膜进行蚀刻的工序。第1等离子体由第1处理气体生成，第2等离子体由第2处理气体生成。第1处理气体及第2处理气体中的一者包含含氯气体及氟碳气体，另一者包含含氯气体且不含氟碳气体。反复执行包括(a)及(b)的循环。关于循环的反复，在氮化钛膜在其膜厚方向上局部被蚀刻的状态下停止。

公开(公告)号：CN101728320A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910206078.8

申请日：2009-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅子龙一 ,  白石豪介 ,  田原慈

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件的制造装置，能够修复被曝露在CO2等离子体中的低介电常数绝缘膜的损伤，使低介电常数绝缘膜成为良好的状态，从而可提高半导体器件的性能和可靠性。本发明的半导体器件的制造方法包括：对在基板上形成的低介电常数绝缘膜进行蚀刻的蚀刻处理工序；在该蚀刻处理工序后把基板曝露在CO2等离子体中的CO2等离子体处理工序；和在CO2等离子体处理工序后，对低介电常数绝缘膜照射紫外线的紫外线处理工序。